“潘元春”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法-CN201310405032.5有效
发明人：周健;陈仲林;孙志梅;彭宇;萨百晟;潘元春 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-09-09 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法，涉及热电材料。提供一种反应温度低，工艺简单，环境友好，且合成的粉体纯度高，形貌较好的硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料及其制备方法。所述硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料由碲化铅和硒化铅组成，其中，化学计量比的PbTe被化学计量比的PbSe包裹。将Pb(CH3COO)2·3H2O、TeO2和SeO2按Pb∶Te∶Se=2∶1∶1的摩尔比溶解到氢氧化钠水溶液中，加入NaBH4，混合后得前驱液，再移入反应釜中，在温度为160～200℃下保温18～22h后停止反应，待反应温度降至室温后，分离出沉淀物，洗涤至中性后恒温干燥，得硒化铅包裹碲化铅树枝晶复合材料。
硒化铅包裹碲化铅树枝复合材料及其制备方法

[发明专利]一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法-CN201210058804.8有效
发明人：孙志梅;潘元春;周健;萨百晟 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C25D9/04 文献下载
摘要：一种Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜的制备方法，涉及一种相变材料薄膜。将导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液；配制Sb3+和Te4+离子电解质溶液；恒电位沉积；恒电流沉积。在室温水溶液中通过简单的电化学沉积方法，制备结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强的Ge-Sb-Te三元相变材料薄膜。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂、成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点，在半导体领域尤其是相变存储材料的制备中有潜在的应用前景。
一种 ge sb te 三元相变材料薄膜制备方法

[发明专利]一种锗单质薄膜的制备方法-CN201210059186.9无效
发明人：孙志梅;萨百晟;王振兴;周健;潘元春 -专利权人：厦门大学
申请日： 2012-03-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C25D3/54 文献下载
摘要：一种锗单质薄膜的制备方法，涉及一种薄膜。导电基片预处理；配制Ge4+离子电解质溶液：将二氧化锗和碱溶液在容量瓶中用超纯水配制锗4价离子(Ge4+)的电解质溶液，调节pH值，加入支持电解质；使用三电极体系，控制反应电位为-900～-1500mV，沉积时间为100～10800s，进行电化学沉积反应，在导电基片上得到锗单质薄膜，结构稳定、平整致密、杂质含量低、膜层附着力强。能够有效避免采用磁控溅射法、化学气相沉积法或现有的电化学沉积法存在的工艺设备复杂。成本高昂、难以大规模生产等不足；具有成本低廉、生产周期短、制备工艺简单、产物质量稳定等优点。
一种单质薄膜制备方法