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[发明专利]高频模块、滤波装置以及通信装置-CN202180079979.4在审
发明人：田上雄大;岩永穰;渡边敬 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：本发明提供一种能够确保能够进行同时通信的第一滤波器与第二滤波器之间的隔离性的高频模块。高频模块(1)具备安装基板(16)、第一滤波器(4F)、第二滤波器(4G)以及第三滤波器(4B)。安装基板(16)具有相互对置的第一主面(161)和第二主面。第一滤波器(4F)和第二滤波器(4G)能够进行同时通信，第三滤波器(4B)不用于使用第一滤波器(4F)和第二滤波器(4G)的同时通信。第一滤波器(4F)、第二滤波器(4G)以及第三滤波器(4B)安装于安装基板(16)的第一主面(161)。第一滤波器(4F)的第一基板、第二滤波器(4G)的第二基板以及第三滤波器(4B)的第三基板相互共用。在从安装基板(16)的厚度方向俯视时，第三滤波器(4B)配置于第一滤波器(4F)与第二滤波器(4G)之间。
高频模块滤波装置以及通信

[发明专利]高频模块-CN202180071841.X在审
发明人： 渡边敬 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：高频模块(1)具备：滤波器(61)，其用于频段A；滤波器(62)，其用于频段B；滤波器(63)，其用于频段C；滤波器(64)，其用于频段D；开关(51)，其具有与天线连接端子(100)连接的端子(511)、与滤波器(61、62)连接的端子(512)以及与滤波器(63、64)连接的端子(513)；低噪声放大器(21、23)，低噪声放大器(21、23)分别与滤波器(61、63)连接；以及低噪声放大器(22、24)，低噪声放大器(22、24)分别与滤波器(62、64)连接，其中，滤波器(61、63)包括于被配置在模块基板(91)的主面(91a)的一个集成电路(81)，滤波器(62、64)包括于被配置在主面(91a)的一个集成电路(82)，在俯视时，集成电路(81)与低噪声放大器(21、23)至少有一部分重叠。
高频模块

[发明专利]高频模块-CN201880016507.2有效
发明人： 渡边敬 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：高频模块(1)的放大电路部(40)经由第一外部端子(41)安装于基板(10)，开关电路部(20)经由第二外部端子(22)安装于基板(10)，匹配电路部(30)经由第一端子(31)以及第二端子(32)安装于基板(10)。第一端子(31)与开关电路部(20)的第二外部端子(22)电连接，第二端子(32)与放大电路部(40)的第一外部端子(41)电连接。在从与基板(10)的一个主面(10a)垂直的方向观察的情况下，第一端子(31)与开关电路部(20)的第二外部端子(22)重合，另外，第二端子(32)与放大电路部(40)的第一外部端子(41)重合。
高频模块

[发明专利]存储器单元和存储器单元阵列-CN202180017026.5在审
发明人：冈干生;山口一树;木野将志;土井崇成;盛一正成;渡边敬;笠原则一 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本公开的存储器单元阵列包括布置在第一方向和与第一方向不同的第二方向上的多个存储器单元11。存储器单元11中的每一个包括电阻可变型的非易失性存储器元件和电连接到非易失性存储器元件的选择晶体管TR。选择晶体管TR在半导体层60中提供的活性区域80中形成。活性区域80的至少一部分与在半导体层60中提供的元件隔离区域81接触。元件隔离区域的表面81位于比活性区域80的表面低的位置。
存储器单元阵列

[发明专利]高频模块-CN201911324630.3有效
发明人：小野寺修一;渡边敬 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：提供小型的高频模块。高频模块(1)具备：基板(10)，具有安装面(11)；层叠部件(20)，配置于安装面(11)；以及布线(50)，层叠部件(20)包含：下段部件(30)；以及上段部件(40)，配置在下段部件(30)上，下段部件(30)具有与安装面(11)对置的下表面(31)以及与下表面(31)背对的上表面(32)、和设置于下表面(31)的连接端子(33)，上段部件(40)具有与上表面(32)对置的下表面(41)、和设置于下表面(41)的连接端子(43)，布线(50)设置于上表面(32)，并且，连接有连接端子(43)。
高频模块

