专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]发光装置-CN202310320241.3在审
  • 石井贵士;若木贵功;武藏直树 - 日亚化学工业株式会社
  • 2023-03-29 - 2023-10-17 - H01L33/50
  • 本发明提供一种抑制射出光的光学部件的角的区域中的射出光的亮度的降低的发光装置。发光装置具备基板;配置在上述基板上的发光元件;配置在发光元件上且具有第一面的波长转换部件;从第一面向上方远离配置的光学部件;配置在波长转换部件与光学部件之间,具有比光学部件的折射率低的折射率的透光层;以及包围发光元件、波长转换部件、透光层以及光学部件的光反射性部件。光学部件在上述上表面包含第一区域以及与第一区域相邻的第二区域。第一区域包含相对于第一面的内角为第一角度的第一射出面。第二区域包含比第一角度小的第二角度的第二射出面。第二区域位于光学部件的一个角的区域。
  • 发光装置
  • [发明专利]层叠片-CN201480020035.X有效
  • 武藏直树;今川一兵;内嶋一朗;三村育夫 - 日本电石工业株式会社
  • 2014-04-09 - 2017-03-08 - B32B5/16
  • 一种层叠片(1),具备第1树脂层(10)、第2树脂层(20)、含粒子层(30)和中间层(40),所述含粒子层(30)至少层叠在上述第1树脂层(10)与上述第2树脂层(20)之间,包含多个粒子和形成于上述粒子之间的空隙(36),所述中间层(40)层叠于选自上述第1树脂层(10)与上述含粒子层(30)之间和上述第2树脂层(20)与上述含粒子层(30)之间的至少一方之间,并且所述中间层(40)包含来自于共聚物和能够将上述共聚物交联的交联剂的结构部分,其交联密度超过0且为450mol/m3以下,所述共聚物的重均分子量(Mw)为30万以上且由重均分子量(Mw)与数均分子量(Mn)的比表示的分子量分布(Mw/Mn)为6.0以下。
  • 层叠
  • [发明专利]光学复合片-CN201280007518.7有效
  • 三村育夫;芝田敦司;武藏直树;服部慎也;今川一兵 - 日本电石工业株式会社
  • 2012-02-01 - 2013-10-02 - G02B5/02
  • 本发明以提供能够适当地传播光的光学复合片为目的。光学复合片(1),具备:第1光学层(10)和第2光学层(20);以及层叠在第1光学层(10)与第2光学层(20)之间的低折射率层(30),低折射率层(30)包含多个中空颗粒(50),与第1光学层(10)和第2光学层(20)相比折射率更低。由于低折射率层(30)包含多个中空颗粒(50),因此通过中空颗粒(50)内的空间,能够整体上降低折射率。因此,在第1光学层(10)传播的光在第1光学层(10)与低折射率层(30)的边界反射,能够减少光入射到低折射率层(30)。因此,根据这样的光学复合片(1),能够恰当地传播光。
  • 光学复合
  • [发明专利]光学片-CN201180048698.9无效
  • 三村育夫;芝田敦司;武藏直树;服部慎也 - 日本电石工业株式会社
  • 2011-10-05 - 2013-06-12 - G02B5/02
  • 本发明提供一种能够成为所希望的光学特性并且能够削减用于光学模块的光学片的数量并能够减小光学损失的光学片。本发明的一个实施方式所涉及的光学片(11)的特征在于,例如由第一和第二表面(12和13)所构成,在至少具有两个层的光学片(11),至少一个表面(12或者13)或者界面(14a或者15a)为光学元件面,至少一个层为光扩散层(17a或者17b)。
  • 光学
  • [发明专利]氮化物半导体发光元件-CN201180014591.2无效
  • 武藏直树 - 日亚化学工业株式会社
  • 2011-03-23 - 2012-12-19 - H01L33/42
  • 本发明的目的在于提供一种氮化物半导体发光元件,其在p侧氮化物半导体层之上具有透光性电极,且具备可获得p侧氮化物半导体层与透光性电极之间的良好的欧姆接触、晶圆内的正向电压(Vf)的偏差较小的新型的电极。本发明的氮化物半导体发光元件的特征在于:具有n侧氮化物半导体层、p侧氮化物半导体层、及与上述p侧氮化物半导体层邻接的透光性电极,且上述透光性电极包含含有Ge与Si的氧化铟。
  • 氮化物半导体发光元件

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