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[发明专利]一种多气隙式微型磁通聚集器-CN202310928298.1在审
发明人：梁先锋;黄辉;王冠鹰;鞠登峰;邓辉;田文锋;蒋西平 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国网重庆市电力公司电力科学研究院
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及磁通聚集技术领域，公开了一种多气隙式微型磁通聚集器，该多气隙式微型磁通聚集器包括：第一软磁体和第二软磁体，所述第一软磁体和所述第二软磁体相对设置，且所述第一软磁体和所述第二软磁体之间形成可用于放置阵列式磁场敏感单元的气隙；至少一个第三软磁体，所述第三软磁体设置于阵列式磁场敏感单元的间隙中，将所述气隙分割为若干子气隙。本发明实施例的多气隙式微型磁通聚集器，通过在阵列式磁场敏感单元的间隙中设置第三软磁体，将第一软磁体和第二软磁体之间的气隙分割为若干子气隙，以保证在磁场敏感单元尺寸不变的情况下，缩小气隙间距，提高磁场增益效果和磁场均匀性，增强聚磁效果。
一种多气隙式微型磁通聚集

[发明专利]一种具有直流零漂抑制的电流传感器-CN202310842131.3在审
发明人：王志良;郭经红;邓辉;黄辉;钱森;梁先锋;王冠鹰;付俭定;李春龙;李福超;严平 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国网四川省电力公司营销服务中心
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R15/14 文献下载
摘要：本发明涉及电力电子技术领域，公开了一种具有直流零漂抑制的电流传感器，包括：零漂抑制电路、磁敏电流传感器，其中，零漂抑制电路，其与被测线路并联连接；磁敏电流传感器，其用于以磁感效应感应被测线路通过的电流；当零漂抑制电路关断时，磁敏电流传感器感应被测线路的第一电压；当零漂抑制电路导通时，磁敏电流传感器感应被测线路的第二电压；第二电压与第一电压的差值表征被测线路的电流；差值大小仅与磁敏电流传感器与被测线路之间的垂直距离、被测线路的电流成线性关系。本发明采用对同一个具有直流零漂抑制的电流传感器不同状态的采样方法，克服了零点漂移和需要重复校准的问题，达到了很好的输出的效果。
一种具有直流抑制电流传感器

[发明专利]一种温度补偿电路及电流传感器-CN202310753799.0在审
发明人：王志良;邓辉;黄辉;梁云;鞠登峰;郭经红;钱森;梁先锋;王冠鹰;付俭定;李春龙;司文荣;江安烽;赵莹莹 -专利权人：国网智能电网研究院有限公司;国网上海市电力公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及传感器技术领域，公开了一种温度补偿电路及电流传感器，本发明通过在惠通斯电桥上增加接地电路，接地电路使得所述惠通斯电桥的输出电压与温度无关，以完成对传感器温漂的补偿，进行电源管理模块的工作模式切换，提高电流传感器准确性，并且不需要提前测试传感器的性能来进行补偿，对传感器的性能均一性要求较低，适合大规模量产。
一种温度补偿电路电流传感器

[发明专利]一种输入端漏电流补偿型的电荷灵敏前置放大器-CN202010429038.6有效
发明人：宋文刚;张立军;王冠鹰;贾锐;姜帅;陶科 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H03F3/181 文献下载
摘要：本发明涉及一种输入端漏电流补偿型的电荷灵敏前置放大器，属于核电子学技术领域，解决电路偏置电流影响问题；包括电荷灵敏环电路和补偿泄放电路；电荷灵敏环电路与探测器连接，用于对探测器的探测电流进行积分累积电荷量，并转换为与电荷量成正比例的电压信号输出到后级电路；补偿泄放电路连接在所述电荷灵敏环电路输出端与输入端之间；监测所述电荷灵敏环电路的输出电压值，当电压值超出线性放大区时，对累积的电荷量进行泄放，降低输出电压值，使输出电压值回到线性放大区；提供补偿电流，对电荷灵敏环电路输入端的漏电流进行补偿。本发明使电荷灵敏前置放大器工作在线性放大区；并输入端的漏电流进行补偿，具有提高能量分辨率的效果。
一种输入漏电补偿电荷灵敏前置放大器

