专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]开关柜的柜门-CN202221697282.1有效
  • 杨志刚;邓炎炎;陈晶;沙健;马健;庞丁伟 - 常州太平洋电力设备(集团)有限公司;常州赛尔克瑞特电气有限公司
  • 2022-07-01 - 2023-01-10 - H02B1/38
  • 本实用新型属于充气开关柜的配件,特别涉及一种外形美观,结构强度好且防尘效果好的开关柜的柜门;开关柜的柜门,其包括一门板,其特征在于:所述的门板的截面呈圆弧形,所述的门板上还开设有方形的视窗,所述的视窗内设置有可视面板;本实用新型设计了一种截面呈圆弧形的开关柜的柜门,采用圆弧形的结构设计,增大了柜门与二次仪表室之间的距离,可以有效避免柜门与二次元器件之间的干涉,进一步的,本实用新型所述的柜门具有较好的结构强度,也方便使用者观测二次仪表的各种状态,再者,可视面板与柜门之间具有较好的密封性,具有更好的保护和防尘的功能,能够更好的对二次元器件进行保护。
  • 开关柜柜门
  • [发明专利]一种恒温且大规模制备带状黑磷的方法-CN201510801468.5在审
  • 王业伍;赵明;钱皓磊;牛欣玥;沙健 - 浙江大学
  • 2015-11-19 - 2016-04-06 - C01B25/02
  • 本发明公开了一种恒温且大规模制备带状黑磷的方法以一种恒温的方式制备黑磷。具体以廉价的红磷,锡和碘为原料,通过固相反应,在恒定的温度和较低的压强下,制备出纯相的带状黑磷。本发明制备黑磷的步骤简单,操作性强,具有以下显著的技术优势:一、采用无毒的原料,清洁环保;二、采用碘代替四碘化锡,大幅降低成本;三、黑磷转化率高;四、利用马沸炉替代管式炉进行黑磷生长,大幅度提高了黑磷产率,单次黑磷产率仅仅取决于马沸炉的容积,比用管式炉生长黑磷的单次产率提高至少10倍以上。所制备出的带状黑磷具有结晶性好,更易机械剥离出大面积的薄层黑磷的特点,对后续基于黑磷的光电器件的制备和应用提供了极大的便利。
  • 一种恒温大规模制备带状黑磷方法
  • [发明专利]一种具有高转化率的黑磷制备方法-CN201410589788.4无效
  • 王业伍;赵明;钱皓磊;牛欣玥;沙健 - 浙江大学
  • 2014-10-29 - 2015-01-28 - C01B25/02
  • 本发明公开了一种具有高转化率的黑磷制备方法,包括如下步骤:将红磷、锡和四碘化锡按质量比为1~6:40~50:1~2的比例混合,装入石英管中,抽真空至石英管内压强小于0.05pa,封管,加热使石英管中原料端温度为100℃~400℃,再在1~2小时内升温至400℃~700℃,保温5~10小时,然后在6~8小时内降温至200℃~500℃,保温1至3天,最后在10~15小时内降温至室温,得到黑磷。本发明的方法步骤简单,操作性强,一方面采用无毒的原料,清洁环保,另一方面只需温和的反应条件,降低了能耗和成本,且所制备出的黑磷结晶性好,转化率高,本发明可重复性强,利于产业推广应用。
  • 一种具有转化黑磷制备方法
  • [发明专利]一种制作单根纳米线微电极的方法-CN201210068469.X无效
  • 王业伍;顾林;方彦俊;沙健 - 浙江大学
  • 2012-03-15 - 2012-08-01 - G01N27/30
  • 本发明涉及一种制作单根纳米线微电极的方法。现有方法所需的设备较复杂,制作成本高。本发明方法是将裸金属网和不锈钢网依次置于分散有单根纳米线的衬底之上作为掩膜,使用磁控溅射或其他蒸镀金属的方法,在衬底上沉积金属,由于掩膜的限制,只会在衬底部分区域镀到金属,利用电子显微镜在衬底上搜索两端分别在相邻两个金属膜方块下的纳米线,将该相邻两个金属膜方块作为该纳米线的两个电极。本发明方法可以廉价和方便的制备金属电极,适用范围广,且作为掩膜的裸金属网和不锈钢网可以重复利用。
  • 一种制作纳米微电极方法
  • [发明专利]一种转移阵列硅纳米线的方法-CN201210071643.6无效
  • 沙健;罗亚菲;王业伍 - 浙江大学
  • 2012-03-19 - 2012-07-18 - C01B33/021
  • 本发明公开了一种转移阵列硅纳米线的方法。传统转移硅线方法时硅线容易团簇成束状,不易形成分散排列的阵列,而且转移过程复杂,不易操作。本发明首先将单晶硅片依次通过丙酮、乙醇、去离子水、强氧化性混合液清洗干净;其次用湿化学腐蚀的方法制备阵列硅纳米线,并采用无电沉积方法在单晶硅片表面沉积银颗粒催化剂;最后将经过切割的单晶硅片上的阵列硅纳米线,转移到具有粘附性的胶带上。本发明具有简便、易操作、成本低的特点,同时可用于转移其它材料的纳米线阵列。
  • 一种转移阵列纳米方法

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