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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]N型单晶硅晶圆的制造方法-CN202180067920.3在审
发明人：阵祐徹宽;竹安志信;添田聪 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明是一种N型单晶硅晶圆的制造方法，包含从通过CZ法掺杂Al而制造出的N型单晶硅的块切取晶圆的步骤，其特征在于，预先求出所述N型单晶硅的寿命值、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆为止的天数、有无产生OSF之间的关系，基于所述关系确定关于所述N型单晶硅的所述块的、在切取出的所述晶圆中不产生OSF的、所述N型单晶硅的从制造结束到切取成所述晶圆的最长保管天数，在确定的最长保管天数之前从所述N型单晶硅的所述块中切取所述晶圆。由此，能够提供一种能够防止在PW中产生OSF的N型单晶硅晶圆的制造方法。
单晶硅制造方法

[发明专利]单晶硅提拉装置-CN202010096773.X有效
发明人：今井崇希;竹安志信;添田聪 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2020-02-17 - 公布日： 2021-12-31 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种单晶硅提拉装置，提高整流筒的密封性并降低单晶硅中的氧浓度。其具备：外筒，其以同心地包围提拉的单晶硅的方式配置于硅熔液上，且具有窗孔；内筒，其配置于所述外筒的内侧，且具有与所述窗孔对应的窗部；以及窗玻璃，其安装于所述窗部，并覆盖所述窗孔，其特征在于，还具备帽，其安装于所述内筒的上端，并与所述窗玻璃的上缘部接触，所述窗玻璃的下缘部及与其接触的所述内筒的缘部都具有所述窗玻璃为外侧的锥面形状，且所述窗玻璃利用所述帽的自重而能够沿着所述窗玻璃的下缘部和与其接触的所述内筒的缘部的接触面滑动，从而在安装有所述帽的状态下使所述窗玻璃与所述外筒的内表面紧密接触。
单晶硅装置

[发明专利]单晶提拉装置-CN201780067855.8在审
发明人： 添田聪;中川和也 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶提拉装置。掺杂剂供给单元具备：设置于腔室的外部并收纳掺杂剂且将其投入到腔室内的投入装置、设置于腔室的内部且对从投入装置投入的掺杂剂进行保持并使其升华的升华室、向该升华室导入载气的载气导入装置、以及将在升华室中升华了的掺杂剂与载气一起向原料熔液面吹送的吹送装置，吹送装置具备与升华室连结的管和多个吹送口，使升华了的掺杂剂经由管从多个吹送口向原料熔液面分散地吹送。由此，能够提供一种单晶提拉装置，当掺杂升华性掺杂剂时，能够以尽量短的时间高效地掺杂掺杂剂。
掺杂剂升华室吹送单晶提拉装置载气吹送装置投入装置原料熔液升华腔室掺杂收纳导入装置供给单元升华性连结室内外部

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201480062812.7有效
发明人： 添田聪;中野真二;池田光市 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2014-10-16 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明为一种单晶硅的制造方法，其是基于CZ法来制造N型单晶硅，所述CZ法具有使籽晶体取向坩埚中的硅熔液进行着液的引晶工序、以及之后提拉所述籽晶并使直径变细的缩颈工序，在该N型单晶硅的制造中，根据所述引晶时的温度与所述缩颈时的温度的差来预测所述硅熔液中的掺杂剂浓度，并基于该预测出的硅熔液中的掺杂剂浓度来控制提拉单晶的电阻率。由此，提供一种单晶硅的制造方法，其能够高效地制造所希望电阻率的单晶硅。
单晶硅制造方法

[发明专利]单晶硅的制造方法-CN201380064654.4有效
发明人： 添田聪;中野真二 -专利权人：信越半导体株式会社
申请日： 2013-11-11 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： C30B15/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅的制造方法，其是使籽晶与收纳于坩埚内并添加有掺杂物的原料熔融液接触，在形成锥部后，接着形成直体部，从而使电阻率为0.05Ωcm以下且结晶方位为(100)的N型单晶硅生长的基于切克劳斯基单晶生长法的单晶硅的制造方法，其特征在于，在所述锥部的形成过程中，调整θ的同时形成所述锥部，使在从所述单晶硅的直径方向观察时将所述单晶硅的成长方向与所述锥部的侧面所构成的锥角设为θ，将所述锥部的侧面的长度设为L时，θ为25°以上45°以下的区域的长度总和相对于该长度L为20％以下。由此，不降低成品率和生产率而能够切实地抑制有错位化。
单晶硅制造方法

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