专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法-CN202111076225.1有效
  • 郑分刚;汪成根;袁伟;张桂菊 - 上海交大平湖智能光电研究院
  • 2021-09-14 - 2023-09-08 - C23C14/28
  • 本发明公开了一种基于脉冲激光沉积的相变薄膜的制备方法,基于脉冲激光沉积设备,包括以下步骤:在真空条件下,利用激光照射旋转靶材进行预打靶,然后在旋转硅基底上沉积Ge2Sb2Se4Te1薄膜。本发明是通过脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1,保证了合金薄膜中各个元素较为理想的组分比,并通过特定温度特定时间的退火实现了Ge2Sb2Se4Te1在逐渐相变过程中的折射率变化情况,在1550nm处实现了优度值FOM=5.2,优度值为相变前后折射率的变化与消光系数的变化之比,反映了相变材料的相变性能。对于本发明提供的基于脉冲激光沉积制备的新型相变材料Ge2Sb2Se4Te1,研究了其相变前后的形貌变化以及晶态情况下的晶格结构,并且分析了相变前后元素化学态度的变化情况,揭示了Ge2Sb2Se4Te1的相变机理。
  • 一种基于脉冲激光沉积相变薄膜制备方法

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