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[发明专利]电子器件、电子器件的制造方法、电子设备以及移动体-CN201610181833.1有效
发明人：大槻哲也;村上资郎;新井智博;和田充洋;伊藤浩;白木学;近藤学;滨宗佳 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-03-28 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： G01C19/5656 文献下载
摘要：本发明提供电子器件、电子器件的制造方法、电子设备以及移动体，具有接合强度高且能够比较简单地制造的金属膜结构。电子器件(100)具有：基材(110)；第1金属膜(121)，其配置在基材(110)上，含有氮和铬；以及第2金属膜(122)，其配置在第1金属膜(121)上，含有金，在第1金属膜(121)中，氮原子的数量是铬原子的数量的20％以上且100％以下。并且，对于第1金属膜(121)中的氮原子的分布，被第1金属膜(121)的基材(110)侧的第1区域和第2金属膜(122)侧的第2区域夹着的第3区域比第1区域和第2区域大。
电子器件制造方法电子设备以及移动

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410008644.1无效
发明人：芳贺泰;滨宗佳 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2004-03-12 - 公布日： 2004-09-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明披露了一种能够防止发生结泄漏的半导体装置及其制造方法，其特征在于包括：注入了一种导电型杂质的半导体区(103)；在所述半导体区(103)上形成的栅极绝缘膜(105)；在所述栅极绝缘膜(105)上形成的栅电极(106)；以第一注入量在所述半导体区(103)内注入另一种导电型的第一杂质，在从所述半导体区(103)的主平面到第一深度为止的区内形成的低浓度层(109a)；以高于第一注入量低于1×10E15个/cm²的第二注入量，在所述半导体区(103)内注入另一种导电型的第二杂质，在从所述半导体区(103)的主平面到比所述第一深度浅的第二深度为止的区内形成的高浓度层(109b)。
半导体装置及其制造方法