“泽田真人”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果6个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201510673393.7有效
发明人： 泽田真人;金冈龙范;堀田胜之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括阻止对半导体元件的电特性造成不良影响的元件隔离构造。残留在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚比残留在宽度相对较宽的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚薄。氧化硅膜9变薄的量，为利用HDP‑CVD法形成的压缩应力较高的氧化硅膜10(上层)在下层的氧化硅膜9上的叠层厚度。最终使形成在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的元件隔离氧化膜的压缩应力得以进一步提高。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010174770.X有效
发明人： 泽田真人;金冈龙范;堀田胜之 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-05-07 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括阻止对半导体元件的电特性造成不良影响的元件隔离构造。残留在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚比残留在宽度相对较宽的浅槽隔离结构中的氧化硅膜9的膜厚薄。氧化硅膜9变薄的量，为利用HDP-CVD法形成的压缩应力较高的氧化硅膜10(上层)在下层的氧化硅膜9上的叠层厚度。最终使形成在宽度相对较窄的浅槽隔离结构中的元件隔离氧化膜的压缩应力得以进一步提高。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的布线结构-CN200410003884.2无效
发明人：浅井孝祐;飞松博;川田宏幸;泽田真人 -专利权人：株式会社瑞萨科技
申请日： 2004-02-10 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一个布线设置了一个与布线本体相连的替代布线，而该替代布线设有一个应力集中部，其中产生的张应力高于布线本体的张应力。在邻近应力集中部通过高密度等离子体CVD形成一个绝缘膜，后者在应力集中部产生张应力。采用这种结构，可以避免在布线本体内任何位置出现空洞。
半导体器件布线结构

[发明专利]含绝缘体的半导体装置及其制造方法-CN03108327.7无效
发明人： 泽田真人;飞松博;林山吉生 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2003-03-24 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置与其制造方法，旨在提供具有以没有空隙等缺陷的膜质良好的绝缘膜填充细沟的内部而显示良好隔离特性的元件隔离结构的半导体装置与其制造方法。该半导体装置包括半导体衬底(1)和隔离绝缘体(2a～2c)。其中，半导体衬底(1)的主表面上有沟(17a～17c)形成，隔离绝缘体(2a～2c)用热氧化法形成于沟的内部，将半导体衬底(1)的主表面上的元件形成区域隔离。所述隔离绝缘体(2a～2c)是多个氧化膜(3a～3c、4a～4c、5a～5c、6b、7b)的叠层体。
绝缘体半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN02130352.5无效
发明人： 泽田真人;飞松博;小田耕治;上浦有纪;芝田耕治;川田宏幸 -专利权人：三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社
申请日： 2002-08-16 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：本发明的课题是可以用HDP－CVD(高密度等离子体化学汽相淀积)法毫无问题地在密集配置的布线间的间隙中充填绝缘膜的半导体器件的制造方法。该制造方法包括：在半导体衬底上形成半导体元件的工序；为了对上述半导体元件进行电连接，在半导体元件上并排地形成附有上部保护层(4)的多条布线(3)的工序；用HDP－CVD以外的CVD法，在上述布线的侧面和布线之间的间隙底面形成保护绝缘膜(5)的工序；以及用HDP－CVD法形成绝缘膜(6)，以便覆盖上述保护绝缘膜，并且掩埋被保护绝缘膜覆盖的布线之间的间隙的工序。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN02130351.7无效
发明人：上浦有纪;飞松博;小田耕治;泽田真人;芝田耕治;川田宏幸 -专利权人：三菱电机株式会社;菱电半导体系统工程株式会社
申请日： 2002-08-16 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种半导体装置的制造方法，在该方法中，在用热处理对聚酰亚胺膜进行了亚胺化的情况下，防止聚酰亚胺膜从被进行各向同性刻蚀的膜剥离下来，而且防止因各向异性刻蚀而附着的淀积物在各膜的侧壁上剥离。将被形成了规定的图形的聚酰亚胺膜5用作掩模，对氮化硅膜4进行各向同性刻蚀。然后，在对氧化硅膜3进行各向异性刻蚀之前，用热处理对聚酰亚胺膜5进行亚胺化。此时，由于因显示出各向异性的干法刻蚀而发生的淀积物没有附着到各膜的侧壁上，故在用热处理对聚酰亚胺膜5进行了亚胺化的情况下，聚酰亚胺膜5不从氮化硅膜4剥离下来。此外，在该淀积物附着到各膜的侧壁上后，该淀积物不剥离。
半导体装置制造方法

1
共 6 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top