“沃尔夫冈·门希”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]具有辐射转换元件的光电子装置和用于制造辐射转换元件的方法-CN201680007846.5有效
发明人： 沃尔夫冈·门希;布丽塔·格厄特茨;弗兰克·辛格;马丁·斯特拉斯伯格;蒂尔曼·申普克 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2016-01-26 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：提出一种光电子装置(1)，其具有半导体芯片(2)，所述半导体芯片具有设为用于产生辐射的有源区域，其中‑沿放射方向(21)在半导体芯片下游设置有辐射转换元件(3)；‑辐射转换元件具有多个转换体(4)，所述转换体分别具有对称轴线(40)；‑对称轴线的空间定向具有优先方向(45)；‑由辐射转换元件(3)放射的辐射具有优先偏振(48)；并且‑光电子装置具有进行反射的偏振元件(5)，所述偏振元件沿放射方向设置在辐射转换元件下游，其中进行反射的偏振元件允许具有优先偏振的辐射大部分地通过，并且将垂直于优先偏振来偏振的辐射大部分地反射。此外，提出一种用于制造辐射转换元件(3)的方法。
具有辐射转换元件光电子装置用于制造方法

[发明专利]半导体器件和照明设备-CN201580028233.5有效
发明人：亚当·鲍尔;沃尔夫冈·门希;大卫·拉奇;迈克尔·维特曼;多米尼克·斯库尔滕;安德烈亚斯·莱夫勒 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：提出一种半导体器件(1)，所述半导体器件具有设为用于产生具有第一峰值波长的初级辐射的半导体芯片(2)和辐射转换元件(3)，所述辐射转换元件设置在半导体芯片(2)上。辐射转换元件(3)具有量子结构(30)和对于初级辐射可穿透的衬底(35)，所述量子结构将初级辐射至少部分地转换成具有第二峰值波长的次级辐射。此外，提出一种具有这种半导体器件(1)的照明设备(11)。
半导体器件照明设备

[发明专利]用于制造光电子构件的方法-CN201380040856.5有效
发明人：西格弗里德·赫尔曼;沃尔夫冈·门希 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种用于制造多个光电子构件(100)的方法，其包括下述步骤：提供半导体本体(101)，所述半导体本体设置在载体(114)上；借助于光电导的转移元件(120)将转换器材料(105)施加到半导体本体(101)上。
半导体本体光电子转换器材料转移元件光电导制造施加

[发明专利]发光半导体器件和用于制造发光半导体器件的方法-CN201480026324.0有效
发明人：托马斯·施瓦茨;弗兰克·辛格;亚历山大·林科夫;斯特凡·伊莱克;沃尔夫冈·门希 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-05-05 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：提出一种发射辐射的半导体器件，其具有‑至少一个具有半导体层序列(200)的半导体芯片(2)，所述半导体层序列具有设置用于产生辐射的有源区域(20)；‑安装面(11)，在所述安装面上构成有用于外部接触半导体芯片的至少一个电接触部(51，52)，其中安装面平行于半导体层序列的主延伸平面伸展；‑辐射出射面(10)，所述辐射出射面倾斜于或垂直于安装面伸展；‑辐射引导层(3)，所述辐射引导层设置在半导体芯片和辐射出射面之间的光路中；和‑反射器本体(4)，所述反射器本体局部地邻接于辐射引导层并且在半导体器件的俯视图中遮盖半导体芯片。此外，提出一种用于制造发射辐射的半导体器件的方法。
发光半导体器件用于制造方法

[发明专利]光学装置和显示设备-CN201480022501.8有效
发明人： 沃尔夫冈·门希;斯特凡·伊莱克;亚历山大·林科夫 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-04-15 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种光学装置，包括多个在载体(1)上的发光芯片(2)。在此，第一发光芯片分别包括第一组(21)的像素，并且第二发光芯片分别包括第二组(22)的像素。各一个第一发光芯片和第二发光芯片在第一单元格(E1)中平面地设置在载体(1)上。此外，提出一种光学元件，所述光学元件沿放射方向在发光芯片(2)的下游设置。所述光学元件设计成，引导由第一组和第二组(21，22)的像素发射的光，使得第一组(21)的像素的光和第二组(22)的像素的光在耦合输出平面(7)中在第二单元格(E2)中聚集，其中第二单元格(E2)分别具有小于每个第一单元格(E1)的面积的面积。
光学装置显示设备

