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[发明专利]半导体元件及绝缘层形成用组成物-CN201580016286.5有效
发明人：永田裕三;泷泽裕雄;土村智孝;鹤田拓也 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-03-23 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/312 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及绝缘层形成用组成物，所述半导体元件具有半导体层、及与该半导体层相邻的绝缘层，在所述半导体元件中，所述绝缘层由高分子化合物的交联物形成，该高分子化合物具有以下述通式(IA)表示的重复单元(IA)和以下述通式(IB)表示的重复单元(IB)。通式(IA)中，R^1a表示氢原子、卤原子或烷基。L^1a及L^2a分别独立地表示单键或连结基。X表示交联性基。m2a表示1～5的整数，当m2a为2以上时，m2a个X可以彼此相同也可以互不相同。m1a表示1～5的整数，当m1a为2以上时，m1a个(‑L^2a‑(X)_m2a)可以彼此相同也可以互不相同。通式(IB)中，R^1b表示氢原子、卤原子或烷基。L^1b表示单键或连结基，Ar^1b表示芳香族环。m1b表示1～5的整数。
半导体元件绝缘形成组成

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法-CN201580011384.X有效
发明人： 泷泽裕雄;新居辉树;米久田康智;吉田隼人 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管及有机薄膜晶体管的制造方法。本发明的有机薄膜晶体管在基板上具有栅极电极、有机半导体层、栅极绝缘层、源极电极及漏极电极，有机半导体层含有有机半导体及嵌段共聚物，嵌段共聚物为选自苯乙烯‑(甲基)丙烯酸酯嵌段共聚物等特定的嵌段共聚物中的至少一种或发生相分离；具备含有相分离的嵌段共聚物的有机半导体的有机薄膜晶体管的制造方法中，涂布含有有机半导体及嵌段共聚物的涂布液并进行成膜，对所得的膜进行加热而使嵌段共聚物进行自组织化。
有机薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法-CN201580011661.7有效
发明人： 泷泽裕雄;新居辉树;米久田康智;平野修史 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管及有机薄膜晶体管的制造方法。本发明的有机薄膜晶体管在基板上具有栅极电极、有机半导体层、栅极绝缘层、源极电极及漏极电极，有机半导体层包含有机半导体及树脂(C)，所述树脂(C)具有选自由含氟原子的基团、含硅原子的基团、碳原子数1以上且在形成烷氧基羰基的情况下为碳原子数2以上的烷基、环烷基、芳烷基、芳氧基羰基、经至少一个烷基取代的芳香环基及经至少一个环烷基取代的芳香环基构成的组中的一个以上的基团；所述有机薄膜晶体管的制造方法中，涂布含有有机半导体及树脂(C)的涂布液而使树脂(C)偏向存在。
有机薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN201580009803.6有效
发明人： 泷泽裕雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2015-02-26 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管，其在基板上具有：栅极电极；半导体层；栅极绝缘层，设置于该栅极电极与该半导体层之间，且由有机高分子化合物形成；及源极电极及漏极电极，设置成与该半导体层接触，并经由该半导体层而连结，在所述栅极绝缘层中，选自Mg、Ca、Ba、Al、Sn、Pb、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Zn及Ag的金属的含量在总量中为10ppb～1ppm，或者选自卤素离子、硫酸根离子、硝酸根离子及磷酸根离子的非金属离子物质的含量在总量中为1ppm～100ppm。
薄膜晶体管

[发明专利]图案形成方法、电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物、抗蚀剂膜、使用其的电子器件的制造方法和电子器件-CN201280044672.1有效
发明人： 泷泽裕雄;椿英明;平野修史 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-09-11 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：一种图案形成方法，所述方法以下列顺序包括：步骤(1)：用电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物形成膜，所述电子束敏感或极紫外线辐射敏感树脂组合物含有树脂(A)、化合物(B)和溶剂(C)，所述树脂(A)具有酸分解性重复单元并且能够通过酸的作用降低所述树脂(A)在含有有机溶剂的显影液中的溶解度，所述化合物(B)能够在用电子束或极紫外线辐射照射时产生酸；步骤(2)：用电子束或极紫外线辐射将所述膜曝光；和步骤(4)：在所述膜的曝光之后通过用包含有机溶剂的显影液将所述膜显影而形成阴图型图案，其中基于所述组合物的全部固体含量，所述化合物(B)的含量是21质量％至70质量％。
图案形成方法电子束敏感紫外线辐射树脂组合抗蚀剂膜使用电子器件制造

