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[发明专利]数据收集系统、数据收集装置、数据收集方法以及数据收集程序-CN202280017209.1在审
发明人：守屋刚;茂木弘典;鱼山和哉;松泽贵仁;片冈勇树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在基板处理中的处理条件的探索中，收集适当的数据。一种数据收集系统，具有：具有第1处理空间的第1基板处理装置、具有第2处理空间的第2基板处理装置、和与所述第1基板处理装置及第2基板处理装置连接的数据收集装置，具有：修正量计算部，比较通过在相同的处理条件下在所述第1处理空间和第2处理空间中分别处理相同或类似形状的基板而观测到的观测数据，计算出对通过在所述第2处理空间中进行处理而观测到的观测数据进行修正的修正量；和收集部，在通过在所述第2处理空间中改变处理条件来处理基板从而探索处理条件时，基于所述修正量来对通过在所述第2处理空间中进行处理而观测到的观测数据进行修正，并收集修正后的观测数据。
数据收集系统装置方法以及程序

[发明专利]管理装置、预测方法和预测程序-CN202180086072.0在审
发明人：守屋刚;茂木弘典;片冈勇树;鱼山和哉;松泽贵仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-12-14 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： G05B13/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种预测控制对象中处理值的变化并利用预测结果的结构。本发明的管理装置，包括：预测模型部，学习了控制对象中的时刻T时的多变量控制值与所述控制对象中的时刻T+ΔT时的多变量处理值的输入输出关系；以及优化模型部，探索将由所述预测模型部输出的时刻T+ΔT时的多变量处理值与对应的目标值之间的各差值最小化的时刻T时的多变量控制值，并利用所探索出的该多变量控制值对所述控制对象进行控制，其中，在存在来自管理所述预测模型部的代理部的请求时，所述预测模型部对以指定的控制值对所述控制对象进行控制的情况下的所述控制对象中的时刻ΔT后的多变量处理值进行预测，并输出至所述代理部。
管理装置预测方法程序

[发明专利]模型管理系统、模型管理方法和模型管理程序-CN202180073627.8在审
发明人： 片冈勇树;茂木弘典 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：本公开提供一种模型管理系统、模型管理方法和模型管理程序，用于对应用于基板制造工艺的模型高效地进行管理。该模型管理系统将应用于基板制造工艺的模型分为三层以上的层级进行管理，包括：第一管理单元，用于在规定的层级对模型进行管理；以及一个以上的第二管理单元，用于在所述规定的层级的下一层层级对模型进行管理，其中，所述第一管理单元具有：计算单元，用于在所述第二管理单元所管理的模型的模型参数被更新了的情况下，基于更新了的各模型参数，计算新的模型参数；和控制单元，用于以对由属于所述第一管理单元的最下层的多个管理单元分别管理的模型，设定所述新的模型参数的方式进行控制。
模型管理系统方法管理程序

[发明专利]温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序-CN202111027548.1在审
发明人： 片冈勇树;长畑寿 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供推定与进行等离子体处理的处理空间内的状态的变化对应的温度的温度推定装置、等离子体处理系统、温度推定方法以及温度推定程序。温度推定装置具有推定部，该推定部通过向生成完毕时间序列模型依次输入与进行等离子体处理的处理空间内的状态有关的新的时间序列的工艺数据而依次推定温度数据，其中，该生成完毕时间序列模型是将与上述处理空间内的状态有关的时间序列的工艺数据的各时间范围的数据与在该处理空间内测定出的时间序列的温度数据的各时间的数据建立关联的模型。
温度推定装置等离子体处理系统方法以及程序

[发明专利]学习方法、管理装置和记录介质-CN202010305849.5在审
发明人： 片冈勇树;渡边雄仁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G06N20/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够高精度且高效地生成回归方程的学习方法、管理装置和管理程序。学习方法对等离子体处理装置的腔室内的发光数据进行预处理。学习方法设定用于生成回归方程的机器学习的约束，回归方程表示等离子体处理装置的蚀刻速率与发光数据之间的关系。学习方法从被进行预处理后的发光数据中选择学习对象的波长。学习方法接受对与发光数据不同的其它传感器的数据的选择。学习方法将选择出的波长、接受到的其它传感器的数据、以及蚀刻速率作为学习数据，基于所设定的约束来进行机器学习，生成回归方程。学习方法输出生成的回归方程。
学习方法管理装置记录介质

[发明专利]异常检测系统、异常检测方法以及存储介质-CN201080029631.6无效
发明人：守屋刚;梅原康敏;片冈勇树;中谷理子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-06-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高精度地对装置中产生的异常进行检测的异常检测系统。对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行检测的异常检测系统(100)具备：多个超声波传感器(41)，其检测由异常的产生所引起的AE；分配器(65)，其将超声波传感器(41)的各输出信号分别分配为第一信号和第二信号；触发器(52)，其例如以10kHz对第一信号进行采样，在检测出规定的特征时产生触发信号；触发产生时刻计数器(54)，其接收触发信号并决定触发产生时刻；数据记录器(55)，其例如以1MHz对第二信号进行采样来制作采样数据；以及PC(50)，其通过对采样数据中的与以由触发产生时刻计数器(54)决定的触发产生时刻为基准的固定期间相对应的数据进行波形分析，对等离子体处理装置(2)所产生的异常进行分析。
异常检测系统方法以及存储介质

[发明专利]处理系统、处理方法和计算机程序-CN200810092098.2有效
发明人： 片冈勇树;山口达也;王文凌;竹永裕一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-03-05 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种能够容易地调整气体流量的处理系统、处理方法和程序。在立式热处理装置(1)中设有多个向收容半导体晶片(W)的反应管(2)内供给处理气体的气体供给管(16～20)。流量调整部(21～25)控制气体供给管(16～20)的流量。控制部(50)中存储有表示包括处理气体流量的工艺条件以及处理气体的流量与膜厚关系的膜厚流量关系模型。控制部(50)基于在工艺条件下处理半导体晶片(W)的处理结果和膜厚流量关系模型，计算处理气体的流量、控制流量调整部(21～25)，将处理气体的流量变更为计算出的处理气体的流量，并对半导体晶片(W)进行处理。
处理系统方法计算机程序

[发明专利]热处理装置、热处理方法、计算机程序及存储介质-CN200710141870.0有效
发明人： 片冈勇树;东条行雄 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-15 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种立式热处理装置，实现装载时反应管的内壁的温度稳定化，抑制例如附着在内壁上的膜剥落，减少颗粒污染。使用该热处理装置的热处理方法，预先在反应管的内壁上安装内壁温度传感器，求得内壁温度传感器的检测值和向加热单元供给的电力的指令值的各时间系列数据。根据装载初期时这些数据，由之前的电力的指令值，预测内壁温度，以该内壁温度的预测值作为控制对象。并且，在装载末期时，将控制对象缓慢地过渡到设置于反应管外的温度检测部的温度检测值，将该温度检测值作为控制对象。
热处理装置方法计算机程序存储介质

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