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[发明专利]一种调控羰基铁粉电磁参数的方法-CN202310726756.3在审
发明人：闵丹丹;王欣洋;张晨;高晓燕;皇甫春雪;江子轩;胡光 -专利权人：淮阴工学院
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： C08L101/00 文献下载
摘要：本发明涉及吸波材料和矿物材料利用技术领域，公开了一种调控羰基铁粉电磁参数的方法，通过以天然凹凸棒石为表面包覆材料，羰基铁粉为吸收剂，采用化学接枝技术，实现羰基铁粉@凹凸棒石复合材料的低成本绿色环保制备，降低羰基铁粉的介电常数；同时采用简单易操作的对辊混炼法使得羰基铁粉@凹凸棒石在树脂基体中定向分布，提高其磁导率。本发明能够有效调控羰基铁粉的电磁参数，避免了复杂工艺以及大量溶剂的使用，减少了后续处理过程，经济环保。
一种调控羰基铁粉电磁参数方法

[发明专利]用于图像传感器的高速模数转换装置及转换方法-CN202310297659.7在审
发明人：马成;贾恩·柏加兹;李扬;刘洋;王欣洋 -专利权人：杭州长光辰芯微电子有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H04N25/677 文献下载
摘要：本发明提供一种用于图像传感器的高速模数转换装置及转换方法，其中的方法包括：S1、搭建高速模数转换装置，将像素复位电压置于比较器的输入端；S2、闭合第一、二组开关，利用比较器对节点和像素复位电压进行比较，输出第一转换值；S3、当节点大于像素复位电压，切断第二组开关，第三电容采集电压值，断开第一组开关；S4、打开第三组开关，利用比较器对节点和像素复位电压进行比较，获得比较器翻转时刻输出的第二转换值；S5、断开所有开关，将像素信号电压置于比较器的输入端，重复步骤S2‑S4，获得第三、四转换值；S6、对获得的转换值进行计算获得模数转换值。本发明能够提升模数转换速度，减小固定噪音，获得高质量图像。
用于图像传感器高速转换装置方法

[发明专利]可切换像素结构-CN202011616729.3有效
发明人： 王欣洋;刘洋;郭杨钰 -专利权人：长春长光辰芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H04N25/60 文献下载
摘要：本发明提供一种可切换像素结构，包括：电容反馈运算放大器、两用电容和切换开关，通过开关将两用电容置于两种配置之一：(1)串联在电容反馈运算放大器的输出与反向输入之间，用于实现高增益模式和CDS功能；(2)与电容反馈运算放大器的反馈环路上的反馈电容器并联，以实现低增益、高容量模式。与传统的像素电路相比，本发明提供的像素结构可以在低噪音和高噪音之间进行切换，在切换过程中，可以切换满阱容量值，通过开关控制积分电容值，实现强弱光模式之间的切换。在弱光成像的情况下，使用高增益放大器，高信噪比确保低输入信号不会被噪声淹没，使用高增益放大器可获得较好的灵敏度，如果还使用CDS操作，将进一步提高效率。
切换像素结构

[发明专利]一种图像传感器、采集模组及深度相机-CN202010659008.4有效
发明人：王飞;马成;朱亮;王兆民;王欣洋 -专利权人：深圳奥辰光电科技有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H04N25/75 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器，包括由多个像素构成的像素阵列；其中，所述像素包括：读入电路、以及读出电路；所述读入电路被配置为将入射的光子转换成电子，并将所述电子传输至所述读出电路；所述读出电路包括有复位晶体管、反馈电容、以及放大器；其中，所述放大器被配置为闭环增益趋近于1。本发明图像传感器可解决由于非恒定电容引起的非线性问题，由读出电路消除非线性积分电容带来的非线性，从而可提高TOF深度相机的线性，减小后续标定的工作。
一种图像传感器采集模组深度相机

[发明专利]新型CMOS图像传感器像素结构-CN202011608526.X有效
发明人： 王欣洋;李扬;马成;刘洋;辛国松 -专利权人：长春长光辰芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种新型CMOS图像传感器像素结构，包括：包括：光电二极管、浮置扩散节点、复位晶体管和转移晶体管；其中，光电二极管为中空的环形结构，浮置扩散节点设置在光电二极管的中空区域内，转移晶体管为环形结构，其内边缘与浮置扩散节点接触，其外边缘与光电二极管接触，复位晶体管设置在浮置扩散节点的正下方，通过转移晶体管将光电二极管累积的电荷从不同方向转移至浮置扩散节点，通过复位晶体管提供竖直方向电场，对浮置扩散节点进行复位。本发明能够在不影响转移晶体管电荷转移速度的情况下，增大光电二极管感光区域的面积。
新型 cmos 图像传感器像素结构

