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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]兼具绝缘与散热的电阻炉用电极结构-CN202320437830.5有效
发明人：李文新;姚永兴 -专利权人： 深圳市国碳半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： F27D11/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种兼具绝缘与散热的电阻炉用电极结构，装配于炉腔内，包括电极主体和绝缘套，其中，电极主体的第一端与功率元件电连接，第二端则探出于炉腔的内壁，且延伸连接至加热体；绝缘套套设于炉腔与加热体之间的电极主体上；其中，电极主体的柱面开设有多组的条槽，多组条槽的槽口位于电极主体的第二端上，绝缘套的内壁设有与条槽相嵌合的凸条；通过绝缘套以对电极主体进行包覆，进而与气体媒介形成隔绝，在高温阶段，能有效避免电离现象的发生；且通过位于凸条与条槽相适配贴合，电机主体与绝缘套接触的面积增多，进而获得的更好的散热效果，进一步的增强了电阻炉升温工作的可靠性，能够为碳化硅的生长提供一个更为适宜的环境。
兼具绝缘散热电阻炉用电结构

[发明专利]一种碳化硅电阻长晶炉用电极胶的制备方法及应用方法-CN202310223586.7在审
发明人：李文新;姚永兴 -专利权人： 深圳市国碳半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅电阻长晶炉用电极胶的制备方法及应用方法，通过将氧化石墨烯粉碎后制成氧化石墨烯水溶液；在氧化石墨烯水溶液中添加碳纤维均匀混合得到混合溶液；向混合溶液中加入HI，搅拌均匀后放入烘箱中加入静置后冷冻干燥；最后高温碳化后粉碎形成石墨粉；将环氧树脂胶与石墨粉混合制备成导电胶，将导电胶涂抹在电极板和加热器中的石墨件之间，并加热使其固化，在石墨件接触处形成导电的紧密连接，从而避免了石墨件之间低压大电流接触不良所形成的打火烧蚀现象出现，提高了石墨件之间连接的可靠性，大大降低了长晶炉的故障率，节约了维护保养成本。
一种碳化硅电阻长晶炉用电制备方法应用

[发明专利]碳化硅晶体生长电阻炉用电极结构-CN202310223584.8在审
发明人：李文新;姚永兴 -专利权人： 深圳市国碳半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： F27D11/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅晶体生长电阻炉用电极结构，装配于炉腔内，包括电极主体和绝缘套，其中，电极主体，电极主体的第一端与功率元件电连接，第二端则探出于炉腔的内壁，且延伸连接至加热体；绝缘套套设于炉腔与加热体之间的电极主体上；通过绝缘套以对电极主体进行包覆，进而与气体媒介形成隔绝，在高温阶段，能有效避免电离现象的发生，使得升温的速度不受影响，增强整体升温工作的可靠性，应用于电阻炉设备，能够为碳化硅的生长提供一个更为适宜的环境。
碳化硅晶体生长电阻炉用电结构

[发明专利]一种大尺寸碳化硅单晶生长方法及装置-CN202310253972.0在审
发明人：李文新;姚永兴 -专利权人： 深圳市国碳半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-09 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明为一种大尺寸碳化硅单晶生长方法及装置，包括保温层、石墨坩埚、第一加热装置、第二加热装置，将石墨坩埚放置在保温层的空腔内，石墨坩埚包括结晶区和原料气化区，石墨坩埚的外表面还设有第一加热装置和第二加热装置，分别对原料气化区和结晶区加热，通过控制装置控制第一加热装置和第二加热装置分别对原料气化区和结晶区进行单独加热，使得原料气化区的第一温度场和结晶区的第二温度场的温度更加容易控制，而且控制的更加精准，并防止籽晶表面的石墨化。其次在保温层的顶部设置多组偏心设置的散热孔，不仅使得保温层内的热量能够有效散失，起到增大轴线温度梯度的作用，而且对籽晶边缘部的散热效果更佳，进一步减小了径向温度梯度。
一种尺寸碳化硅生长方法装置

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