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- [发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201980018916.0有效
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高桥亨;池田均;松本雄一;青山徹郎
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信越半导体株式会社
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2019-02-15
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2021-12-24
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C30B29/36
- 本发明提供一种SiC单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测量用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器的上部的中心配置晶种基板，于生长容器的下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心与孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基面的法线矢量的与主面平行的分量的方向同孔的偏心方向为同一方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了晶圆中央部的结晶性的劣化的碳化硅单晶的制造方法。
- 碳化硅制造方法
- [发明专利]碳化硅单晶的制造方法-CN201880083603.9有效
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池田均;高桥亨;青山徹郎;松本雄一
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信越半导体株式会社
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2018-11-14
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2021-12-24
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C30B29/36
- 本发明提供一种碳化硅单晶的制造方法，其为利用上部设有温度测定用的孔的隔热材料包围生长容器，于该生长容器内的上部的中心配置晶种基板，于生长容器下部配置碳化硅原材料并使其升华而使SiC单晶在晶种基板上生长的方法，所述制造方法中，以使孔的中心位置与晶种基板的中心位置错开的方式，将孔相对于晶种基板的中心向外周侧的位置错开而设置，作为晶种基板，使用具有自作为基底面的{0001}面仅倾斜了偏移角的主面的SiC单晶基板，在包含晶种基板的中心及孔的中心的剖视中，以使晶种基板的基底面的法线矢量的与主面平行的分量的方向与孔的偏心方向为反方向的方式，配置晶种基板而使SiC单晶生长。由此，提供一种减少了贯穿缺陷的碳化硅单晶的制造方法。
- 碳化硅制造方法
- [发明专利]处理装置-CN200910129866.1有效
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池田均;菊池正志;小川正浩;冈山智彦
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株式会社爱发科
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2009-03-30
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2010-07-28
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C03C17/06
- 提供运输方便且使用更紧凑的真空腔的处理装置。该处理装置具有真空腔，该真空腔具备：腔本体(21)，该腔本体(21)由具有形成可将基板插入的贯通孔(24)的块状多个腔部件(25)构成，在邻接的腔部件的至少一个上，沿与另一个抵接的面的贯通孔的开口部的整个周围连续设置槽(27)，各腔部件在夹着安装在槽中的密封部件(26)、分别紧靠的状态下被固定，腔本体(21)具有由多个贯通孔构成的处理空间(A)；密封处理空间的一个开口的壁面部件(22)；能开闭地塞住处理空间的另一开口的盖部件(23)，在各处理空间中具有用辐射热加热基板的加热装置(40)和分别设置在该加热装置的上下、与加热装置相对向地支持各基板(S)的一对基板支持部件(30)。
- 处理装置
- [发明专利]加热处理装置-CN200910129865.7有效
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池田均;冈山智彦;松本浩一;森冈和;目崎芳则
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株式会社爱发科
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2009-03-30
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2010-07-28
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H01L21/00
- 提供能够以低成本制造、高效率良好加热处理基板的加热处理装置。该加热处理装置具有真空腔(20)、支持部件(30)和加热装置(40)，所述真空腔(20)具备：腔本体(21)，该腔本体(21)由具有贯通孔(24)的多个腔部件(25)构成，在邻接的腔部件(25)的至少一个上，沿与另一个抵接的面的贯通孔(24)的开口部的整个周围连续设置槽部(27)，各腔部件(25)在夹着安装在槽部(27)中的密封部件(26)、分别紧靠的状态下被固定，腔本体(21)具有由多个贯通孔(24)构成的处理空间(A)；塞住处理空间(A)的壁面部件(22)；以及盖部件(23)，上述支持部件(30)配置在处理空间(A)内、支持基板(S)，上述加热装置(40)用辐射热加热基板(S)。
- 加热处理装置
- [发明专利]发光元件的制造方法及发光元件-CN200580013382.0有效
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池田均;铃木金吾;中村秋夫
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信越半导体株式会社
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2005-04-13
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2007-04-11
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H01L33/00
- 本发明是对具有发光层部24、以及以结晶方位与该发光层部24一致的方式做积层的GaP透明半导体层20，90而成的发光元件晶圆，以GaP透明半导体层的侧面成为{100}面的方式进行切割来得到发光元件芯片；该发光层部，在以组成式(AlxGa1－x)yIn1－yP(其中，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的化合物中，以与GaAs晶格匹配的组成的化合物分别构成第一导电型包覆层6、活性层5以及第二导电型包覆层4，并依此顺序积层而形成双异质结构，且主表面为(100)面。藉此提供一种在具有AlGaInP发光层部与GaP透明半导体层的发光元件中，进行切割时不易产生边缘裂片等不良的制造方法。
- 发光元件制造方法
- [发明专利]发光元件的制造方法及发光元件-CN200580013481.9有效
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池田均;铃木金吾;中村秋夫
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信越半导体株式会社
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2005-04-13
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2007-04-11
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H01L33/00
- 本发明的发光元件的制造方法，是将具有发光层部24(具有由AlGaInP所组成的双异质结构)、以及GaP光取出层20(以本身的第一主表面成为晶圆的第一主表面的形式设置于发光层部上)的发光元件晶圆，以GaP光取出层的第一主表面成为(100)面的方式来制造。其是通过面粗糙用蚀刻液，将由该(100)面所形成的GaP光取出层20的第一主表面进行蚀刻，而形成面粗糙突起部40f；该蚀刻液，是含有醋酸、氢氟酸、硝酸、碘与水合计量在90％以上，且醋酸、氢氟酸、硝酸与碘的总质量含有率较水的质量含有率为高。由此，本发明可提供一种发光元件的制造方法，其具有以(100)作为主表面的GaP光取出层，且可轻易地在该(100)主表面进行面粗糙处理。
- 发光元件制造方法
- [发明专利]GaP系半导体发光组件-CN02131970.7无效
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鈴木金吾;池田均;金子康继
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信越半导体株式会社
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2002-08-30
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2003-04-02
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H01L33/00
- 在GaP系半导体基体70中，以p型层侧的主面作为第一主面10，以其相反侧的主面作为第二主面12。在第二主面，藉由研磨后用王水蚀刻，以形成可提高光全反射之向半导体基体70内侧凸之镜面状凹曲面51的集合；另一方面，在半导体基体70之第一接触层62形成区域及第二主面11以外，藉由实施异向性蚀刻，以形成为降低光全反射之向外侧凸之凸曲面53的集合。又，将形成于第二主面11上之第二接触层64(第二电极63)，用Au、Si及Ni所组成的合金所形成，将形成于第一主面10上之第一接触层62，用Au和Be或Zn之合金所形成。藉此，可提供出就算在间接跃迁型的发光形态也能充分的提高亮度之GaP系半导体发光组件。
- gap半导体发光组件
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