[发明专利]一种图像传感器-CN202011619567.9有效
发明人： 王欣洋;李扬;马成;李靖;戚忠雪 -专利权人：长春长光辰芯微电子股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种图像传感器，包括：自下而上依次设有冷却元件、连接层、带有若干个通孔的基板、第一绝缘层、抗反射层、第二绝缘层、会聚透镜和滤色器阵列。由于会聚透镜会聚光而产生的热量可以通过冷却元件及时消散，冷却元件将图像传感器保持在不超过图像传感器的额定工作温度的温度下工作，因此延长了图像传感器的寿命，并改善了图像传感器的图像质量。
一种图像传感器

[发明专利]一种锗硅图像传感器、采集模组及TOF深度相机-CN202010699707.1有效
发明人：王飞;马成;王兆民;王欣洋 -专利权人：深圳奥辰光电科技有限公司
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04N25/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅图像传感器，包括由多个像素构成的像素阵列；其中，所述像素包括：读入单元、缓冲直接注入结构单元、解调单元、以及读出单元；所述读入单元包括锗光电二极管，被配置为将入射至传感器的光信号转换为电荷信号；所述缓冲直接注入结构单元与所述锗光电二极管连接，被配置为减小所述电荷信号的输入阻抗和提供稳定的偏压，并将所述电荷信号传输至所述解调单元；所述解调单元，被配置为使所述电荷信号根据多个曝光控制晶体管分别生成多个电压信号；所述读出单元被配置为读取所述电压信号。本发明锗硅图像传感器可以降低读出电路的输入电阻、提高注入效率，同时实现稳定的偏置电压，且降低暗电流。
一种图像传感器采集模组 tof 深度相机

[发明专利]一种CMOS图像传感器及其制造方法-CN202011630824.9有效
发明人： 王欣洋;李扬;姜涛;辛国松 -专利权人：长春长光辰芯光电技术有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法，包括：在半导体衬底上形成有场氧化物层；在所述半导体衬底上依次沉积形成有栅介电层和栅材料层；图案化所述栅材料层和所述栅介电质层以形成栅电极；向所述半导体衬底中注入杂质离子以形成光电二极管区域；在所述半导体衬底上形成层间介电层；所述层间介电层包括氮化物层，图案化所述层间介电层，以形成预定的开口，且在所述开口的两侧壁上沉积有所述氮化物层。本发明还提供了一种CMOS图像传感器。通过本发明，能够提高光电检测器的光收集效率，并且可以减少光电检测器的性能劣化。
一种 cmos 图像传感器及其制造方法

[发明专利]一种图像传感器、采集模组及TOF深度相机-CN202010659010.1有效
发明人：王飞;马成;朱亮;王兆民;王欣洋 -专利权人：深圳奥辰光电科技有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器，包括由多个像素构成的像素阵列；其中，所述像素包括：读入电路、以及读出电路；所述读入电路被配置为将入射的光子转换成电子，并将所述电子传输至所述读出电路；所述读出电路包括有复位晶体管、源极跟随晶体管、选择晶体管、以及浮置扩散节点；所述浮置扩散节点分别连接所述读入电路和所述复位晶体管的源极；所述源极跟随晶体管被配置为增益为恒定值且趋近于1。本发明通过采用源极跟随晶体管，具有更好的线性度和更大(高)的像素转换增益，且该源极跟随晶体管的增益为恒定值且趋近于1，由此降低了像素的非线性，从而提高了TOF深度相机的线性度。
一种图像传感器采集模组 tof 深度相机

[发明专利]一种图像传感器像素电路、图像传感器及深度相机-CN202010659009.9有效
发明人：王飞;马成;王兆民;王欣洋 -专利权人：深圳奥辰光电科技有限公司
申请日： 2020-07-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本发明公开了一种图像传感器像素电路，包括：电荷生成单元，用于将入射的光信号转换成电信号，其包括有光电二极管以及多个曝光控制晶体管；电荷存储单元，连接电荷生成单元，被配置为存储所述电信号；电荷传输单元，连接电荷存储单元，被配置为将电信号传输至读出单元；读出单元，被配置为将电荷存储单元的电信号作为像素传输以及读取像素的信号；其中，所述光电二极管产生的信号通过多个曝光控制晶体管分别得到多个电信号，通过多个曝光控制晶体管交替地将光电二极管累积的电荷存储至对应的电荷存储单元。本发明像素结构能够支持全局曝光模式，并且可降低噪声，从而可满足高精度、远距离的测量。
一种图像传感器像素电路深度相机

[发明专利]背照式CMOS图像传感器的低温测试方法-CN202010296316.5有效
发明人：刘楠;姜舶洋;周泉;寺西信一;王欣洋 -专利权人：长春长光辰芯光电技术有限公司
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开一种背照式CMOS图像传感器的低温测试方法，包括：S1、沿背照式CMOS图像传感器的划片槽对晶圆进行不完全切割；其中，第一次划片切割不完全切断两个相邻的晶粒，仅在两个相邻的晶粒之间切割出预设宽度及深度的空隙；S2、对第一次划片切割后的晶圆进行低温探针测试；S3、对经过低温探针测试后的晶圆进行二次划片；其中，沿第一次划片切割出的空隙对划片槽进行延伸切割，将划片槽划开完全切断两个相邻的晶粒。本发明通过在晶圆上的晶粒之间切割出一道空隙，再对晶圆进行低温测试，能够避免因晶圆承载台的冷冲击对晶圆造成不可逆的损伤，实现低温环境下的晶圆级探针测试，从而缩短工艺验证周期，节省工艺验证成本。
背照式 cmos 图像传感器低温测试方法

