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[发明专利]半导体结构形成方法和该结构-CN200680040720.4无效
发明人：翁－耶·希恩;陈建;比希－安·阮;马里亚姆·G·萨达卡;张达 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2006-10-20 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L31/00 文献下载
摘要：形成半导体结构包括：提供具有叠置在绝缘层(12)上的应变半导体层(14)的衬底(10)，提供用于形成具有第一导电类型的第一多个器件的第一器件区域(18)；提供用于形成具有第二导电类型的第二多个器件的第二器件区域(20)，以及加厚在第二器件区域中的应变半导体层，从而在第二器件区域中的应变半导体层的应变小于在第一器件区域中的应变半导体层。可选地，形成半导体结构包括：提供具有第一导电类型的第一区域(18)，形成叠置在至少第一区域的有源区(32)上的绝缘层(34)，各向异性刻蚀该绝缘层，以及在各向异性刻蚀该绝缘层之后，叠置于该绝缘层至少一部分上沉积栅电极材料(46)。
半导体结构形成方法

[发明专利]在SOI晶片中包括凹陷的源/漏区的半导体制造工艺-CN200580042556.6有效
发明人：翁－耶·希恩;布莱恩·J·古尔斯比;比希－安·阮;西恩·T·阮;塔布·A·斯蒂芬斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2007-11-21 - 主分类号： H01R13/44 文献下载
摘要：本发明提供一种在绝缘体上硅(SOI)晶片(101)中形成具有凹陷的源/漏的晶体管的方法，其包括：在晶片的有源层中形成隔离结构(110)，其中该隔离结构优选延伸通过该有源层至晶片的BOX层(104)。移除该有源层的上部以形成晶体管沟道结构。在该沟道结构上(143，145)形成栅介质(120)，并在该栅介质上形成栅结构(140)。执行通过栅介质的暴露部分、沟道结构和BOX层的刻蚀，然后从衬底体块(102)的暴露部分外延生长源/漏结构(160)。该隔离结构和BOX都主要包括氧化硅，并且该隔离结构的厚度防止部分的BOX层被刻蚀。
soi 晶片包括凹陷半导体制造工艺

[发明专利]缓变半导体层-CN200580027928.8有效
发明人：马里亚姆·G·萨达卡;肖恩·G·托马斯;泰德·R·怀特;刘春利;亚历山大·L·巴尔;比希－安·阮;翁－耶·希恩 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2005-08-08 - 公布日： 2007-07-25 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种用于形成半导体器件的工艺。该工艺包括形成模板层(207)，用于形成应变硅层(305)。在一个示例中，形成缓变的锗硅层(107)，其中锗在下面部分处具有较高的浓度，而在顶部部分处具有较低的浓度。当经历缩合工艺时，该层的顶部部分的锗扩散到锗硅层的剩余部分。由于锗硅层在下面部分处具有较高的锗浓度，因此可以减少缩合之后在锗硅层的剩余部分的上面部分处积累的锗。
半导体

[发明专利]具有不同晶格常数材料的半导体结构及其形成方法-CN200480026575.5有效
发明人：刘春丽;亚历山大·L·巴尔;约翰·M·格兰特;比希－安·阮;马里乌斯·K·奥尔沃夫斯基;塔伯·A·斯蒂芬斯;泰德·R·怀特;肖恩·G·托马斯 -专利权人：飞思卡尔半导体公司
申请日： 2004-09-27 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种半导体结构(10)，其包括衬底，该衬底含有具有第一晶格常数的第一弛豫半导体材料。半导体器件层(34)覆盖该衬底，其中，该半导体器件层包括第二弛豫半导体材料(22)，其具有不同于该第一晶格常数的第二晶格常数。此外，在该衬底与该半导体器件层间插入介电层，其中，该介电层插入在该衬底与该半导体器件层之间，其中，该介电层包括安置在该介电层中的循序过渡带，用于在该第一晶格常数与该第二晶格常数间过渡。该循序过渡带包括多个层，该多个层中的邻接层具有不同的晶格常数，邻接层中的一个具有超过形成缺陷所必需的第一临界厚度的第一厚度，邻接层的另一个具有未超过第二临界厚度的第二厚度。该多个层的每一邻接层形成界面，用于促使该过渡带中的缺陷迁移至并终止于该循序过渡带的边缘。还公开了一种制造该半导体结构的方法。
具有不同晶格常数材料半导体结构及其形成方法

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