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[发明专利]具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池及其制造方法-CN201410045037.6无效
发明人：戴煜暐;陈伟铭;洪传献 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2014-02-07 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种具掺杂碳化硅层的结晶硅太阳能电池及其制造方法，所述太阳能电池包括具有粗糙化的第一表面的半导体基板；一设置于所述第一表面的掺杂碳化硅层，所述掺杂碳化硅层包含一掺杂元素；一抗反射层；多个设置于所述抗反射层上且穿透所述抗反射层的正面电极；以及设置于所述半导体基板第二表面的背面电极层。掺杂碳化硅层由于具有与半导体基板的掺杂型反向的掺杂以及碳化硅成分，具有低电阻及宽能隙特性，因此所述掺杂碳化硅层可作为太阳能电池的射极，且掺杂碳化硅层对太阳光的吸收较少，可增加进入半导体基板的光量，进而提升太阳能电池的光电转换率。
掺杂碳化硅结晶太阳能电池及其制造方法

[发明专利]光电转换装置及其光电转换元件-CN200610149963.3有效
发明人： 洪传献;温志中;许国强;李慧平 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2006-10-19 - 公布日： 2008-04-23 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本发明是有关于一种光电转换装置及其光电转换元件。一种光电转换元件是与一第一电极与一第二电极电性连接，该光电转换元件是包含一第一半导体层、一第二半导体层以及一金属层。其中，第二半导体层是与第一半导体层相连接，金属层是设置于第二半导体层的一侧，金属层是具有至少一第一沟槽与至少一第二沟槽，第一沟槽是将金属层区分为复数个区块，第二电极是设置于第二沟槽内。
光电转换装置及其元件

[发明专利]光电转换装置及其制作方法与电极-CN200610112140.3无效
发明人： 洪传献;许国强;陈楷林;李慧平;赖明雄;溫志中;林坤禧 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2006-08-11 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明是有关于一种光电转换装置及其制作方法与电极，一种光电转换装置，包含一光电转换元件与一电极对。光电转换元件包含一第一半导体层与一第二半导体层，第一半导体层与第二半导体层是相互连接；电极对包含一第一电极与一第二电极，第一电极与第一半导体层相连结，第二电极与第二半导体层相连结，其中第一电极的热膨胀系数介于5×10^－7/℃至1×10^－5/℃。
光电转换装置及其制作方法电极

[发明专利]光电转换元件及光电转换元件的制作方法-CN200610083519.6无效
发明人：陈楷林;许国强;温志中;洪传献 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2006-05-30 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本发明是有关于一种光电转换元件及光电转换元件的制作方法。该光电转换元件，包括一第一半导体层、一第二半导体层以及一多孔洞层。其中第二半导体层是设置于第一半导体层上，多孔洞层是设置于第二半导体层上，其是具有相对的一第一表面与一第二表面，第一表面是面对第二半导体层，第二表面是具有复数个孔洞。该光电转换元件的制作方法，其包括下列步骤：于一半导体层之上形成一金属层；以及阳极氧化处理该金属层以形成复数个孔洞。本发明可以简化制程，且可以降低成本。
光电转换元件制作方法

[发明专利]光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法-CN200610072418.9无效
发明人：赖明雄;洪传献;温志中;许国强 -专利权人：新日光能源科技股份有限公司
申请日： 2006-04-11 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明是有关于一种光电转换装置、光电转换元件及其基板与制造方法。该光电转换元件，包括一硅基板、一第一半导体层以及一第二半导体层。其中，硅基板中硅的纯度是大于等于95％，第一半导体层设置于硅基板之上，第二半导体层设置于第一半导体层上。该光电转换装置，包括：一光学转换元件，其包括一硅基板、一第一半导体层及一第二半导体层，该硅基板中硅的纯度是大于等于95％，第一半导体层设置于硅基板之上，第二半导体层设置于第一半导体层上；以及一电极对，包括一第一电极与一第二电极，第一电极与第一半导体层相连结，第二电极与第二半导体层相连结。其可改善现有的基板与第一半导体层间容易剥离的现象，进而能提高光电转换装置的光电转换效率与使用寿命。
光电转换装置元件及其制造方法