[发明专利]高频电路以及通信装置-CN201880063212.0有效
发明人：浪花优佑;武藤英树;西川博;渡边敬;板桥明子 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：高频电路具备基板(20)、配置于基板的第一主面的第一端子(50a)、配置于第一主面的第二端子(50b)、配置于第一主面或者基板内的第一安装部件(30)、以及配置于与第一主面对置的基板的第二主面的第二安装部件(32)，输入至第一端子的高频信号被传输为经由配置于基板内的布线，在第一主面和配置于第二主面的第二安装部件中往复1周以上并从第二端子输出。
高频电路以及通信装置

[发明专利]高频模块以及通信装置-CN202010052287.8有效
发明人： 渡边敬 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高频模块，具备，多层基板(81)，在主表面设置有开关IC；输入开关(15)，配置于开关IC，具有第一输入端子(151)以及第一输出端子(152～155)；输出开关(16)，配置于开关IC，具有第二输入端子(162～165)以及第二输出端子(161)；以及滤波器，配置于开关IC的外部，与第一输出端子(152～155)以及第二输入端子(162～165)连接，在俯视多层基板(81)时，第一输入端子(151)以及第一输出端子(152～155)被配置为接近开关IC的外形的第一边，第二输入端子(162～165)以及第二输出端子(161)被配置为接近开关IC的外形的与第一边不同的第二边。
高频模块以及通信装置

[发明专利]高频模块以及通信装置-CN201610997655.X有效
发明人： 渡边敬 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高频模块，具备，多层基板(81)，在主表面设置有开关IC；输入开关(15)，配置于开关IC，具有第一输入端子(151)以及第一输出端子(152～155)；输出开关(16)，配置于开关IC，具有第二输入端子(162～165)以及第二输出端子(161)；以及滤波器，配置于开关IC的外部，与第一输出端子(152～155)以及第二输入端子(162～165)连接，在俯视多层基板(81)时，第一输入端子(151)以及第一输出端子(152～155)被配置为接近开关IC的外形的第一边，第二输入端子(162～165)以及第二输出端子(161)被配置为接近开关IC的外形的与第一边不同的第二边。
高频模块以及通信装置

[发明专利]高频开关以及通信装置-CN201780079101.4在审
发明人： 渡边敬 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2017-12-14 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H04B1/405 文献下载
摘要：高频开关(1)具备第一开关电路(10)和第二开关(23)，上述第一开关电路(10)具有第一共用端子(11)、至少2个第一选择端子(12a)和(12b)、选择性地连接第一共用端子(11)与至少2个第一选择端子(12a)和(12b)的每一个的第一开关(13)、以及切换第一共用端子(11)与接地的导通以及非导通的第一分路开关(14)，上述第二开关电路(20)具有与第一共用端子(11)连接的第二共用端子(21)、至少2个第二选择端子(22a)～(22d)、以及选择性地连接第二共用端子(21)与至少2个第二选择端子(22a)～(22d)的每一个的第二开关(23)。
共用端子选择端子开关电路选择性地连接高频开关第一开关分路开关通信装置接地非导通导通

[发明专利]高频模块以及通信装置-CN201611034757.8有效
发明人： 渡边敬 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2016-11-18 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够应对多频带化并且能够确保良好的传输特性的高频模块等。本发明的高频模块(1)具备：开关元件(40A、40B)；连接在开关元件(40A、40B)的一端与天线端子之间的第一信号路径(31A～31D)；与第一信号路径(31A～31D)连接且供多个高频信号中的一个通过的带通滤波器(30A～30D)；与第一信号路径(31A～31D)连接的第一匹配电路(20A～20C)；与开关元件(40A、40B)连接的第二信号路径(51A～51D)；以及与第二信号路径连接的第二匹配电路(50A～50D)，构成第一匹配电路(20A～20C)的任意部件与构成第二匹配电路的任意部件电磁耦合。
高频模块以及通信装置

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