“深圳砺芯半导体有限责任公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果14个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]恒流控制电路及恒流驱动模块-CN202310851231.2在审
发明人：朱小安;梁育;邵宇;黄宇 -专利权人： 深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本发明公开一种恒流控制电路及恒流驱动模块，应用于恒流驱动模块，所述恒流驱动模块包括驱动电路，比较器，所述比较器与所述驱动电路连接，第一电容，所述第一电容与所述比较器的正极输入端连接；其中恒流控制电路包括放大电路和控制模块；放大电路具有负极输入端、输出端和用于接入参考电压的正极输入端；控制模块与放大电路电连接，并用于在确定所述恒流驱动模块处于启动状态时，控制所述放大电路将参考电压按照预设倍数幅值处理后输出。本发明旨在减少恒流驱动模块的启动时间，加快恒流驱动模块的启动速度。
控制电路驱动模块

[发明专利]高精度恒流控制电路、开关电源和照明设备-CN202310646985.4在审
发明人：黄宇;朱小安;邵宇;梁育 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H02M1/38 文献下载
摘要：本发明公开一种高精度恒流控制电路、开关电源和照明设备，其中，所述高精度恒流控制电路包括：误差采样电路，其第一输入端与所述开关管的输出端连接，其第二输入端用于接入第一基准电源，用于采集流经所述电感的平均电流，并根据所述平均电流与所述第一基准电源之间的偏差，输出对应的误差检测信号；关断时长调制电路，用于根据所述误差检测信号调节所述开关管在每一工作周期内的关断时长，以将流经所述电感的平均电流值调节至预设电流值；本发明技术方案旨在解决当开关电源受到输入输出电压的影响，使得输出电流产生波动，导致开关电源的恒流精度较差的问题。
高精度控制电路开关电源照明设备

[发明专利]工作在DCM模式下的恒流电路、开关电源和照明设备-CN202310647038.7在审
发明人：黄宇;朱小安;邵宇;梁育 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2023-06-01 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H05B45/345 文献下载
摘要：本发明公开一种工作在DCM模式下的恒流电路、开关电源和照明设备，其中，所述工作在DCM模式下的恒流电路包括：误差采样电路，其第一输入端与所述开关管的输出端连接，其第二输入端用于接入基准电源，用于采集流经所述电感的平均电流，并根据所述平均电流与所述基准电源之间的偏差，输出对应的误差检测信号；有效占空比调制电路，其第一采样端与所述误差采样电路的输出端连接，其第二采样端用于与所述第一开关管电连接，其输出端用于接入所述驱动模块；本发明技术方案提高开关电源中电感工作的稳定性，进而提高开关电源的工作性能和可靠性。
工作 dcm 模式流电开关电源照明设备

[发明专利]一种电压降修复方法、装置、设备及存储介质-CN202310548407.7在审
发明人：姜旋;梁育;叶平平;邵宇 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路设计技术领域，公开一种电压降修复方法、装置、设备及存储介质。本发明基于预设方式调整集成电路的Bump排列获得排列后集成电路；获取排列后集成电路的RC寄生参数，基于RC寄生参数进行电压降分析，获得电压降分析结果；基于电压降分析结果对排列后集成电路进行物理版图优化和电压降违例修复，获得修复后集成电路；为修复后集成电路提供供电点，降低电压降。由于是通过调整Bump排列，再根据排列后集成电路的RC寄生参数进行电压降分析，根据电压降分析结果进行物理版图优化和电压降违例修复，降低了集成电路的电压降，并通过提供供电点进一步降低动态电压降，操作方便迅速，提高了设计效率，缩短了核签时间的问题。
一种电压修复方法装置设备存储介质

[发明专利]一种集成电路硬件木马检测方法、装置、设备及存储介质-CN202310548897.0在审
发明人：史龙飞;朱小安;邵宇;梁育 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06F21/56 文献下载
摘要：本发明涉及集成电路安全技术领域，公开一种集成电路硬件木马检测方法、装置、设备及存储介质。该方法根据门级网表和库文件获取待检测电路的可控性度量值；基于可控性度量值进行聚类分析，确定待检测电路的难控类别；根据待检测电路的难控类别、基本元素数量、与门数量和或门数量进行多特征融合获得待检测电路的多维特征向量；基于预设支持向量机模型对多维特征向量进行检测从而判断待检测电路是否被植入硬件木马。由于是根据待检测电路的难控类别等特征进行特征融合，通过预设支持向量机模型对融合后的多维特征向量进行检测，将传统的硬件木马检测问题转换为通过机器学习对待检测电路进行电路分类的问题，实现了对待检测电路快速、准确地分类。
一种集成电路硬件木马检测方法装置设备存储介质