[发明专利]结构光成像中去除背景光的方法-CN202010363898.4有效
发明人：马成;王欣洋;李扬;贾恩·柏加兹 -专利权人：长春长光辰芯光电技术有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H04N5/355 文献下载
摘要：本发明公开一种结构光成像中去除背景光的方法，包括：S1、前后两帧图像分别采用全局快门曝光方式、卷帘快门曝光方式对图像传感器的全部像素进行曝光，每个像素曝光后累积的结构光电荷与背景光电荷按照电荷类别及先后时序分别单独存储于同一存储单元内；S2、读出电路按照时序分别逐行读取位于存储单元内每个像素的结构光电荷所对应的结构光电压及每个像素的背景光电荷所对应的背景光电压；S3、读出电路将读取的每个像素的结构光电压与背景光电压相减，以去除背景光。本发明通过共用存储单元的方式实现两帧相减的效果，不会增加存储单元的数量，过多占用像素的面积，无需缩小感光单元的尺寸，避免对像素的性能产生不利影响。
结构成像去除背景方法

[发明专利]双斜坡双沿向上计数模数转换装置及其转换方法-CN202111512939.2在审
发明人：刘洋;谷建超;李靖;马成;王欣洋 -专利权人：长春长光辰芯光电技术有限公司;杭州长光辰芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-11 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：本发明提供一种双斜坡双沿向上计数模数转换装置及其转换方法，其中的装置包括斜坡发生器、比较器、高速时钟、低速时钟、数字逻辑电路和数据处理器；斜坡发生器用于产生斜率相同且方向相反的两个斜坡信号；将像素信号和两个斜坡信号输入到比较器的两个输入端，数字逻辑电路根据比较器的输出信号、高速时钟和低速时钟计算出低速和高速时钟计数脉冲，还根据高速时钟与高速时钟脉冲控制信号计算出额外位计数脉冲，分别输入到高位计数器、低位计数器、额外位计数器进行向上计数；数据处理器根据高位计数器、低位计数器、额外位计数器的计数值计算出像素信号电压的量化数值。本发明可降低斜坡发生器复位时的功耗及计数器的设计复杂度。
斜坡向上数模转换装置及其方法

[发明专利]双斜坡双沿向下计数模数转换装置及其转换方法-CN202111512930.1在审
发明人：刘洋;谷建超;李靖;马成;王欣洋 -专利权人：长春长光辰芯光电技术有限公司;杭州长光辰芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-11 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H03M1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种双斜坡双沿向下计数模数转换装置及其转换方法，其中的装置包括斜坡发生器、比较器、高速时钟、低速时钟、数字逻辑电路和数据处理器；斜坡发生器用于产生斜率相同且方向相反的两个斜坡信号；将像素信号和两个斜坡信号输入到比较器的两个输入端，数字逻辑电路根据比较器的输出信号、高速时钟和低速时钟计算出低速和高速时钟计数脉冲，还根据高速时钟与高速时钟脉冲控制信号计算出额外位计数脉冲，分别输入到高位计数器、低位计数器、额外位计数器进行向下计数；数据处理器根据高位计数器、低位计数器、额外位计数器的计数值计算出像素信号电压的量化数值。本发明可降低斜坡发生器复位时的功耗及计数器的设计复杂度。
斜坡向下数模转换装置及其方法

[发明专利]双斜坡单沿向下计数模数转换装置及其转换方法-CN202111512938.8在审
发明人：刘洋;谷建超;李靖;马成;王欣洋 -专利权人：长春长光辰芯光电技术有限公司;杭州长光辰芯微电子有限公司
申请日： 2021-12-11 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H03M1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种双斜坡单沿向下计数模数转换装置及其转换方法，其中的装置包括斜坡发生器、比较器、高速时钟、低速时钟、数字逻辑电路、高位计数器、低位计数器和数据处理器；斜坡发生器用于产生斜率相同且方向相反的两个斜坡信号；将图像传感器输出的像素信号和两个斜坡信号输入到比较器的两个输入端，数字逻辑电路根据比较器的输出信号、高速时钟和低速时钟计算得到低速时钟计数脉冲和高速时钟计数脉冲；通过高位计数器对高速时钟计数脉冲进行向下计数；通过低位计数器对低速时钟计数脉冲进行向下计数；数据处理器根据高位计数器和低位计数器的计数值计算得到像素信号电压的量化数值。本发明可降低斜坡发生器复位时的功耗及计数器的设计复杂度。
斜坡向下数模转换装置及其方法

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