[发明专利]硅漂移探测器及其加工方法-CN202010543729.9有效
发明人：贾锐;陶科;姜帅;刘新宇;金智;张立军;王冠鹰;欧阳晓平 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本说明书提供一种硅漂移探测器及其加工方法，硅漂移探测器包括：N掺杂的硅衬底和设置在硅衬底两个表面的钝化膜；钝化膜包括沉积在硅衬底上的本征非晶硅薄膜、氧化铝薄膜和氧化硅薄膜。本征非晶硅薄膜能够较好地短话硅衬底表面的悬挂键，降低硅衬底的表面态；本征非晶硅具有一定的导电性能。氧化铝薄膜可以进一步地增强硅衬底表面的钝化性能；此外因为氧化铝薄膜的结构特性使其内部具有大量固定的负电荷，因此可以屏蔽外侧的氧化硅薄膜在功能射线照射下产生的正电荷，避免正电荷改变探测器表面的电场。另外，钝化膜中的各个膜层均可以在低温条件下沉积形成，无需使得硅衬底处在高温环境中，还可以避免采用高温制备工艺制作钝化膜对硅衬底的损伤。
漂移探测器及其加工方法

[发明专利]基于宇宙射线缪子的地质超前预报方法及装置-CN202011584166.4在审
发明人： 王冠鹰;张立军;钱祎剑;陈灵新 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G01V5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于宇宙射线缪子的地质超前预报方法及装置，属于核探测技术领域，解决了现有地质探测方法操作复杂、探测效率和探测精度低、探测范围小，且费用高昂的问题。该方法包括，利用缪子探测装置直接探测宇宙射线缪子，探测获得缪子的第一通量信息和缪子散射第一散射角集；将缪子探测装置放置于待测地质目标内部，探测获得缪子的第二通量信息和缪子散射的第二散射角集；根据第一散射角集和第二散射角集获得待测地质目标的散射密度长度，根据第一通量信息和第二通量信息获得待测地质目标的物质密度长度；根据散射密度长度和物质密度长度对待测地质目标进行地质超前预报。该方法操作简单、探测效率和探测精度高，探测范围大且成本低。
基于宇宙射线地质超前预报方法装置

[发明专利]利用宇宙射线Muon子快速检测重核材料的方法及装置-CN202011552554.4在审
发明人：张立军;钱祎剑;王冠鹰;陈灵新 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01N23/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用宇宙射线Muon子快速检测重核材料的方法及装置，属于核检测技术领域，解决了现有技术检测分辨重核材料耗时长、效率低的问题。该方法包括以下步骤：基于多种目标材料的Muon子库伦散射角数据集，分别分析获取多种目标材料的Muon子探测数据特征集；对多种所述目标材料的Muon子探测数据特征集进行分类训练，获得分类模型；利用所述分类模型对待检测材料进行检测，以确定所述待检测材料中是否存在重核物质。该方法能够在不同的重核材料检测场景中，快速检测出空间内是否存在重核物质。
利用宇宙射线 muon 快速检测材料方法装置

[发明专利]一种成形时间自适应的数字脉冲滤波方法、装置及电子设备-CN202210248778.9在审
发明人：张晶;张立军;王冠鹰;叶青青;杜文倩;陈灵新 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明公开一种成形时间自适应的数字脉冲滤波方法、装置及电子设备，涉及核辐射探测技术领域。方法包括：获取实际输入信号的上升时间；基于所述上升时间确定相邻入射脉冲的时间间隔；基于所述时间间隔对每个探测到的X射线信号分别单独确定，随机并遵循输入脉冲间隔分布的所述梯形成形滤波器的达峰时间，实现较高的脉冲计数率；基于所述上升时间对每个探测到的X射线脉冲信号分别单独确认所述梯形成形滤波器的平顶时间，以基于所述平顶时间弥补弹道亏损效应。对梯形滤波器的平顶时间自适应，每个检测到的X射线都单独选择平顶时间，实现较高的能量分辨率。
一种成形时间自适应数字脉冲滤波方法装置电子设备

