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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]模拟数字转换器-CN202211449346.0在审
发明人： 滨口弘治;井上高广;清水隆行;河边勇;池田徹朗 -专利权人：夏普半导体创新株式会社
申请日： 2022-11-18 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03M1/12 文献下载
摘要：一种模拟数字转换器，其为积分型的模拟数字转换器，包括:充电电路，其具有与输入电流对应的电荷被充电的电容；放电电路，用于对被充电到所述电容的电荷进行放电；以及计数电路，通过在第一转换期间和第二转换期间对所述电容的充放电次数进行计数，将所述输入电流的电流值转换为数字值，所述第一转换期间包括第一预充电期间和第一计数期间，所述第二转换期间包括第二预充电期间和第二计数期间，还包括相位变更电路，其将所述充电电路的输出信号的所述第一计数期间的第一相位在所述第二计数期间变更为第二相位。
模拟数字转换器

[发明专利]半导体装置、电子设备、周围光照度测定方法及记录介质-CN202211431008.4在审
发明人：河边勇;井上高广;清水隆行;滨口弘治;池田徹朗 -专利权人：夏普半导体创新株式会社
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：对于半导体装置、电子设备、周围光照度测定方法以及计算机可读取的记录介质而言，具备：光测定器，其为了测定显示面板的周围光照度而配置于具备自发光元件的显示面板的与显示面相反一侧；存储装置，其对与显示面板的同步信号同步而在比自发光元件的接通断开期间短的多个第一测定期间由光测定器测定出的多个第一测定值进行存储；以及计算部，其基于存储于存储装置的第一测定值来计算自发光元件的发光照度，并通过从在比第一测定期间长的第二测定期间由光测定器测定出的第二测定值减去基于发光照度的值来计算周围光照度。
半导体装置电子设备周围光照度测定方法记录介质

[发明专利]接近传感器及电子设备-CN202110662809.0在审
发明人： 滨口弘治;井上高广;大西雅也;河边勇 -专利权人：夏普福山半导体株式会社
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-01-07 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：接近传感器(10)包括：发光元件(12)；同步信号输入部(15)，其被输入同步信号；以及传感器控制部(11)，其控制发光元件(12)的光的出射，传感器控制部(11)在基于改写时刻和发光元件的光的出射时间来设定的开始时刻使发光元件(12)开始光的出射，并且，传感器控制部(11)在过渡为改写时刻之前使发光元件(12)结束光的出射。
接近传感器电子设备

[发明专利]接近传感器、接近照度传感器、电子设备、及校准方法-CN201780029976.3有效
发明人： 滨口弘治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2017-03-09 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H03K17/945 文献下载
摘要：接近传感器(100)具备：发光部(101)，其射出光；受光部(102)，其产生包含物体反射光电流和非检测对象物体反射光电流的测量电流；及初始校准执行部(120)，其在测量电流值为初始阈值以下的情况下，基于测量电流值更新与非检测对象物体反射光电流对应的偏移值。
接近传感器照度电子设备校准方法

[发明专利]照度传感器、接近传感器、电子设备以及监视系统-CN201880025083.6有效
发明人： 滨口弘治;井上高广 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-02-20 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：一种照度传感器，相比以往高精度地检测闪烁。照度传感器(1)包括：光接收部(12)，其接收光并输出电流(Iin)；闪烁测量用计数器电路(135)，其对电流(Iin)进行AD转换并将第一数字信号输出至闪烁测量用存储装置(15)；照度测量用计数器电路(134)，其对电流(Iin)进行AD转换并将第二数字信号输出至照度测量用存储装置(14)；以及闪烁检测部，其对闪烁测量用存储装置(15)中保存的第一数字信号进行分析来检测闪烁。从闪烁测量用计数器电路(135)输出第一数字信号的周期比从照度测量用计数器电路(134)输出第二数字信号的周期短。
照度传感器接近电子设备以及监视系统

[发明专利]半导体存储装置及存储单元的存储数据修正方法-CN200310120107.1有效
发明人： 滨口弘治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：半导体存储装置具备：将在1个单元内存储且可改写N值数据的多个存储单元(1)；和将上述N值数据的各数据值以与上述存储单元相同的存储方式分别存储的多个监控单元(6、9)。由检测机构(12)检测监控单元的物理量是否在预先设定的范围内，在范围外时，由确认机构(16)确认存储单元的物理量是否在预先设定的范围内，由修正机构(16)修正存储单元的物理量。其结果是，不在存储单元(1)上施加多余的应力，就可以有效地检测物理量的变动，而且，并不只是对向电荷损耗所导致的规定范围的下方变动修正，也可以对电荷增加所导致的规定发范围的上方变动的物理量进行修正。
半导体存储装置单元数据修正方法

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN200310114843.6有效
发明人： 滨口弘治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-11-07 - 公布日： 2004-05-26 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。该半导体存储器装置(2)具备由通过施加电应力使电阻值变化的非易失性电阻变化存储器元件(23B)和选择晶体管(23A)组成的存储器单元(23)，以及将字线电压提供给连接到所述存储器单元的字线的字线电压提供设备(22)，在进行存储器单元的程序操作和验证所述存储器单元(23)的程序状态的校验操作的场合，所述字线电压提供设备(22)对于所述程序操作和所述校验操作的互为前后的2个操作，将相同的电压的字线电压提供给连接到写入对象的所述存储器单元(23)。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]存储单元和存储设备-CN03147814.X有效
发明人：井上刚至;滨口弘治 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-06-25 - 公布日： 2004-03-17 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本申请公开了一种具有用作存储元件的可变电阻器的存储单元，及公开了一种包括所述存储单元的存储设备。可变电阻器由具有钙钛矿结构的薄膜材料(如PCMO)或者同类材料制成。因而存储单元可以在低电压下操作且可以高度集成。存储单元MC由电流控制装置和可变电阻器结合形成。场效应晶体管、二极管或者双极性晶体管用作电流控制装置。电流控制装置与可变电阻器的电流通路串连，以便控制流过所述可变电阻器的电流。
存储单元设备

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