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[发明专利]具有抗反射层的触控面板-CN201410382874.8在审
发明人：林仲相;李康源 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2014-08-06 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种触控面板包含：一具有一内表面及一用以供使用者触摸的外表面的透光硬质窗口屏，及一固设于该透光硬质窗口屏的内表面的触摸感测模块用以侦测用户触摸该外表面的至少一触摸位置。该透光硬质窗口屏的外表面形成有一抗反射层，该抗反射层包括多个由该外表面往外凸伸且排列成准光子晶体结构的凸柱。借由在本发明触控面板的透光硬质窗口屏形成具有抗反射层的外表面，能够消除现有触控面板时间后易被刮伤、龟裂或变形，及多层结构较为复杂的缺点。
具有反射层面板

[发明专利]一种晶圆接合的晶粒制程方法-CN201110033392.8无效
发明人：廖奇德;谢吉勇 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明一种晶圆接合的晶粒制程方法,主要提供一种减少材料浪费，并降低加工成本的晶圆接合的晶粒制程方法。所述晶圆接合的晶粒制程方法利用蒸镀技术于晶圆的其中一面及一永久基板的接合面分别建构一第一金属蒸镀层及一第二金属蒸镀层，再利用化学电镀技术分别于第一金属蒸镀层及一第二金属蒸镀层上建构一第一金属接合层及一第二金属接合层；最后将第一金属接合层与第二金属接合层相贴合，并施以高温令其熔融接合，再将该晶圆的磊晶基板完全移除，即完成晶圆接合作业。
一种接合晶粒方法

[发明专利]适用于覆晶封装的发光二极管结构及其制造方法-CN200610082598.9有效
发明人：吴伯仁;吴美慧;陈建安;张源孝 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2006-05-18 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种发光二极管结构及其制造方法，发光二极管可使用覆晶封装结构。包含：提供一发光二极管结构，形成一导体强化层在该发光二极管结构上，并且与该发光二极管结构的p极接触与n极接触电性地连接；形成一凸块区域定义层在该导体强化层上，其中该凸块区域定义层之间有两个电极区域；形成两个凸块垫在该两个电极区域上，且与该导体强化层电性地连接；移除该凸块区域定义层；以及选择性移除暴露的该导体强化层，使得该两凸块垫之间电性地隔离。
适用于封装发光二极管结构及其制造方法

[发明专利]制作垂直导通型氮化物光电组件的方法-CN200410062780.9无效
发明人：陈乃权;张本秀;施权峰;邱安平;邓顺达 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司;陈乃权
申请日： 2004-07-09 - 公布日： 2006-01-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种制作垂直导通氮化物光电组件的方法，该方法为借助金属欧姆接触将氮化物半导体与导电性基板连接。利用此一方法不但可以降低组件与基板之间的串联电阻、降低操作电压，增加组件的寿命，且同时可以提高组件横向传导的效率等等。此法可应用在发光二极管、激光二极管、光检测器等半导体组件中。
制作垂直导通型氮化物光电组件方法

[发明专利]提高发光效益的发光元件结构-CN200410047201.3无效
发明人：吴伯仁;陈建安;吴美慧;张源孝 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H05B33/22 文献下载
摘要：一种具有提高发光效益的发光元件结构，其通过具有不同折射率(refractive index)的底材或粗化底材，使得发光元件所发出射入此底材内部的光线，因不同折射率的反射或粗化表面的散射而改变光线的行经路径，藉此增加光线射透出底材的机率。其更可以通过具有复数个几何形状的开孔的透明电极层，使得发光元件内部的光线可直接经由此等开孔射出，以避免光线在穿透透明电极层时，所产生的衰减或是被电极层所阻挡，藉此增加发光元件的发光效益。
提高发光效益元件结构

[发明专利]形成晶粒封装保护层的方法-CN200410030108.1无效
发明人：吴伯仁;吴美慧 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2004-03-19 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成晶粒封装保护层的方法，本发明的方法至少包含下列基本步骤：提供一具有多个晶粒的一第一表面或一第二表面的晶片，形成透光封装保护层以完全覆盖晶片的第二表面或第一表面(相对于晶粒所在表面的表面)，本发明是直接对晶片中的晶粒进行透光封装保护层的形成方法。
形成晶粒封装保护层方法

[发明专利]形成具有金属基板的发光二极管的方法-CN200410001369.0无效
发明人：吴伯仁;吴美慧;陈建安;张源孝 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2004-01-07 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种形成具有金属基板的发光二极管的方法，在暂时基板上依序形成发光二极管磊晶层及第一电极层。然后，形成一金属永久基板于第一电极层之上并移除该暂时基板，使发光二极管磊晶层的一表面露出。形成复数个第二电极于发光二极管磊晶层的上述表面上。最后，切割金属永久基板、第一电极层及发光二极管磊晶层，以形成复数个发光二极管。
形成具有金属发光二极管方法

[发明专利]发光元件的电极结构-CN200310120617.9有效
发明人：吴伯仁;吴美慧;张源孝;陈建安 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明利用六边形可布满整个平面几何特性，提供一种以六边形为架构所形成发光元件的电极结构。该结构包括：一第一电极，该电极包括复数个彼此平行的第一指状部分、连接部分与接触部分；以及一第二电极，此第二电极包括复数个彼此平行的第二指状部分、连接部分与接触部分。第二指状部分与第二连接部分组成每一六边形单元四个共边，且每一六边形单元与其它两个边延伸至每一六边形单元几何中心。本发明利用六边形相互对称的几何图案，使整个芯片平面做最有效的面积利用，以改进发光元件因非对称性电极结构所导致的面积利用问题。
发光元件电极结构

