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[发明专利]磁制冷装置及制冷循环装置-CN202080099771.4有效
发明人： 殿冈俊;小笠原敦;松田哲也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-04-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： F25B21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够抑制装置的大型化、复杂化、高成本化的磁制冷装置及制冷循环装置。磁制冷装置(100)具备磁热材料(20)、第一配管(61)、第二配管(62)、磁场产生部(30)及切换部(40)。第一配管(61)从箭头(51)所示的第一制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。第二配管(62)从与第一制冷剂方向不同的第二制冷剂方向向磁热材料(20)供给制冷剂。磁场产生部(30)能够对磁热材料(20)施加磁场。切换部(40)通过由磁场产生部(30)产生的磁场来切换第一状态和第二状态。在第一状态下，制冷剂从第一配管(61)向磁热材料(20)供给。在第二状态下，制冷剂从第二配管(62)向磁热材料(20)供给。
制冷装置循环

[发明专利]磁制冷装置-CN202080102906.8有效
发明人：小笠原敦;殿冈俊;松田哲也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-07-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： F28D7/04 文献下载
摘要：磁制冷装置(100)具备磁热容器(1)、磁场产生装置(8)、高温侧热交换器(11)、低温侧热交换器(12)和泵(13)。在磁热容器(1)中填充有磁热材料(2)。泵(13)构成为能够以在高温侧热交换器(11)与低温侧热交换器(12)之间经由磁热容器(1)往返的方式输送热输送介质(4)。磁热容器(1)具有构成为在同一平面上卷起涡旋的涡旋形状，且构成为使由泵(13)输送的热输送介质(4)沿着涡旋形状流动。
制冷装置

[发明专利]磁制冷机-CN202080100647.5有效
发明人：松田哲也;殿冈俊;小笠原敦 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-05-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： F25B21/00 文献下载
摘要：磁制冷机(200)具备磁制冷用电磁铁(100)。磁制冷用电磁铁包括：旁轭(1)；至少1组对置磁极(2、3)，在旁轭(1)的内侧，相互隔开间隙(6A)地配置；配管(9A)，配置于间隙内，且流过热输送介质；磁热构件(10A)，配置于配管的内部且与热输送介质热交换；以及线圈(7)，包围至少1组对置磁极中的至少一方，且在通电时产生通过间隙的磁通。
制冷机

[发明专利]磁微粒成像装置-CN202080099671.1在审
发明人：野村航大;片桐高大;松田哲也;殿冈俊;山内一辉 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01N27/74 文献下载
摘要：静磁场产生器(2)产生无磁场区域。交流磁场施加器(3)对无磁场区域施加交流磁场。检测线圈(1)为了检测磁化信号而具有与交流磁场的方向平行的轴。测量器(4)与检测线圈(1)连接。谐振频率可变器(5)为了调整检测线圈(1)和测量器(4)的谐振频率，包括与检测线圈(1)并联连接的电容器。以使包括检测线圈(1)、测量器(4)以及包含电容器的谐振频率可变器(5)的闭合电路的谐振频率与高次谐波信号的频率一致的方式调整电容器的容量。
微粒成像装置

[发明专利]磁热泵及磁制冷循环装置-CN202080100993.3在审
发明人：小笠原敦;殿冈俊;松田哲也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： F25B21/00 文献下载
摘要：磁热泵(100)具备磁热构件(1)、叶轮(2)、变形构件(3)、框体(4)、电动机(5)及磁场产生部(6)。叶轮(2)具有在相对于中心轴(CA)的周向上排列形成并收容磁热构件(1)的收容室(2C)。变形构件(3)面向收容室，并且形状独立地变化。在框体(4)形成有收容磁热构件、叶轮及变形构件并供热输送介质流通的内部空间、第一流入口(P1)以及在周向上与第一流入口隔开间隔地配置的第一流出口(P2)。电动机(5)使磁热构件、叶轮及变形构件沿在周向上从第一流入口朝向第一流出口的第一方向(A)一体地旋转。磁场产生部(6)在内部空间中的在第一方向上从第一流入口到达第一流出口的第一区域产生沿着第一方向增强的磁场。变形构件的形状伴随着旋转而独立地变化。收容室的容积伴随着变形构件的形状的变化而独立地增减。收容室位于第一区域时的容积比收容室位于第二区域时的容积及收容室位于在第一方向上位于比第一流出口靠前的位置的第三区域时的容积大。
磁热泵制冷循环装置

[发明专利]半导体装置-CN202010187073.1在审
发明人：大坪义贵;殿冈俊;松田哲也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-03-17 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：目的在于提供能够抑制电流路径的截面积的减小，并且提高熔断特性的半导体装置。具有半导体元件、端子电极以及内部配线。半导体元件被收容于壳体。端子电极以能够与壳体的外部电连接的方式而设置。内部配线设置于壳体内，将半导体元件与端子电极之间电连接。内部配线在内部配线的一部分包含通过过电流而熔断的熔断部。熔断部包含一组并列配线即多根金属线。多根金属线中的一根金属线的电阻值比在一根金属线的外侧配线的其它金属线的电阻值高。
半导体装置

[发明专利]具有反相Hk结构的垂直磁记录介质-CN201210177713.6无效
发明人： 殿冈俊;棚桥究;中川宏之;玉井一郎 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明涉及具有反相Hk结构的垂直磁记录介质。根据一个实施方式，垂直磁记录介质包含特征为磁各向异性Ku1的第一粒状记录层、在该第一粒状记录层上且特征为磁各向异性Ku2的第二粒状记录层和在该第二粒状记录层上且特征为磁各向异性Ku3的第三粒状记录层，其中Ku3Ku1。在另一实施方式中，磁介质包含具有处于第一比率X1的第一CoCrPt合金的第一记录层、在该第一记录层上并具有处于第二比率X2的第二CoCrPt合金的第二记录层和在该第二记录层上具有处于第三比率X3的第三CoCrPt合金的第三记录层，各比率定义为各CoCrPt合金中Pt的浓度除以Cr的浓度，其中X3X1。
具有 hk 结构垂直记录介质

[发明专利]垂直磁记录介质及其制造和相应的磁存储装置-CN201010202485.4有效
发明人： 殿冈俊;荒井礼子;中川宏之;棚桥究 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2010-06-09 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：垂直磁记录介质及其制造和相应的磁存储装置。根据一个实施方案，垂直磁记录介质包括在衬底上方的至少一个软磁性底层；在所述至少一个软磁性底层上方的晶种层；在所述晶种层上方的中间层；在所述中间层上方的磁记录层；以及在所述磁记录层上方的保护层，其中所述晶种层包括在第一晶种层上方的第二晶种层。在另一个实施方案中，所述晶种层为至少两个周期的层积膜单元的层积结构，所述层积膜单元包括第一晶种层和第二晶种层。所述第一晶种层包括具有面心立方(FCC)结构的非磁性合金，以及所述第二晶种层包括具有FCC结构的软磁性合金。根据更多的实施方案，还公开了其他结构。
垂直记录介质及其制造相应存储装置

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