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[发明专利]研磨液、研磨液套剂和基体的研磨方法-CN201680051930.7有效
发明人：阿久津利明;南久贵;岩野友洋;山下哲朗;青木雅子;深泽正人 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2016-06-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本申请的研磨液具有液态介质、磨粒和聚合物，所述聚合物具有官能团直接键合的第1分子链和从该第1分子链分支而成的第2分子链，所述官能团是选自由羧基、羧酸盐基团、羟基、磺基以及磺酸盐基团所组成的群中的至少一种。
研磨液套剂基体方法

[发明专利]研磨方法-CN201380013722.4有效
发明人：三岛公二;深泽正人;西山雅也 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2013-03-12 - 公布日： 2014-11-26 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及一种研磨方法，其具有以下工序：准备基板的工序，该基板具有(1)作为阻止层的氮化硅、和位于比该阻止层更靠近被研磨面侧位置的至少一部分(2)布线金属及至少一部分(3)绝缘材料；研磨工序，供给化学机械研磨液，对上述被研磨面侧的(2)布线金属及(3)绝缘材料进行研磨；以及停止研磨的工序，在(1)氮化硅露出且被完全除去之前停止研磨，其中，上述化学机械研磨液包含(A)(a)阴离子性且不包含疏水性取代基的单体与(b)包含疏水性取代基的单体的共聚物、(B)磨粒、(C)酸、(D)氧化剂及(E)液状介质，(B)成分具有在化学机械研磨液中为+10mV以上的ζ电位，(A)成分的共聚比(a)∶(b)以摩尔比计为25∶75～75∶25，且该化学机械研磨液的pH值为5.0以下。由此，能够以高研磨速度除去金属和层间绝缘膜，并且能够以高选择比对层间绝缘膜和阻止层进行研磨，从而制造尺寸精度高的半导体设备。
研磨方法

[发明专利]CMP用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法-CN201310241746.7有效
发明人：佐藤英一;太田宗宏;茅根环司;野部茂;榎本和宏;木村忠广;深泽正人;羽广昌信;星阳介 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自独立地为氢原子或1价的取代基。
cmp 研磨以及使用方法

[发明专利]CMP用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法-CN201310241712.8有效
发明人：佐藤英一;太田宗宏;茅根环司;野部茂;榎本和宏;木村忠广;深泽正人;羽广昌信;星阳介 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂、第2添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述第2添加剂为饱和单羧酸。
cmp 研磨以及使用方法

[发明专利]CMP用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法-CN201310241747.1无效
发明人：佐藤英一;太田宗宏;茅根环司;野部茂;榎本和宏;木村忠广;深泽正人;羽广昌信;星阳介 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种研磨液，其为含有研磨粒、第1添加剂和水的CMP用研磨液，所述第1添加剂为4－吡喃酮系化合物，该4－吡喃酮系化合物为下述通式（1）所表示的化合物，式中，X¹¹、X¹²和X¹³各自独立地为氢原子或1价的取代基，其中，所述研磨粒包含具有晶界的多晶氧化铈。
cmp 研磨以及使用方法

[发明专利]氧化硅用研磨剂、其用途以及研磨方法-CN201210434219.3有效
发明人：西山雅也;深泽正人;阿久津利明;榎本和宏;芦泽寅之助;大槻裕人 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、其用途以及研磨方法。本发明的氧化硅用研磨剂为用于研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，包括研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，所述多晶硅研磨抑制剂包括从聚乙烯吡咯烷酮或者含有乙烯吡咯烷酮的共聚物选出的聚乙烯吡咯烷酮类。
氧化研磨剂用途以及研磨方法

[发明专利]CMP研磨液、以及使用其的研磨方法和半导体基板的制造方法-CN201080051291.7无效
发明人：吉川茂;阿久津利明;深泽正人 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-09-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明的CMP研磨液的第1方式为，含有氧化铈粒子、具有炔键的有机化合物和水，具有炔键的有机化合物的含量以CMP研磨液总质量基准计为0.00001质量％以上0.01质量％以下。本发明的CMP研磨液的第2方式为，含有氧化铈粒子、具有炔键的有机化合物、使含有具有阴离子性取代基的乙烯基化合物作为单体成分的组合物聚合而得到的阴离子性高分子化合物或其盐、以及水，具有炔键的有机化合物的含量以CMP研磨液总质量基准计为0.000001质量％以上且不足0.05质量％。
cmp 研磨以及使用方法半导体制造

[发明专利]CMP研磨剂以及衬底的研磨方法-CN201110430594.6有效
发明人： 深泽正人;小山直之;仓田靖;芳贺浩二;阿久津利明;大槻裕人 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2005-07-20 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明为CMP研磨剂以及衬底的研磨方法。本发明的CMP研磨剂含氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水而成，水溶性高分子是，使用阳离子性偶氮化合物及其盐中至少一种作为聚合引发剂，使含有具有不饱和双键的羧酸及其盐中至少一种的单体自由基聚合，在末端导入了阳离子性偶氮化物形成的聚合物，阳离子性偶氮化合物及其盐为选自2，2’-偶氮双[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2’-偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-(-2-咪唑啉-2-基)丙烷]硫酸盐水合物、2，2’-偶氮双[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]盐酸盐、2，2’-偶氮双{2-[1-(2-羟乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}盐酸盐、2，2’-偶氮双[2-脒基丙烷]盐酸盐和2，2’-偶氮双(2-甲基丙酰胺肟)中的至少一种。
cmp 研磨剂以及衬底研磨方法