[发明专利]硅漂移探测器的制备方法-CN202010544828.9有效
发明人：陶科;贾锐;姜帅;刘新宇;金智;张立军;王冠鹰;欧阳晓平 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本说明书提供一种硅漂移探测器的制备方法，包括沉积步骤；所述沉积步骤包括：以四氟化锗、高阶硅烷和掺杂剂硅烷作为反应气体，采用化学气相沉积工艺在具有钝化膜的硅衬底上沉积重掺杂锗薄膜，使重掺杂锗薄膜在硅衬底的对应区域形成功能区。因为高阶硅烷能够在较低温情况下被激活而与四氟化锗反应，所以在锗薄膜形成过程中可以采用低温工艺，而低温工艺可以避免扩散工艺和离散注入工艺中的高温对硅衬底的损伤，有利于获得较高的体寿命，提高硅漂移探测器的能量分辨率。
漂移探测器制备方法

[发明专利]漂移探测器及其加工方法-CN202010543801.8有效
发明人：姜帅;贾锐;陶科;刘新宇;金智;张立军;王冠鹰;欧阳晓平 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本说明书提供一种漂移探测器及其加工方法，漂移探测器包括：衬底；设置在所述衬底两个表面上，用于使所述衬底上形成漂移区的漂移电极；以及贯穿所述衬底的集电电极；所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子。因为集电电极贯穿衬底设置，所以电子在移动至集电电极区域后可以立即被收集，无需在垂直于衬底表面方向漂移。相比于现有结构的漂移探测器，本说明书提供的漂移探测器无需设置前述的反向偏压，也就避免了因为现有技术中反向偏压设置不合理造成的电子损失的问题。
漂移探测器及其加工方法

[发明专利]一种脉冲星X射线探测装置-CN202010426647.6有效
发明人： 王冠鹰;张立军;宋文刚;贾锐;陶科;姜帅 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： G01C21/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种脉冲星X射线探测装置，属于辐射探测仪器仪表系统领域，解决脉冲星X射线探测的问题；装置包括用于探测脉冲星X射线的SDD单元；SDD单元包括SDD晶圆和前置放大器；SDD晶圆用于探测脉冲星X射线输出探测电流；SDD晶圆的入射窗口电极采用结深浅的PN结；前置放大器与SDD晶圆的阳极连接，用于对探测电流进行初步放大和积分，转变为电压脉冲信号；并对SDD晶圆的漏电流进行补偿；本发明的探测装置还可基于单个SDD进行拼装组成阵列结构的大探测面积探测器。因此，本发明的脉冲星X射线探测装置，具有高能量分辨率和高时间分辨率的典型特征，探测效率高，性能稳定，系统可靠，能够适用于航天应用环境。
一种脉冲射线探测装置

[发明专利]漂移探测器及其加工方法-CN202010543831.9有效
发明人：姜帅;陶科;贾锐;刘新宇;金智;张立军;王冠鹰;欧阳晓平 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本说明书提供一种漂移探测器及其加工方法，漂移探测器包括：衬底；设置在所述衬底两个表面上，用于使所述衬底形成漂移区的的漂移电极；设置在所述衬底两个表面，并且位于所述漂移电极同侧的集电电极；所述集电电极用于收集经由所述漂移区的载流子。本说明书提供的漂移探测器在衬底的两个表面均设置有集电电极，而不再设置用于使得载流子向集电电极垂直移动的反向偏压。因为衬底的两个表面均设置集电集电电极，漂移电子在集电电极的电场作用下向集电电极漂移；因为没有反向偏压的影响，光生电子漂移因电压设置不合理而造成的损失。
漂移探测器及其加工方法

[实用新型]一种基于半导体紫外传感器的复合型抗干扰火焰探测器-CN202023022299.0有效
发明人：张立军;张晶;宋文刚;王冠鹰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G08B17/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种基于半导体紫外传感器的复合型抗干扰火焰探测器，采用单紫外传感器和双红外传感器的复合传感方式对火焰辐射进行检测，在紫外传感器端使用了滤光结构设计滤除干扰光，能有效抵御太阳光、照相机闪光灯等干扰，对火焰特征辐射波段具有更好的感知能力，同时利用火焰闪烁频率分析以及阈值判别等方法，使系统具备优异的抗干扰能力和较高的探测精度，并避免了使用高压供电，能够省去高压模块电路，实现了探测器的小型化，更具有安全性，从而能应用在更广泛的火灾监测场景中。对比已有技术，本火焰探测器具有安全、寿命长、体积小的优点。
一种基于半导体紫外传感器复合型抗干扰火焰探测器

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