专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]灯罩及应用该灯罩的灯具-CN201010281205.3无效
  • 张国正 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
  • 2010-09-14 - 2012-04-04 - F21V3/02
  • 一种灯罩,包括顶板、自顶板向下延伸的侧板、以及透光菱镜。所述侧板包括若干由第一折痕线和第一切割线围成的第一封闭区域,以及若干由第二折痕线及第二切割线围成的第二封闭区域。所述第一封闭区域沿第一折痕线向内弯折形成固定部,所述第二封闭区域沿第二折痕线向内弯折形成定位部。所述定位部和固定部夹持在透光菱镜的两个相反表面使透光菱镜固定在灯罩上。通过折弯而成的定位部和固定部来固定透光菱镜,本发明的灯罩具有结构简单,组装方便优点。本发明还提供了一种具有上述灯罩的灯具。
  • 灯罩应用灯具
  • [发明专利]发光二极管灯具-CN201010270688.7无效
  • 张国正 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
  • 2010-09-02 - 2012-03-21 - F21S2/00
  • 一种发光二极管灯具,包括发光二极管模组、灯座及反射罩,该灯座与该反射罩相互独立且可拆装地连接,发光二极管模组收容于灯座内,反射罩具有相对的入光窗口及出光窗口,发光二极管模组发出的光线经由反射罩的入光窗口进入反射罩,并最终经由反射罩的出光窗口射出。与现有技术相比,本发明的发光二极管灯具的灯座与反射罩为相互独立的元件,并非一体成型,对于同一个发光二极管灯具而言,可以更换不同种类的反射罩,以提供不同形式的配光曲线,满足多种场合,具有较广的适用范围。
  • 发光二极管灯具
  • [发明专利]发光二极管-CN201010266878.1无效
  • 张国正 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
  • 2010-08-30 - 2012-03-21 - H01L33/62
  • 一种发光二极管,包括一基座及设置于该基座上的一发光二极管芯片,所述基座包括一本体、形成于该本体上的一第一电极及一第二电极,所述发光二极管芯片包括一第一半导体层、围绕于第一半导体层外围的一发光层及围绕于发光层外围的一第二半导体层,所述基座的第一电极与第二电极绝缘、间隔设置,该第一电极直接与第一半导体层电性相连,该第二电极直接与第二半导体层电性相连。上述发光二极管在基座上形成绝缘、间隔设置的第一电极及第二电极,该第一电极直接与所述第一半导体层电性相连,该第二电极直接与所述第二半导体层电性相连,使得所述发光二极管无需设置导线与基座的电极相连,从而节省了在发光二极管上设置导线的制程。
  • 发光二极管
  • [发明专利]发光二极管-CN201010248214.2无效
  • 赖志铭 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
  • 2010-08-09 - 2012-03-14 - H01L33/50
  • 一种发光二极管,包括一基板、结合于该基板上的一LED芯片、封装该LED芯片的一封装体及设置在该封装体外侧表面上的一荧光粉层,该LED芯片的出射光的光强I相对于出射角θ呈朗伯分布,即出射光的光强I与出射角θ满足:I=I0xcosθ,0°≤θ≤90°;其中,I0为该LED芯片中心轴处出射光的光强,出射角θ为出射光与中心轴的夹角,该荧光粉层中荧光粉的浓度、数目或厚度相对于出射角θ也呈朗伯分布。本发明的LED内荧光粉层中荧光粉的浓度、数目或厚度与LED芯片的出射光的光强相对于出射光的出射角均呈现朗伯分布,使整个LED出射光的色温具有在各个角度均匀分布的效果。
  • 发光二极管
  • [发明专利]发光二极管-CN201010264806.3无效
  • 张国正 - 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫能源科技股份有限公司
  • 2010-08-27 - 2012-03-14 - H01L33/62
  • 一种发光二极管,包括一基座及设置于该基座上的一发光二极管芯片,所述基座包括一本体、形成于该本体上的一第一电极及一第二电极,所述发光二极管芯片包括一基底、叠置于基底上的一第一半导体层、叠置于第一半导体层上的一发光层、叠置于发光层上的一第二半导体层及形成于该第二半导体层上的一第三电极,基座的第二电极通过一导线与发光二极管芯片的第三电极电性相连,基座的第一电极由本体朝向发光二极管芯片向外凸伸而出,并穿过基底而与第一半导体层电性相连。所述发光二极管通过在基座上凸伸出一第一电极,该第一电极穿过基底,直接与第一半导体层电性相连,使得发光二极管只需在第二半导体层上设置导线。
  • 发光二极管

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