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[发明专利]生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂-CN200410104615.5无效
发明人：嵯峨幸一郎;渡边广也;东友之 -专利权人：索尼株式会社;三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2004-12-22 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过包括下述步骤的方法：在基底上按序形成由氧化硅膜制造的牺牲层和结构层的膜沉积步骤；通过用处理流体蚀刻除去牺牲层，在基底与结构层之间形成空隙的空隙形成步骤，和清洗步骤，从而生产包括基底和经空隙在基底上形成的结构层的结构体，所述结构层充当微型可移动元件。通过使用含氟化合物、水溶性有机溶剂和水的超临界二氧化碳流体作为处理流体，采用小量处理流体，在短时间内除去牺牲层，且对结构体没有任何破坏。
生产结构方法氧化硅膜用蚀刻

[发明专利]清洗方法-CN200410033070.3无效
发明人：嵯峨幸一郎;渡边广也;东友之 -专利权人：索尼株式会社;三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2004-02-19 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：公开了一种使用超临界流体清洗具有微细结构的衬底的简单和可靠的方法。首先，衬底放置于处理室后密闭处理室。当压力/温度控制装置调节压力和温度时，气态二氧化碳从供应源引入处理室，且通过调整压力和温度引起相变以直接转变成超临界二氧化碳。其次，从供应源添加预定量叔胺化合物。提供超临界二氧化碳直到排出阀开启和处理室内部完全替换为超临界二氧化碳。将衬底浸入超临界二氧化碳预定时间进行清洗工序以除去粘附于衬底的外来物。此后，停止供应叔胺化合物和仅提供超临界二氧化碳在衬底上执行漂洗工序。最后，停止供应二氧化碳，排出超临界二氧化碳，使处理室内部温度和压力下降导致处理室内部的二氧化碳气化和衬底被超临界干燥。
清洗方法