[发明专利]一种信号线布线方法、装置、设备及存储介质-CN202310548873.5在审
发明人：史龙飞;朱小安;梁育;邵宇 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本发明涉及芯片设计技术领域，公开一种信号线布线方法、装置、设备及存储介质，该方法通过功耗权重和估算时序权重确定信号线的第一布线权重再进行第一次布线，再基于库文件和工艺文件对芯片内电路的电路版图进行寄生参数提取，从而确定信号线的第二布线权重，准确地获取了信号线的布线权重，有效地缩短了信号线的走线长度，降低了芯片功耗与拥塞程度。解决了现有技术中因为难以对信号线进行准确地加权而可能出现的过度地优化关键信号的走线长度，导致芯片整体时序恶化，造成芯片走线拥塞，布局布线难以完成等问题。
一种信号线布线方法装置设备存储介质

[发明专利]引线生成方法、装置、设备及存储介质-CN202110707310.7有效
发明人：叶平平;朱小安;邵宇;易永财 -专利权人： 深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G06F30/394 文献下载
摘要：本发明涉及EDA设计技术领域，公开一种引线生成方法、装置、设备及存储介质。本发明通过获取预设图形绘制窗口中展示的待处理器件的坐标信息，坐标信息包括待处理器件的引脚坐标、待处理器件的展示边框的对角坐标；根据对角坐标确定待处理器件的边框坐标方程；根据引脚坐标和边框坐标方程确定待处理器件的引脚对应的引线端点坐标；对引线端点坐标和引脚坐标进行连线，以获得待处理器件的引脚对应的引线。本发明通过获取待处理器件的坐标信息，然后根据坐标信息确定边框坐标方程，再确定引线的端点坐标，从而生成引线，相较于现有技术中需要根据电路符号的管脚名称手动标注引线，上述方式能够精准地自动生成引脚对应的引线，从而提高工作效率。
引线生成方法装置设备存储介质

[发明专利]功耗优化方法、装置、设备及存储介质-CN202310126722.0在审
发明人：姜璇;梁育;关凯静;叶平平 -专利权人：西安电子科技大学广州研究院;深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2023-02-15 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明公开了一种功耗优化方法、装置、设备及存储介质，该方法包括：基于目标集成电路的预设RTL设计文件，获得RTL backward SAIF文件，将RTL backward SAIF文件读入预设后端设计软件以对目标集成电路进行时序单元布局；在进行时序单元布局时，基于RTL backward SAIF文件和预设功耗驱动优化命令对目标集成电路进行功耗优化。本发明可基于预设RTL设计文件生成RTL backward SAIF文件，再通过RTL backward SAIF文件获得预设RTL设计文件的开关行为情况，然后基于RTL backward SAIF文件和预设功耗驱动优化命令进行功耗分析，最后通过开关行为情况和功耗分析结果将目标集成电路中翻转率高的时序单元聚拢配置，从而降低目标集成电路的功耗。
功耗优化方法装置设备存储介质

[发明专利]一种用于ESD防护的双向双回滞SCR器件及设备-CN202110723191.4有效
发明人：叶平平;朱小安;邵宇;易永财 -专利权人： 深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于ESD防护的双向双回滞SCR器件及设备。SCR器件包括：N型外延、第一P阱区、第二P阱区、第一N+接触区、第二N+接触区、第一二极管及第一电极；第一P阱区与第二P阱区均位于N型外延上方，且第一P阱区与第二P阱区隔离设置，第一N+接触区位于第一P阱区内部上方，第二N+接触区与第一N+接触区隔离设置，且第二N+接触区部分位于第一P阱区及N型外延，第一二极管的负极连接第二N+接触区，第一二极管的正极连接第一电极。由于第二N+接触区及第一二极管，使得器件通过第一次弱回滞得到高维持电压，从而避免了闩锁现象，第二次强回滞得到低维持电压，从而降低了SCR器件的功耗，提高了SCR器件的鲁棒性。
一种用于 esd 防护双向双回滞 scr 器件设备

