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[发明专利]介电陶瓷组合物以及电子部件-CN201610135925.6有效
发明人：大津大辅;渡边松巳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：一种介电陶瓷组合物，其特征在于，所述介电陶瓷组合物含有：由(Ba_1‑x‑y,Ca_x,Sr_y)_m(Ti_1‑z‑a,Zr_z,Sn_a)O₃的组成式表示的第1主要组合物、由(Ba_1‑α,Sr_α)_nTiO₃的组成式表示的第2主要组合物、由氧化铋构成的第1副成分，其中各主要组合物的组成、第1主要组合物和第2主要组合物的含有率之比以及第1副成分的含量在特定的范围内。
陶瓷组合以及电子部件

[发明专利]介电陶瓷组合物以及电子部件-CN201610136570.2有效
发明人：大津大辅;渡边松巳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2016-03-10 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种介电陶瓷组合物，其中，具有由组成式(Ba1‑x‑y,Cax,A1y)m(Ti1‑z‑a,Zrz,B1a)O3(x≠0，z≠0，x+y≠1，z+a≠1)表示的第1组合物颗粒、由组成式(Ba1‑α,A2α)n(Ti1‑β,B2β)O3(α≠1，β≠1)表示的第2主组合物颗粒。第1主组合物颗粒的平均粒径为3μm～10μm，第2主组合物颗粒的平均粒径为0.1μm～3μm，并且进一步偏析有氧化锌。
陶瓷组合以及电子部件

[发明专利]电介质瓷组成物以及电子零件-CN201110043312.7有效
发明人：佐藤大辅;渡边松巳;工藤亮;日高优贵 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明提供的电介质瓷组成物，其特征在于，含有：以SrTiO3换算，29.34～44.70重量％的氧化锶、以Bi2O3换算，22.56～28.48重量％的氧化铋、以TiO2换算，26.36～30.27重量％的氧化钛、以MgO换算，3.61～5.56重量％的氧化镁、以Nd2O3换算，1.86～3.42重量％的氧化钕、以MnO换算，0.21～0.99重量％的氧化锰、以及以SiO2换算，0.06～0.50重量％的氧化硅。如果采用本发明，则能够提供使用于陶瓷电容器等电子零件的电介质层，在高频区域能降低电介质损耗，而且介电常数的温度特性优异，具有高介电常数的电介质瓷组成物。
电介质组成以及电子零件

[发明专利]电介质陶瓷组合物-CN200810168160.1有效
发明人：阿部贤;渡边翔;仲野良平;丹羽康夫;渡边松巳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-09-28 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： C04B35/20 文献下载
摘要：本发明涉及电介质陶瓷组合物。电介质陶瓷组合物，其特征在于：含有以2MgO·SiO₂换算为93.0-99.0mol％的镁橄榄石、以CaTiO₃换算为1.0-7.0mol％的钛酸钙作为主成分；相对于100质量％上述主成分，含有以Al₂O₃换算为0.2-5质量％的氧化铝作为副成分。根据本发明，可以提供低介电常数和良好的频率温度特性同时成立、且可确保高的Qf值、并且具有足够的机械强度、适合在高频域中使用的天线或滤波器等的电介质陶瓷组合物。本发明还提供具备上述所有特性、进一步具有耐还原性的电介质陶瓷组合物。
电介质陶瓷组合

[发明专利]压电陶瓷的制造方法-CN200810082688.7有效
发明人：阿部贤;渡边松巳;丹羽康夫 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2008-03-06 - 公布日： 2008-09-10 - 主分类号： C04B35/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种压电陶瓷(压电体层2)的制造方法，它是对包含TiO₂原料、ZrO₂原料以及PbO原料为主要成分的压电材料进行烧成而制造压电陶瓷的压电陶瓷的制造方法，其特征在于，混合到压电材料中的P₂O₅的含量范围为40ppm以上且350ppm以下，该P₂O₅以被包含于TiO₂原料以及ZrO₂原料中的形式混合到压电材料中。发明者们发现，当用于压电陶瓷的压电材料中含有P，该P以P₂O₅的形态通过TiO₂原料以及ZrO₂原料而混入上述范围的量时，可以显著地提高压电应变特性。
压电陶瓷制造方法

[发明专利]电介质陶瓷组合物的制备方法-CN200610172856.2无效
发明人：佐佐木洋;小田岛努;野中智明;渡边松巳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明涉及电介质陶瓷组合物的制造方法，其是制备具有含有下述化合物的主成分的电介质陶瓷组合物的方法，所述化合物具有以通式ABO₃(其中，式中A是选自Ba、Ca、Sr和Mg的一种或以上的元素，B是选Ti、Zr和Hf的一种或以上的元素)所表示的钙钛矿型结晶结构，其中具有通过液相法或固相法合成ABO₃粉末的工序；对合成的前述ABO₃粉末进行热处理，除去前述ABO₃粉末中所含的气体成分的工序；对含有已除去气体成分的前述ABO₃粉末的电介质陶瓷组合物原料进行烧结的工序。
电介质陶瓷组合制备方法

