专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]电荷供应构件及具备其的图像形成装置-CN201310292175.X有效
  • 高上爱;村田贵彦;清水克美;池麻希;森本加奈子 - 京瓷办公信息系统株式会社
  • 2013-07-11 - 2014-02-12 - G03G15/02
  • 本发明公开了一种电荷供应构件及具备其的图像形成装置。带电构件(41)具备:导电辊(42),具有设置成接触感光体(11)并面向感光体(11)的图像形成区域的第一区域部(La)、设置在该第一区域部(La)的长度方向的端部并面向感光体(11)的图像形成区域外的第二区域部(Lb),向感光体(11)供应电荷;轴部(43),由插在导电辊(42)内的金属材料构成,并通过电源(46)施加有电压。在与轴部(43)的外周面的第一区域部(La)及第二区域部(Lb)相应的部分,形成有镀覆处理有比轴部(43)离子化倾向小的金属的镀覆区域部(Ma),在与第二区域部(Lb)相应的部分,形成有局部未进行镀覆处理的非镀覆区域部(Mb)。
  • 电荷供应构件具备图像形成装置
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200910007504.5无效
  • 泽田和幸;原田裕二;庭山雅彦;金子佐一郎;清水克美 - 松下电器产业株式会社
  • 2009-02-11 - 2009-08-19 - H01L29/72
  • 本发明提供一种电力用半导体装置,可以确保足够的基板强度,同时,可以形成低导通电阻、高耐压,提高开关速度。它包括:形成在P型半导体基板(1)上的N型表面降场区(2);在半导体基板(1)上部、与表面降场区(2)相邻的P型基区(3);在基区(3)上、离开表面降场区(2)的N型发射极/源极区(8);在基区(3)上、与发射极/源极区(8)相邻的P型基极连接区(10);从发射极/源极区(8)上起、在基区(3)上和表面降场区(2)上形成的栅绝缘膜(6)和栅极(7);以及在表面降场区(2)上、离开基区(3)的P型集电区(4)。半导体基板(1)被导入了晶格缺陷,使得其电阻值变为由添加在半导体基板(1)的杂质浓度决定的电阻值的2倍以上。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]斯特林发动机-CN02828341.4无效
  • 清水克美;西直纪;村上治彦;细野俊昭 - 夏普株式会社
  • 2002-12-24 - 2005-06-01 - F25B9/14
  • 通过检测活塞(1)的冲程,并进行冲程控制以使其达到目标冲程,以此来避免活塞(1)和位移滑块(2)的碰撞,并且可以提高斯特林制冷机(40)的制冷能力。另外,由于在控制盒(30)的存储部(111)中存储有与斯特林制冷机(40)的运转状况相对应的目标冲程,所以能够以与运转状况相对应的目标冲程驱动线性马达(13)。因此,能够避免活塞(1)和位移滑块(2)的碰撞,并且进一步提高斯特林制冷机(40)的制冷能力。
  • 斯特林发动机

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