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[发明专利]一种异质结光电探测器及其制备方法-CN202110465003.2有效
发明人：洪嘉祥;江源长;雷双瑛;陈洁;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明给出了一种使用不同类黑磷材料的不同双层堆垛结构来制备新型光电探测器的方法，该光电探测器包括衬底、下电极、双层GeS‑AB堆垛(GeS‑AB)、双层旋转SnS‑AD堆垛(tSnS‑AD)、上电极。本发明使用的双层GeS‑AB堆垛和双层旋转SnS‑AD堆垛能购成Ⅱ型半导体异质结，这里的GeS‑AB为受体材料，而tSnS‑AD为给体材料；且SnS材料和GeS材料在空气相对稳定，不容易和氧气发生反应；我们选用了特殊的电极材料，减小了接触电阻，有效的提升了器件的性能。
一种异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种基于类黑磷材料的太阳能电池及其制备方法-CN202110464507.2有效
发明人：洪嘉祥;雷双瑛;江源长;陈洁;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本文给出了一种用不同的类黑磷烯材料的不同稳定堆垛结构实现异质结薄膜太阳能电池及其制备方法。所述异质结薄膜太阳能电池由下至上依次包括五层结构：下电极、衬底、双层旋转AB堆垛GeS、双层AD堆垛的GeSe和上电极。双层旋转AB堆垛GeS和双层AD堆垛的GeSe结合可构成Ⅱ型半导体异质结，以AD结构为给体，其能带间隙为1.474eV,以AB结构为受体。通过机械剥离的方法来得到不同堆垛结构的双层类黑磷结构。在白光照射下，本文提供的太阳能电池其开路电压理论上达到1.15V，短路电流密度达到299.13A/㎡，太阳能电池的AM1.5能量转换效率高达22.44％。
一种基于黑磷材料太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种基于不同类黑磷材料的太阳能电池及制备方法-CN202110464509.1有效
发明人：涂昌昕;雷双瑛;江源长;陈洁;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本文给出了一种通过不同类黑磷的不同堆垛结构来实现一种新型的异质结太阳能电池。所述异质结薄膜太阳能电池由下至上依次包括五层结构：基底、ITO涂层、双层AB堆垛GeS、双层旋转AD堆垛的SnS和上电极。双层AB堆垛GeS和双层旋转SnS‑ADd堆垛结合可构成Ⅱ型半导体异质结，以AD结构的双层旋转SnS为给体，其能带间隙为1.4654eV，以AB结构的GeS为受体。通过机械剥离的方法来得到不同堆垛结构的双层类黑磷结构。在白光照射下，本文提供的太阳能电池其开路电压理论上达到1.088V，短路电流密度达到301.937A/㎡，太阳能电池的AM1.5能量转换效率高达21.35％。
一种基于同类黑磷材料太阳能电池制备方法

[发明专利]一种异质结激光器及其制备方法-CN202110465099.2有效
发明人：洪嘉祥;雷双瑛;江源长;陈洁;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01S5/32 文献下载
摘要：本文发明公开了一种异质结半导体激光器及其制备方法，利用双层AD型GeS堆垛和双层旋转AB型GeS堆垛通过横向连接可构成Ⅰ型半导体异质结，用于在激光二极管中实现粒子数反转，能够有效的减小工作电流。所述半导体激光二极管由下至上依次包括：下电极(1)、衬底(2)、下包覆层(3)、有源层(4)、上包覆层(5)、接触层(6)和上电极(7)。本发明选用的材料异质结更容易达到晶格匹配，制备工艺也更简单，仅仅通过范德瓦耳斯力就能将双层旋转AD型GeS堆垛和双层旋转AB型GeS堆垛进行横向连接形成异质结。本文通过机械剥离的方法来得到不同堆垛结构的少层类黑磷烯结构。
一种异质结激光器及其制备方法

[发明专利]一种异质结半导体光电探测器及其制备方法-CN202110465001.3有效
发明人：雷双瑛;江源长;洪嘉祥;陈洁;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结半导体光电探测器及其制备方法，使用不同GeSe堆垛结构来制备光电探测器，该光电探测器包括该光电探测器包括衬底(1)、右电极(2)、双层GeSe‑AD堆垛(3)、双层旋转GeSe‑AB堆垛(4)、左电极(5)；其中衬底(1)为最底层，在其上面附着有双层GeSe‑AD堆垛(3)和位于双层GeSe‑AD堆垛(3)两旁的右电极(2)和左电极(5)，在双层GeSe‑AD堆垛(3)上堆叠着双层旋转GeSe‑AB堆垛(4)。本发明以双层GeSe‑AD堆垛为给体，以双层旋转GeSe‑AB堆垛为受体，二者为同种材料的不同堆垛结构，很容易达到晶格匹配；GeSe材料不易和氧气发生反应，不易发生退化；且器件制备工艺简单。
一种异质结半导体光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种异质结GeSe/TiO2-CN202110464588.6有效
发明人：雷双瑛;江源长;洪嘉祥;陈洁;黄庆安 -专利权人：东南大学
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：本文发明公开了一种异质结GeSe/TiO2复合光催化剂及其制备方法，利用GeSe和TiO2接触形成Ⅱ型异质结，能有效分离光生空穴和电子，从而延长其寿命，显著提高催化效能。所述光催化剂引入了GeSe，这种材料带隙相对TiO2较小，能接受的有效光范围更广，有效提升了光能利用效率。所述光催化剂GeSe/TiO2的反应机理为Z‑scheme，有效的分离了氧化活性位点和还原活性位点，从而提高了整体的光催化活性，使产氢量大大提高。
一种异质结 gese tio base sub