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[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法-CN201110248357.8无效
发明人： 武隈育子;中村公夫;佐山淳一;根本广明 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明提供具有足以实现1万亿比特/cm2以上的面记录密度的垂直磁各向异性能量和结晶粒径、且批量生产性优良的垂直磁记录介质及其制造方法。该制造方法是在基板上依次形成基板温度控制层、基底层、磁记录层。磁记录层通过将由第一工序和第二工序构成的磁性层层叠工序重复进行N次(N≥2)来形成，其中，所述第一工序是将基板在加热室内进行加热，所述第二工序是将由添加有选自C、Si氧化物中的至少一种非磁性材料且以FePt为主的合金构成的磁记录层在制膜室内进行制膜。
垂直记录介质及其制造方法

[发明专利]垂直磁记录介质以及使用其的磁记录和再现装置-CN200810214918.0有效
发明人：根本广明;武隈育子;张振刚 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2008-08-28 - 公布日： 2009-03-04 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：垂直磁记录介质和使用垂直磁记录介质的磁记录和再现装置。垂直磁记录介质具有衬底、磁记录层和保护层。磁记录层15包括形成在衬底上的第一磁性层15a、磁耦合层15b、第二磁性层15c和第三磁性层15d。第一磁性层15a和第二磁性层15c是包含氧化物且通过磁耦合层15b彼此铁磁耦合的垂直磁化薄膜，更优选是包含有氧化物的Co合金层。第三磁性层15d与第二磁性层15c铁磁耦合。包含在第三磁性层15d中的氧化物浓度低于第二记录层15c中的氧化物浓度，或第三磁性层15b不包含氧化物。对第一磁性层的各向异性磁场Hk1和第二磁性层15c的各向异性磁场Hk2设置磁特性使得满足：Hk1＞Hk2。
垂直记录介质以及使用再现装置

[发明专利]垂直磁记录介质及使用该垂直磁记录介质的硬盘驱动器-CN200810003551.8无效
发明人：张振刚;武隈育子;棚桥究 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2008-01-18 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本申请涉及垂直磁记录介质及使用该垂直磁记录介质的硬盘驱动器。提供一种由于交换弹性效果而具有改进的写性能并能稳定制造的垂直磁记录介质。一种垂直磁记录介质，包括非磁性基底；粘结层；软磁底层；籽晶层；中间层；至少包括垂直记录层、写协助层以及设置在垂直记录层和写协助层之间的磁耦合层的磁记录层；保护层以及润滑层，其中，磁耦合层的饱和磁化强度低于写协助层的饱和磁化强度，磁耦合层的饱和磁化强度是300kA/m(300emu/cc)或更低，以及磁耦合层的厚度是1nm或以上和3nm或以下。
垂直记录介质使用硬盘驱动器

[发明专利]磁存储装置-CN200710091957.1无效
发明人：中川宏之;武隈育子 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：通过使用显示出良好记录再现性能的垂直磁记录介质与屏蔽磁极磁头结合，实现比现有技术更高的记录。使用垂直磁记录介质和屏蔽磁极磁头。该屏蔽磁极磁头包括具有主磁极和辅助磁极的单极型写入器，还经由非磁性间隙层设置磁屏蔽，以便至少覆盖主磁极的尾侧的向下磁道方向。垂直磁记录介质具有两个记录层。第一记录层包括具有Co作为主要成分并至少包含Cr和Pt的铁磁晶粒以及包含氧化物的晶界。第二记录层包括具有Co作为主要成分以及至少包含Cr和不包含氧化物的合金。第一记录层的饱和磁化强度Ms1(kA/m)，第二记录层的饱和磁化强度Ms2(kA/m)以及软磁下层(nm)的薄膜厚度ts(nm)满足以下关系：20+0.033＊ts²+2.3＊ts≤4/3＊Ms1－Ms2≤329－0.024＊ts²+1.9＊ts。
存储装置

[发明专利]垂直磁记录介质、评估其磁性能的方法以及磁记录设备-CN200710085558.4无效
发明人：根本广明;武隈育子;细江让 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2007-03-12 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：提供一种容易记录的垂直磁记录介质，该介质提供记录磁化的优越热稳定性，以及允许高密度记录。使用具有控制磁性能的垂直磁层作为垂直磁记录介质的磁存储层，磁性被控制，使得垂直磁层中的磁化切换场的分散的指示物σh_sw[％]和垂直磁层中的薄膜表面方向上的交换相互作用的强度的指示符D_n[nm]满足不等式σh_sw/27+D_n/90＜1，并且D_n＞20。可以使用磁强计测量该指示物。
垂直记录介质评估磁性方法以及设备

[发明专利]垂直磁记录介质及其制造方法-CN200510089674.4无效
发明人： 武隈育子;玉井一郎;平山义幸;细江让;本田好范 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2005-08-08 - 公布日： 2006-03-22 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明的目的是减少氧化物粒状介质的颗粒间交换耦合并获得高介质S/N值，由此达到大于每平方厘米23千兆位以上的面记录密度。为此目的，形成包含在基片上按顺序层压软磁底层、包括钌的下中间层、由钌晶粒和氧化物晶界组成的上中间层以及由晶粒和氧化物晶界组成的磁记录层的结构，在上中间层的钌晶粒上外延生长磁记录层的晶粒，并且在上中间层的晶界上生长磁记录层的晶界。
垂直记录介质及其制造方法

[发明专利]重直磁记录介质及使用该介质的磁存储设备-CN200410061537.5无效
发明人：中川宏之;武隈育子;平山义幸;细江让 -专利权人：日立环球储存科技荷兰有限公司
申请日： 2004-12-24 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： G11B5/667 文献下载
摘要：本发明提供一种垂直磁记录介质，其不仅可在中间层厚度等于或小于20nm的介质的区域获得磁记录层中晶粒间的磁隔离，而且具有优良的结晶织构，具有较低的介质噪声，优良的热稳定性和高可写性。该垂直磁记录介质至少具有顺序形成在基底11上的软磁性衬层13、第一中间层14、第二中间层15、第三中间层16和磁记录层17，磁记录层由铁磁性晶粒和氧化物或氮化物构成，第三中间层由Ru或Ru合金构成，第二中间层由面心立方晶格结构的金属或合金构成，第一中间层由六方密堆结构的金属或合金构成。
重直磁记录介质使用存储设备

[发明专利]垂直磁记录介质-CN03104714.9无效
发明人：平山义幸;中川宏之;根本广明;玉井一郎;武隈育子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-02-25 - 公布日： 2004-03-03 - 主分类号： G11B5/66 文献下载
摘要：本发明涉及可大容量记录信息的磁记录介质及其制造方法，以及使用该介质的磁存储装置。作为通过衬里软磁性膜，在非磁性基板上设置垂直磁化膜的垂直磁记录介质的制造方法，在形成衬里软磁性膜的步骤和形成垂直磁化膜的步骤之间，具有形成含有氧、硅、碳中任何一种非金属元素含有层的步骤和在含非金属元素含有层的表面上形成孤岛状构造的金属层的步骤的至少2个步骤，最好使孤岛状构造的金属层平均膜厚为0.1－2nm。由此可使垂直磁记录介质的记录层的晶粒形成磁孤立化、细微化、及均匀化，同时使中间层形成薄膜化，从而可提供介质噪音小、热波动强、记录效率高、和记录分辨能力高的垂直磁记录介质，及使用该介质可进行高密度记录的磁存储装置。
垂直记录介质

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