专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种超微型MEMS节流制冷红外探测器-CN202110020080.7有效
  • 黄立;李晓永;王玲;黄太和;王立保 - 武汉高芯科技有限公司
  • 2021-01-07 - 2022-09-20 - F25B23/00
  • 本发明涉及红外探测技术领域,为一种超微型MEMS节流制冷红外探测器,包括MEMS制冷器和封装杜瓦,MEMS制冷器包括制冷器换热通道,封装杜瓦包括外壳和真空密封于外壳内的陶瓷基板,陶瓷基板的一面与制冷换热通道通过低温胶粘接,另一面上固设有冷屏和芯片,制冷器换热通道包括节流元件、冷流体通道和热流体通道,热流体通道的一端为进气口接高压气体源,另一端经过节流元件后与冷流体通道一端接通,冷流体通道的另一端为出气口通过外壳的通道流向大气。芯片级超微型制冷器采用MEMS技术制备微流通道代替机械缠绕的毛细管,具有工艺新颖、制冷器本身低热质量、尺寸小、振动低和无磁性等特点。
  • 一种微型mems节流制冷红外探测器
  • [实用新型]一种制冷机转子结构及制冷机-CN202221486426.9有效
  • 黄立;刘文吉;孙超;郭亚军;徐涛;左冲 - 武汉高芯科技有限公司
  • 2022-06-14 - 2022-09-20 - H02K1/22
  • 本实用新型涉及斯特林制冷机技术领域,具体提供了一种制冷机转子结构及制冷机,其中,所述转子结构包括:转子,所述转子上设有与之同轴设置的锥形孔;设于所述转子内的转轴,所述转轴上设置有与所述锥形孔相配合的锥形轴;设于所述转子一端的固定帽,所述固定帽与所述锥形轴的小端连接以将所述锥形轴拉紧在所述锥形孔内;本实用新型实施例公开的制冷机转子机构及制冷机,其中,所述制冷机转子结构通过在转子内开设与之同轴设置的锥形孔,并在所述转轴上设置锥形轴以配合锥形孔,在固定帽固定在所述转轴上时,所述固定帽将所述锥形轴拉紧在锥形孔内,在连接过程中,所述转子和所述转轴之间不需要胶水,从而能够防止胶水污染。
  • 一种制冷机转子结构
  • [发明专利]探测器芯片及其制备方法-CN202010256504.5有效
  • 黄立;陈晓静;张传杰;张冰洁;姚柏文 - 武汉高芯科技有限公司
  • 2020-04-02 - 2022-07-22 - H01L31/0352
  • 本发明涉及一种探测器芯片,包括碲镉汞薄膜和芯片结构,芯片结构包括pn结、读出电路和铟柱,pn结形成于碲镉汞薄膜的背面上,读出电路位于碲镉汞薄膜的背面侧并且通过铟柱与pn结连接。另外还涉及探测器芯片的制备方法,包括:将碲镉汞薄膜固定于载体上,其中,碲镉汞薄膜的正面朝向载体;去除碲镉汞薄膜背面的衬底;在碲镉汞薄膜背面上形成pn结,该pn结通过铟柱连接读出电路;去除载体。本发明提供的探测器芯片及其制备方法,通过在碲镉汞薄膜背面成结,该pn结即形成于碲镉汞薄膜的背面高组分材料区(也即外延界面处),可以防止芯片反型,降低探测器芯片的漏电流,增强芯片响应信号,从而显著地提高探测器的工作性能。
  • 探测器芯片及其制备方法
  • [发明专利]一种锑化镓单晶片的抛光方法-CN202010737567.2有效
  • 黄立;严冰;梁红昱;张冰洁;张传杰;刘伟华 - 武汉高芯科技有限公司
  • 2020-07-28 - 2022-07-22 - B24B7/22
  • 本发明提供了一种锑化镓单晶片的抛光方法,包括如下步骤:1)对锑化镓单晶片进行双面磨削,去除锑化镓单晶片表面的损伤;2)对磨削后的锑化镓单晶片采用抛光布配合抛光液进行化学机械抛光;3)对化学机械抛光后的锑化镓单晶片进行取片清洗。该发明通过对抛光液的组分和含量,以及与之配合的抛光布进行选择优化,实现了锑化镓单晶片抛光的一步成型,无需经过粗抛、中抛、精抛三步抛光,工艺简单,稳定性好,且锑化镓单晶片抛光后表面质量高,无划痕和起雾的缺陷,表面粗糙度低,可达到粗糙度值Ra小于0.15nm。
  • 一种锑化镓单晶片抛光方法
  • [发明专利]InAs/InSb应变超晶格材料及其制备方法-CN202210149194.6有效
  • 黄立;魏国帅;刘永锋;吴佳;刘芊栾;王晓碧 - 武汉高芯科技有限公司
  • 2022-02-18 - 2022-07-22 - C30B29/68
  • 本发明提供一种InAs/InSb应变超晶格材料的制备方法,包括:S1,提供一衬底;S2,在所述衬底上外延生长缓冲层;S3,在所述缓冲层上外延生长若干个周期的InAs/InSb超晶格结构,每个周期的InAs/InSb超晶格结构包括InAs层和InSb层,其中,InAs层和InSb层的生长采用不同的In源炉。另外,本发明还提供基于该制备方法所获得的InAs/InSb应变超晶格材料。本发明在InAs/InSb超晶格结构的生长过程中,采用两个不同的In源炉,可以分别调整两种In源的速度,使之分别适合于InAs层和较薄的InSb层的生长模式,从而有效避免了生长InAs/InSb超晶格时三维岛状结构的形成,能显著地提高InAs/InSb超晶格结构的生产效率、降低生产成本,以及提高InAs/InSb应变超晶格材料的质量和性能。
  • inasinsb应变晶格材料及其制备方法

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