[发明专利]发光二极管元件与其形成方法-CN200310123254.4无效
发明人：林照晃;吴伯仁 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2003-12-19 - 公布日： 2005-06-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明揭露了一种发光二极管元件与其形成方法。此发光二极管元件具有菱形轮廓，其电极位于菱形较长的对角线两端，因此其电极距离较远且发光面积仍够大。因形成菱形轮廓且顺着基板的自然劈裂面进行，使制造过程中的合格率大为提高。此外，该发光二极管元件并可以做成较小的覆晶封装元件。
发光二极管元件与其形成方法

[发明专利]形成光电元件的方法-CN200310102627.X有效
发明人：吴伯仁 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种以一低温制程形成光电元件的方法，通过一低温制程，在低温的环境下于光电层上形成导电元件，以便使用一般黏合剂黏合底材与光电层，以维持甚至提升发光效率。
形成光电元件方法

[发明专利]活化P－型半导体层的方法-CN03106368.3无效
发明人：吴伯仁;易乃冠;张源孝 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2003-02-26 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种活化P－型半导体层的方法，主要是利用一电浆来活化P－型半导体层中的掺质，上述电浆的气体源至少包含一含有第VI族元素的气体，使用根据本发明的电浆来活化的P－型半导体层可以发挥与现有技术中使用热效应来活化的P－型半导体层相似的效能，故本发明可以对于P－型半导体层提供一种除了热效应的外的活化方法，此外，在使用一电浆来活化P－型半导体层的过程中，在半导体结构中的其它部分并不会受上述电浆影响而发生副反应，换言之，本发明的方法在活化P－型半导体层的过程中，不会对半导体结构的其它部分产生不必要的影响，因此，提供了一种可以电浆取代热效应的活化方法。
活化半导体方法

[发明专利]AlGaInP发光二极管组件-CN02148018.4有效
发明人：陈乃权;周以伦;易乃冠 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2002-10-22 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可提高发光强度的AlGaInP发光二极管组件，包括一半导体基底、一再发光层、具一第一掺质浓度的一AlGaInP层、具小于第一掺质浓度的一第二掺质浓度的一AlGaInP下局限层、一未掺杂AlGaInP主动层、一AlGaInP上局限层、一窗户层、一环形顶部电极于窗户层上及一层状底部电极于半导体基底下方，此再发光层包含至少一由此再发光层形成的第一区域及由Al₂O₃形成的一第二区域，此第二区域包围第一区域，由于介于AlGaInP下局限层与再发光层之间的AlGaInP层的第一掺质浓度大于AlGaInP下局限层的第二掺质浓度，此AlGaInP层可提供横向导通能力，此Al₂O₃第二区域同时可将照射于其上的光线完全反射回去，因此，本发明的AlGaInP发光二极管组件可提高发光强度。
algainp 发光二极管组件

[发明专利]类似覆晶型的发光二极管组件封装-CN02148020.6无效
发明人：吴伯仁 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2002-10-22 - 公布日： 2004-04-28 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种类似覆晶型的发光二极管组件封装，其包括具有包含一凹部的一第一表面的一透明基板及一置放于此凹部内的一发光二极管，此发光二极管仿一覆晶型晶粒发光方向地向下朝透明基板发光，因此其发光不会被形成于发光二极管上方的一焊接垫挡住，由此，可增加发光面积，进而提高发光强度，再者，此发光二极管置放于透明基板的凹部，故又可降低封盖此发光二极管的一封胶厚度。
类似覆晶型发光二极管组件封装

[发明专利]发光二极管结构-CN02128513.6有效
发明人：郭立信 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2002-08-09 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管结构，特别是一种以化合物半导体材料制成的发光二极管，光由多重量子井结构的主动区域发射出来，主动区域被上下两层的InGaAlP与上层的包覆层以三明治型态包覆，主动区域的发光效率可在发光二极管中增加光线与电子反射层而获得加强，InGaAlP的磊晶层是用有机金属气相磊晶法(OMVPE)在具有一薄厚度的GaAs底材上，其中此底材具有良好的组件可行性、亮度、以及发光效率，并以倾斜角度<111>A来成长以改善磊晶层的品质和磊晶表面的平滑度及发光效率。
发光二极管结构

[发明专利]发光二极管装置的透光层及其制作方法-CN02140942.0无效
发明人：张连璧;郭立信;谢立人;张力元 -专利权人： 洲磊科技股份有限公司
申请日： 2002-07-10 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管装置中的透光层及其制作方法，本发明主要是揭露一种经过改良的液相磊晶法(LPE)，并用以形成一发光二极管的透光层，在上述的液相磊晶法中，可以由使用一种经过改良的过饱和溶液来克服在现有技术中的许多缺点，上述的过饱和溶液使用锑(Sb)，或锑与铟(In)，来作为溶剂，此外，在上述的过饱和溶液中可以加入金属锌(Zn)与/或镁(Mg)作为掺质，以提升所形成的透光层的性质，所以，本发明可以提供一种更有效率的形成透光层的方法，进而可以改善在发光二极管上的透光层的性质。
发光二极管装置透光及其制作方法

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