[发明专利]器件及线网移动方法、装置、设备及存储介质-CN202110971656.8在审
发明人：程家贵;叶平平;朱小安;邵宇 -专利权人： 深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G06F30/12 文献下载
摘要：本发明涉及EDA设计技术领域，公开了一种器件及线网移动方法、装置、设备及存储介质。本发明通过获取预设图形绘制窗口中展示的待移动器件的端口信息，然后根据端口信息确定待移动器件的端口中心点信息，然后根据端口信息和端口中心点信息确定线网范围，再获取线网范围内与待移动器件的端口连接的所有引线，并对待移动器件和所有引线进行移动。本发明根据端口信息和端口中心点信息确定线网范围，再获取线网范围内的所有引线，能够精确得到与端口连接的所有引线，再对待移动器件和所有引线同时进行移动，相较于现有技术中需要将器件和线网同时选中才能移动，本发明上述方式在选中器件时，器件和线网会同时被选中，从而能够同时移动器件和线网。
器件移动方法装置设备存储介质

[实用新型]无极调光调色控制电路、芯片及LED设备-CN202121043807.5有效
发明人：朱小安;陈伟;王强;梁育 -专利权人： 深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-05-17 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H05B45/10 文献下载
摘要：本实用新型公开一种无极调光调色控制电路、芯片及LED设备，涉及LED照明技术领域。无极调光调色控制电路包括依次连接的功能选择模块、调光调色控制器及输出控制模块，其中，功能选择模块、调光调色控制器及输出控制模块均为集成模块，输出控制模块与发光设备连接，功能选择模块接收色温调节信号及亮度调节信号，将色温调节信号及亮度调节信号发送至调光调色控制器，调光调色控制器根据色温调节信号及亮度调节信号生成开关调节信号，将开关调节信号发送至输出控制模块，输出控制模块接收开关调节信号，以根据开关调节信号控制发光设备显示对应的色温与亮度，内部集成模块操作简单，提高电路实用性。
无极调光调色控制电路芯片 led 设备

[实用新型]LED灯色温调节芯片以及LED灯控制电路-CN202120273549.3有效
发明人：朱小安;陈伟;王强;梁育 -专利权人： 深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H05B45/20 文献下载
摘要：本实用新型公开一种LED灯色温调节芯片和LED灯控制电路，其中LED灯色温调节芯片，包括：主控电路、供电电路以及结型场效应晶体管，主控电路的多个输出端与多路LED灯一一对应连接，主控电路的供电端与供电电路连接，供电电路的输入端与结型场效应晶体管的第二端连接，结型场效应晶体管的第一第一端用于接入电源电压。本实用新型利用结型场效应晶体管，将高电压值的电源电压，进行降压处理，转换成低电压值的电压后输出至供电电路，从而实现了供电电路对外的高压隔离，提升了LED灯色温调节芯片的耐压特性。有利于减小LED灯色温调节电路的体积，提升LED灯色温调节电路的稳定性。
led 色温调节芯片以及控制电路

[实用新型]恒流驱动电路、芯片及LED设备-CN202121227221.4有效
发明人：朱小安;陈伟;王强;梁育 -专利权人： 深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H05B45/345 文献下载
摘要：本实用新型公开一种恒流驱动电路、芯片及LED设备，涉及LED照明技术领域。恒流驱动电路包括依次连接的高压功率管、高精度采样模块、恒流驱动模块及高压启动模块，其中，高压功率管、高精度采样模块、恒流驱动模块及高压启动模块均为集成模块，高精度采样模块与高压启动模块连接，高压功率管分别与恒流驱动模块及发光电路连接，高压启动模块为恒流驱动电路提供直流工作电压，高精度采样模块对流经高压功率管的输出电流进行采样，生成采样信号，恒流驱动模块生成驱动信号，根据驱动信号控制高压功率管导通或关闭，实现对所述发光电路的恒流控制，无需去耦电容和辅助绕组实现恒流控制，采用内部集成模块，减小电路成本和体积，提高电路实用性。
驱动电路芯片 led 设备

[发明专利]用于正负电源ESD保护的抗闩锁复合器件-CN202110723352.X在审
发明人：叶平平;朱小安;邵宇;易永财 -专利权人： 深圳砺芯半导体有限责任公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，公开一种用于正负电源ESD保护的抗闩锁复合器件。在本发明中，所述抗闩锁复合器件包括：保护电路和ESD防护结构；所述ESD防护结构的第一端与所述保护电路的负电源端口连接，所述ESD防护结构的第二端与所述保护电路的正电源端口连接，所述ESD防护结构的第三端与所述保护电路的地电位端口连接；所述ESD防护结构，用于对所述保护电路任意两个端口输出的ESD电流进行泄放。通过保护电路和ESD防护结构构成复合器件，并且ESD防护结构能够提供任意两个电源端口进行抗闩锁的ESD通路，相较于现有技术中的多ESD二极管的方案，能够简化ESD防护结构，从而显著减少复合器件的版图面积。
用于正负电源 esd 保护抗闩锁复合器件

1
共 14 条