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[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN201680001052.8有效
发明人：浅川庆一郎;滨口纯一;园田和广;沼田幸展;小风丰 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种可通过防止负电荷在蚀刻处理时在基板边缘部集中而在高纵横比的孔内面良好涂覆地形成薄膜的成膜装置。一种成膜装置(SM)，具有：配置了靶(21)的真空室(1)；在真空室内保持基板(W)的台架(4)；向靶施加规定电力的第一电源(E1)；以及向台架施加交流电力的第二电源(E2)；进行通过第一电源向靶施加电力对靶进行溅射的成膜处理；以及通过第二电源向台架施加交流电力并蚀刻在基板上形成的薄膜的蚀刻处理，基板的周围配置防护板(7c)，以台架上保持的基板的成膜面侧为上，具有在防护板上邻近基板的部分(71)与基板上面位于同一平面上的成膜位置和防护板的该部分位于基板上面的上方的蚀刻位置之间上下移动屏蔽件的驱动装置(8)。
装置方法

[发明专利]成膜装置及压板环-CN201780014668.3有效
发明人：坂本勇太;沼田幸展;小平周司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-07-05 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：本发明的成膜装置具备：收容靶的腔室；工作台，配设为与所述靶的一面隔开规定的间隔面对并且载置被成膜物；和包围所述工作台的周边的压板环，具有与所述靶相对的相对面和形成于所述相对面上的槽。载置在所述工作台上的所述被成膜物的周边以位于所述工作台的周边的外侧的方式从所述工作台的所述周边伸出，所述槽配置在与所述被成膜物的周边对应的位置上，所述槽以所述靶与所述槽之间的第二距离大于所述靶与所述被成膜物之间的第一距离的方式环绕设置于所述压板环上，所述槽具有防背面附膜曲面，所述防背面附膜曲面防止从所述靶发射的成膜粒子堆积在所述被成膜物的背面上。
装置压板

[发明专利]内部应力控制膜的形成方法-CN201780005953.9有效
发明人：中野贤明;平松大典;沼田幸展 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的内部应力控制膜的形成方法，通过溅射法在被处理体的一面形成内部应力控制膜，形成所述内部应力控制膜时的工艺气体的压力从比5Pa的阈值高的压力区域中选择，并且，形成对所述被处理体施加偏压时的被处理体的应力与不施加偏压时的应力相比为在拉伸侧大的应力，具有高的密度的内部应力控制膜。
内部应力控制形成方法

[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置-CN201280028713.8无效
发明人：滨口纯一;小平周司;坂本勇太;佐野昭文;镰田恒吉;门仓好之;广石城司;沼田幸展;铃木康司 -专利权人：株式会社爱发科
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法，具备：槽部形成工序，在基体形成槽部；阻挡层形成工序，形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层；种子层形成工序，形成覆盖所述阻挡层的种子层；以及种子层熔化工序，通过回流法使所述种子层熔化，所述种子层由Cu构成。
半导体装置制造方法