[发明专利]光电子半导体组件-CN201480036553.0有效
发明人：弗兰克·辛格;沃尔夫冈·门希;亚历山大·林科夫 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2014-06-25 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L33/58 文献下载
摘要：在至少一个实施方式中，光电子半导体组件(1)包括灌封体(4)。至少一个光电子半导体芯片(3)设立用于产生辐射并且位于灌封体(4)的凹部(43)中。半导体芯片(3)具有带有边长(L)的辐射主侧(30)。覆盖凹部(43)的至少一个光学板(5)沿着主放射方向(M)设置在半导体芯片(1)的下游。光学板(5)在背离半导体芯片(1)的上侧(50)上具有多个结构元件(55)。光学板(5)具有至少为边长(L)的1.5倍的直径(D)。光学板(5)的厚度(H)至少为直径(D)的0.1倍并且至多为1.5倍。光学板(5)完全地遮盖辐射主侧(30)。
光电子半导体组件

[发明专利]面光源-CN201380014419.6有效
发明人：斯特凡·伊莱克;马蒂亚斯·扎巴蒂尔;亚历山大·林科夫;托马斯·布莱谢尔;诺温·文马尔姆;沃尔夫冈·门希 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-02-20 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： F21K99/00 文献下载
摘要：在至少一个实施方式中，面光源(1)包括一个或多个具有辐射主侧(20)的用于产生初级辐射(P)的光电子半导体芯片(2)。散射体(3)沿着半导体芯片(3)的主放射方向(x)设置在辐射主侧(20)的下游。散射体(3)构建为用于散射初级辐射(P)。散射体(3)的主发射方向(y)倾斜于半导体芯片(2)的主放射方向(x)取向。
光源

[发明专利]光电子半导体芯片-CN201380070007.4在审
发明人：布丽塔·戈茨;沃尔夫冈·门希;马丁·斯特拉斯伯格 -专利权人：欧司朗光电半导体有限公司
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：提出一种光电子半导体芯片，其包括：多个有源元件，所述有源元件彼此间隔开地设置；和载体，所述载体横向于有源元件设置，其中有源元件分别具有垂直于载体伸展的主轴线；主轴线彼此平行地定向；至少一种转换材料在侧表面上包围多个有源元件；转换材料包括转换物质或者包括转换物质和基体材料；有源元件分别具有中央的芯区域，所述芯区域被至少两层地包覆，其中有源层包覆芯区域并且覆盖层包覆有源层；其中芯区域由第一半导体材料形成；有源层包括发光材料；覆盖层由第二半导体材料形成；并且覆盖层具有0.1nm和100nm之间的层厚度。
光电子半导体芯片

[发明专利]光学结构和具有光学结构的照明装置-CN201310445658.9在审
发明人：阿莱斯·马尔基坦;克里斯蒂安·盖特纳;亚历山大·林科夫;沃尔夫冈·门希;罗兰德·舒尔茨;埃里克·海涅曼 -专利权人：欧司朗股份有限公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L33/54 文献下载
摘要：本发明提出一种用于发射电磁辐射的光学结构（2），具有：载体（4）；多个半导体芯片（3），其中半导体芯片（3）设置在载体（4）上，并且其中半导体芯片（3）分别具有用于产生电磁辐射的有源区；和至少一个光学元件（5），其中光学元件（5）在发射方向上设置在半导体芯片（3）的下游，并且其中光学元件（5）构成为用于使由半导体芯片（3）产生的辐射偏转，使得辐射的大部分以相对于光学结构（2）的半导体芯片（3）的有源面的垂直线大于或等于70°的立体角发射。半导体芯片（3）构成为，使得实现半导体芯片在载体上的不均匀的分布进而实现将半导体芯片不均匀地分配给光学元件的各个部段。此外本发明提出一种照明装置。
光学结构具有照明装置

1
共 9 条