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[发明专利]用于动态布局消息的电子装置和计算机可读介质-CN202010095544.6有效
发明人：金大雄;金宰贤;赵成祐;玄润锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H04M1/7243 文献下载
摘要：公开了一种用于动态布局消息的电子装置、方法和计算机可读介质。一种根据各种实施例的电子装置包括通信电路、触摸屏、存储支持RCS的应用的至少一个存储器以及至少一个处理器。所述至少一个处理器被配置为：通过使用所述应用经由所述通信电路从外部装置接收RCS消息；基于包括在RCS消息的头部中的数据，识别RCS消息是第一类型还是第二类型；基于识别出RCS消息是第一类型从RCS消息识别第一布局对象；识别在第一布局对象下的第二对象中的每个第二对象是内容对象还是用于指示由所述内容对象提供的将在触摸屏上显示的多个内容的相对位置的布局对象；并且基于所述相对位置显示所述多个内容。
用于动态布局消息电子装置计算机可读介质

[发明专利]反射掩模及其制造方法-CN201510482805.9有效
发明人：李仁桓;丘善英;金瑞玟;金用大;金辰寿;李柄勋;林美晶;林昌文;河泰中;玄润锡 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：一种反射掩模，包括：第一反射层，布置在掩模衬底之上；第一覆盖层，布置在第一反射层之上；第二反射图案，布置在部分第一覆盖层之上，以及移相器，布置在第二反射图案与第一覆盖层之间，以引起从第一反射层反射的第一光线和从第二反射图案反射的第二光线之间的相位差。还提供了相关方法。
反射及其制造方法

[发明专利]细微图案形成方法-CN03102525.0无效
发明人：高次元;玄润锡 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2003-02-10 - 公布日： 2003-10-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供采用光刻工序形成细微间隔图案的细微图案形成方法。包括下步骤：含导电膜的半导体基板上，依次涂布i－线用抗蚀剂层和正型ArF抗蚀剂层；在基板上用具有规定图案的掩膜，进行曝光及第1烘烤工序，在正型ArF抗蚀剂层内进行甲硅烷化反应，生成醇基(OH)或羧基(COOH)；除去掩膜；在产物上显像，形成第1抗蚀剂层图案；在含有第1抗蚀剂层图案的基板上进行曝光及第2烘烤工序；在其后的基板上用HMDS进行甲硅烷化反应，通过醇基(OH)或羧基(COOH)和HMDS反应，在第1抗蚀剂层图案表面上形成硅氧化膜；将含有硅氧化膜的第1抗蚀剂层图案作掩蔽膜，在上述i－线用抗蚀剂层上进行干式显像工序，以形成第2抗蚀剂层图案；将第1及第2抗蚀剂层图案作为掩膜，对上述导电膜进行蚀刻，形成位线。
细微图案形成方法