[发明专利]金属膜用研磨液及研磨方法-CN201110208059.6有效
发明人：田中孝明;深泽正人;野部茂;樱田刚史;筱田隆 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液包含磨粒、由甲基丙烯酸系聚合物构成的水溶性聚合物和水，其能够维持对层间绝缘膜的良好的研磨速度，同时抑制侵蚀和裂缝的发生，使得被研磨面的平坦性高。
金属膜研磨方法

[发明专利]CMP用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法-CN200980148395.7有效
发明人：佐藤英一;太田宗宏;茅根环司;野部茂;榎本和宏;木村忠广;深泽正人;羽广昌信;星阳介 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2009-12-10 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的CMP研磨液，含有研磨粒、添加剂和水，并且配合了满足规定条件的有机化合物作为添加剂。本发明的研磨方法，以表面上具有氧化硅膜的基板作为对象，并且具有一边向氧化硅膜和研磨垫之间供给上述CMP研磨液，一边通过研磨垫进行氧化硅膜的研磨的工序。
cmp 研磨以及使用方法

[发明专利]金属膜用研磨液及研磨方法-CN200880023332.4有效
发明人：田中孝明;深泽正人;野部茂;樱田刚史;筱田隆 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制侵蚀和裂缝的发生、被研磨面的平坦性高的金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液以及使用该金属膜用研磨液的研磨方法，其特征在于，该金属膜用研磨液包含磨粒、甲基丙烯酸系聚合物和水。
金属膜研磨方法

[发明专利]氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法-CN200910203503.8有效
发明人：西山雅也;深泽正人;阿久津利明;榎本和宏;芦泽寅之助;大槻裕人 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2006-11-09 - 公布日： 2009-10-21 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化硅用研磨剂、添加液以及研磨方法。本发明的研磨剂为用以研磨多晶硅上的氧化硅膜的研磨剂，含有研磨粒、多晶硅研磨抑制剂及水，作为所述研磨抑制剂，优选使用：炔系二醇的氧化乙烯加成物、具有炔键的水溶性有机化合物、烷氧基化直链脂肪醇中的任一种，或者聚乙烯吡咯烷酮或含有乙烯吡咯烷酮的共聚物。本发明的研磨剂于半导体制造方法中可高速研磨多晶硅膜上的氧化硅膜，并且在多晶硅膜露出时可抑制对多晶硅膜的研磨。
氧化研磨剂添加以及研磨方法

[发明专利]CMP研磨剂、CMP研磨剂用添加液以及使用了这些的基板的研磨方法-CN200780033479.7无效
发明人： 深泽正人;山岸智明;木村忠广;阿久津利明 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及CMP研磨剂、CMP研磨剂用添加液以及使用了这些的基板的研磨方法，所述CMP研磨剂含有氧化铈粒子、分散剂、水溶性高分子以及水，并且上述水溶性高分子含有以还原性无机酸盐和氧作为氧化还原聚合引发剂，将含有具有不饱和双键的羧酸及其盐中的至少一种的单体进行聚合所形成的聚合物。据此，在对层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜进行平坦化的CMP技术中，可以有效地进行氧化硅膜的研磨。
cmp 研磨剂添加以及使用这些研磨方法

[发明专利]CMP用研磨液-CN200780024845.2无效
发明人：野部茂;筱田隆;樱田刚史;田中孝明;大森义和;木村忠广;深泽正人 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2007-07-03 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明涉及包含磨粒、和锯齿及裂缝抑制剂的CMP用研磨液，锯齿及裂缝抑制剂是选自聚羧酸、聚羧酸衍生物和含有羧酸的共聚物中的至少一种。根据本发明可以提供抑制配线部附近的绝缘膜被过度研磨的锯齿现象、裂缝现象，并且被研磨面的平坦性高的CMP用研磨液。
cmp 研磨

[发明专利]绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件-CN200780003934.9无效
发明人： 深泽正人;榎本和宏;山岸智明;小山直之 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2007-01-31 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供一种在使层间绝缘膜、BPSG膜、浅沟槽隔离用绝缘膜或配线间的绝缘膜层平坦化的CMP技术中，能够高效并且高速地进行SiO₂膜或SiOC膜等绝缘膜研磨的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的方法以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。含有氧化铈粒子、分散剂、侧链上具有氨基的水溶性高分子和水的绝缘膜研磨用CMP研磨剂，使用该研磨剂进行研磨的研磨方法，以及通过该研磨方法进行研磨的半导体电子部件。
绝缘研磨 cmp 研磨剂方法通过半导体电子部件

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