专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材及制备方法-CN202110146360.2有效
  • 陈杰;齐超;孙本双;淮志远;何季麟 - 郑州大学
  • 2021-02-03 - 2023-01-20 - C04B35/457
  • 本发明提供了一种氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材及制备方法,其原料按照质量百分比,由氧化锡及氧化镓高纯纳米粉末组成,其组分比例为氧化镓2~10%,氧化锡90~98%。粉末称量混合后加入聚丙烯酸铵,聚乙烯醇及纯水,混合浆料经球磨后造粒干燥,得到混合粉末依次使用油压机、等静压机压制成型,之后使用脱脂‑多步烧结一体化烧结技术在不同烧结温度下制备了氧化镓掺杂氧化锡陶瓷靶材。本发明掺杂的氧化镓有效提高了氧化锡陶瓷的烧结性能,显著提升了氧化锡陶瓷靶材的致密度,同时通过制备工艺的有效控制,获得了组织均匀且晶粒细小的氧化镓掺杂氧化锡靶材。
  • 一种氧化掺杂陶瓷制备方法
  • [发明专利]InGaZnO4-CN202110804915.8在审
  • 陈杰;滕晓朋;孙本双;淮志远;何季麟 - 郑州大学
  • 2021-07-16 - 2021-10-08 - C01G15/00
  • InGaZnO4单相纳米粉体的制备方法,包括:摩尔比为1:1:1的金属铟颗粒、金属镓颗粒和金属锌颗粒放入容器中,将质量浓度为50~60%的硝酸溶液分次加入容器中,得到离子浓度为0.1~0.6mol/L的金属离子溶液;向金属离子溶液中滴加沉淀剂,溶液pH小于4时,搅拌速度控制在400~450rpm之间;溶液pH在4~4.5之间时,停止滴加沉淀剂,保持反应0.5~1小时;溶液pH在5.5~6之间时,停止滴加沉淀剂,保持反应0.5~1h;pH大于6时,搅拌速度控制在450~500rpm之间;pH大于7.5~8.8时,停止滴加沉淀剂,持续搅拌1~2h,然后在室温下老化18~24h;洗涤干燥得到粉体前驱体;将粉体前驱体两次煅烧,即得InGaZnO4单相纳米粉体。
  • ingaznobasesub

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