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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]InP HEMT小信号等效电路模型、参数提取方法、设备和介质-CN202111681602.4在审
发明人：吕红亮;戚军军;安维;段兰燕 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2021-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F30/331 文献下载
摘要：本发明涉及微电子器件技术领域，公开了一种InP HEMT小信号等效电路模型、参数提取方法、设备和介质。其中等效电路模型包括：栅极、漏极、源极、本征模块、栅极寄生模块、源极寄生模块、漏极寄生模块以及栅漏寄生模块；栅极、漏极、源极分别通过栅极、漏极、源极寄生模块连接至本征模块的栅极、漏极、源极内节点；栅漏寄生模块的两端分别连接栅极、漏极寄生模块；模型还包括栅极、漏极和栅漏分布电容；栅极、漏极分布电容的第一端接地，第二端连接至栅漏寄生模块的两端和栅极、漏极寄生模块各自的连接处；栅漏分布电容的两端分别连接至栅漏寄生模块的第一、第二端和栅极寄生模块的连接处。能够反映实际器件中的分布效应。
inp hemt 信号等效电路模型参数提取方法设备介质

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