[发明专利]电介质陶瓷组合物-CN200610132112.8无效
发明人：金田功;仲野良平;菊池龙哉;小更恒;阿部贤;田代浩二;渡边松巳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-10-10 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其可以抑制比介电常数对烧结温度的依存性，而且可以使机械强度得以提高。本发明的电介质陶瓷组合物的特征在于：在图1所示的ZrO₂、SnO₂和TiO₂的三元组成图中，以由点A、点B、点C、点D、点E、点F所包围区域的组成为主要成分，并且相对于该主要成分，含有ZnO：0.5～5wt％、NiO：0.1～3wt％、SiO₂：0.008～1.5wt％。另外，相对于上述主要成分，可以含有Nb₂O₅：0.2wt％以下、K₂O：0.035wt％以下。
电介质陶瓷组合

[发明专利]电介质陶瓷组合物和电子元件-CN200610144442.9无效
发明人：野中智明;佐佐木洋;小田岛努;原田崇浩;渡边松巳;高石哲男;桥木晋亮 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：一种电介质陶瓷组合物，含有：包含钛酸钡的主成分100摩尔，相对于100摩尔主成分，包含镁氧化物的第1副成分0.1～3摩尔，包含钇氧化物的第2副成分0.01～0.5摩尔(但不包含0.5)，包含钒氧化物的第3副成分0.01～0.2摩尔，以氧化硅作为主成分的玻璃成分0.5～10摩尔，实质上不含有锰氧化物和铬氧化物，电介质粒子的平均粒径为0.35μm或以下。
电介质陶瓷组合电子元件

[发明专利]电介质陶瓷组合物-CN200610164633.1无效
发明人：中村孝男;渡边松巳;佐佐木则夫 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-05-02 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：一种电介质陶瓷组合物，作为主要成分，含有：40－54重量％的SrTiO₃、18－25％重量％的PbTiO₃、15－30％重量％的Bi₂O₃·nTiO₂ (n表示化合物比)、8－12重量％的CaTiO₃；作为次要成分，相对于100重量％的主要成分，含有：0.1－0.5重量％的CuO、0.05－0.5重量％的Nb₂O₅、0.05－0.5重量％的MnO。根据本发明，即使在高频区域内也损耗低，并可以在高电平下兼顾相对介电常数和介电常数温度特性变化率。
电介质陶瓷组合

[发明专利]电介质瓷器组合物、电子部件和它们的制造方法-CN200410095402.0有效
发明人：佐佐木洋;丹羽康夫;渡边松巳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2004-12-17 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种电介质瓷器组合物的制造方法，制造具有用结构式[(Ca_xSr_1－x)O]_m[(Ti_yZr_1－y－zHf_z)O₂]表示的电介质氧化物、氧化锰、氧化铝、烧结助剂的电介质瓷器组合物，上述结构式中的表示组成摩尔比的符号x、y、z、m为0.5≤x≤1.0、0.01≤y≤0.10、0＜z≤0.20、0.90≤m≤1.04，其特征在于，使用烧结助剂制造电介质瓷器组合物，所述烧结助剂具有：以SiO₂作为主要成分，还包含MO(其中，M是Ba、Ca、Sr和Mg的至少一种)，第一玻璃组合物；其构成包括B₂O₃、Al₂O₃、ZnO和SiO₂，具有1.5μm以下的平均粒径的第二玻璃组合物。根据该发明，能够提供一种即使在低温中煅烧也不损伤各种电学特性而能得到致密的电介质瓷器组合物的电介质瓷器组合物的制造方法。
电介质瓷器组合电子部件它们制造方法

[发明专利]电介质陶瓷组合物、电子部件及其制造方法-CN200380109951.2有效
发明人：佐佐木洋;田中均;丹羽康夫;渡边松巳;野中智明 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2003-12-17 - 公布日： 2006-03-29 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：一种电介质陶瓷组合物，至少包含含有由[(Ca_xSr_1－x)O]_m[(Ti_yZr_1－y－zHf_z)O₂]所示组成的电介质氧化物的主成分、含有Mn氧化物和/或Al氧化物的第1副成分和玻璃成分。主成分中所包含的式子中表示组成摩尔比的符号m、x、y和z有以下关系：0.90≤m≤1.04、优选1.005≤m≤1.025，0.5≤x＜1、优选0.6≤x≤0.9，0.01≤y≤0.10、优选0.02≤y≤0.07，0＜z≤0.20、优选0＜z≤0.10。
电介质陶瓷组合电子部件及其制造方法

[发明专利]电介质瓷体组合物、电子部件及其制造方法-CN200310124747.X无效
发明人：佐佐木洋;丹羽康夫;渡边松巳 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2003-12-25 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： C04B35/03 文献下载
摘要：电介质瓷体组合物，其主成分包含：换算成MgO为53.00－80.00摩尔％的氧化镁，换算成TiO₂为19.60－47.00摩尔％的氧化钛，换算成MnO为0.05－0.85摩尔％的氧化锰。该电介质瓷体组合物，还可以含有氧化钒、氧化钇、氧化镱、氧化钬之中的至少任何一种作为副成分，其含量分别换算成V₂O₅、Y₂O₃、Yb₂O₃、Ho₂O₃为0.00～0.20摩尔％。
电介质组合电子部件及其制造方法

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