[发明专利]图案形成方法、电子束敏感或极紫外线敏感组合物、抗蚀剂膜、使用其制造电子器件的方法和电子器件-CN201280047789.5无效
发明人： 泷泽裕雄;岩户薰;椿英明 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2012-09-14 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：提供一种图案形成方法，所述方法包括(1)通过使用电子束敏感或极紫外线敏感树脂组合物形成膜的步骤，(2)通过使用电子束或极紫外线射线将所述膜曝光的步骤；和(3)通过使用包含有机溶剂的显影液将所曝光的膜显影的步骤，其中所述电子束敏感或极紫外线敏感树脂组合物包含：(A)树脂，所述树脂包含(R)具有能够在用电子束或极紫外线射线照射时分解以产生酸的结构部分的重复单元；以及(B)溶剂。
图案形成方法电子束敏感紫外线组合抗蚀剂膜使用制造电子器件

[发明专利]有机电致发光装置、新型铂络合物和能够作为其配体的新型化合物-CN201210332788.7有效
发明人：邑上健;伊势俊大;木下郁雄;高田早;武田玲;泷泽裕雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2013-01-09 - 主分类号： C07D401/14 文献下载
摘要：一种有机电致发光装置、新型铂络合物和能够作为其配体的新型化合物。本发明提供一种下式(4a-4’)代表的化合物：式(4a-4’)其中每个R¹，R²，R⁴，R⁶，R⁴¹，R⁴²，R⁴³，R⁴⁴，R⁴⁵，R⁴⁶，R⁷¹，R⁷⁴和R⁷⁵独立地代表氢原子或取代基；和-L-代表直接键或二价连接基团。
有机电致发光装置新型络合物能够作为化合物

[发明专利]有机电致发光装置、新型铂络合物和能够作为其配体的新型化合物-CN200910135125.4有效
发明人：邑上健;伊势俊大;木下郁雄;高田早;武田玲;泷泽裕雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2009-10-28 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机电致发光装置，其包含：一对电极；和包括发光层的至少一个有机层，所述发光层设置在所述一对电极之间，其中所述至少一个有机层的至少一层含有如说明书中定义的式(1)代表的化合物。
有机电致发光装置新型络合物能够作为化合物

[发明专利]有机电致发光装置-CN200810215751.X有效
发明人：邑上健;木下郁雄;八木一成;高田早;武田玲;外山弥;泷泽裕雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2008-09-09 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： C07F15/00 文献下载
摘要：本发明涉及有机电致发光装置，具体涉及可用作发光材料的铂络合物及使用所述铂络合物的有机电致发光装置，并公开了制备由式(1)表示的铂络合物的方法，其包括使由式(B-2)表示的化合物和由式(B-2′)表示的化合物与由式(A-0)表示的化合物反应，以得到由式(C-0)表示的化合物；并使由式(C-0)表示的化合物与铂盐反应。
有机电致发光装置

[发明专利]双光子吸收记录介质、双光子吸收记录/再现方法和双光子吸收记录/再现设备-CN200680034851.1有效
发明人：秋叶雅温;泷泽裕雄 -专利权人：富士胶片株式会社
申请日： 2006-07-13 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： G11B7/244 文献下载
摘要：本发明提供的是一种允许记录并且再现大容量信息的双光子吸收记录介质，使用其的双光子吸收记录/再现方法和双光子吸收记录/再现设备。通过同时双光子吸收记录信息的所述双光子吸收记录介质是包含交替的层压体结构的介质，所述层压体结构包含：记录材料的薄膜记录层，其中通过由作为记录光辐照的光诱导的双光子吸收产生其吸收或发射光谱的变化；和薄膜非记录层，其中形成所述记录层的记录材料含有下列材料各至少一种：(1)双光子吸收着色剂；和(2)其中在通过所述双光子吸收着色剂的激发态导致的光化学反应中产生其吸收或发射光谱的变化的材料，所述双光子吸收着色剂的激发态是通过所述双光子吸收着色剂的双光子吸收产生的。
光子吸收记录介质再现方法设备

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