专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种碳化硅晶须增强铜基复合材料的制备方法-CN202310922721.7在审
  • 赖丽燕;毕愈潇;王桂莲;张炎鑫;丁桂甫;李以贵 - 上海应用技术大学
  • 2023-08-22 - 2023-10-24 - C25D9/08
  • 本发明公开了一种碳化硅晶须增强铜基复合材料的制备方法,包括如下步骤:将SiCw粉体加入电镀液中,搅拌,制备得到含SiCw的电镀液;将阴极极板、阳极极板插入含SiCw的电镀液中,搅拌下进行电沉积,在阴极极板上沉积得到碳化硅晶须增强铜基复合材料,其中阳极极板为电解铜阳极板。本发明制备过程大多在水溶液中进行,无需高温,避免了传统高温工艺中的剧烈界面反应,且电沉积过程中的液相体系持续搅拌使SiCw均匀分散,可有效地避免SiCw的二次团聚,保持SiCw在Cu基体中分布均匀,解决了复合材料孔隙率高的问题。本发明的碳化硅晶须增强铜基复合材料,SiCw在Cu基体中分布均匀、界面致密无孔,具有较好的力学性能。
  • 一种碳化硅增强复合材料制备方法

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