专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种InAs QD嵌入式HEMT的力敏传感结构-CN202111612333.6在审
  • 王晨光;刘丽双;王瑞荣;贾旭光;武亮伟;李欣 - 中北大学
  • 2021-12-27 - 2023-03-28 - G01L1/00
  • 本发明公开一种InAs QD嵌入式HEMT的力敏传感结构,在半绝缘GaAs衬底上依次生长高纯度的GaAs缓冲层、高浓度的GaAs/AlGaAs超晶格层、高纯度的GaAs沟道层、InAs量子点层、高纯度的AlGaAs隔离层、Si平面掺杂隔离层、n‑AlGaAs势垒层、高纯度的GaAs隔离层、高掺杂GaAs欧姆接触层;然后在高掺杂GaAs欧姆接触层上加工源极、漏极欧姆接触。电学特性测试表明QD‑HEMT结构设计合理,应力作用下QD‑HEMT结构的输出特性曲线发生变化,表明QD‑HEMT具有较强的力电耦合特性。力敏特性测试结果表明,在0‑100KPa应力范围内,传感器的灵敏度为1.09mV/KPa。
  • 一种inasqd嵌入式hemt传感结构
  • [发明专利]一种基于InAs QD-HEMT结构的力敏测试系统-CN202111612348.2在审
  • 刘丽双;王瑞荣;王晨光;武亮伟;高伟;朱诗宁 - 中北大学
  • 2021-12-27 - 2023-03-28 - G01L1/18
  • 本发明公开一种基于InAs QD‑HEMT结构的力敏测试系统,包括试验箱体10,试验箱体10的底座9上放置陶瓷托盘1,陶瓷托盘1内放置InAs QD‑HEMT结构样品2;InAs QD‑HEMT结构样品2的源极通过导线11与直流稳压电源3相连,漏极欧姆接触处通过导线11高精度万用表4相接;试验箱体10上安装有进气阀7和出气阀8,进气阀7与密封压力罐6相连;进气阀7和出气阀8通过压力控制器5控制动作;试验箱体10内安装压力传感器,压力传感器输出信号至压力控制器5。本发明对研制新一代MEMS力敏传感器有着重要的意义和价值,将服务于未来各个领域,特别是灵敏度要求较高的电子、国防、航空航天等力敏测量。
  • 一种基于inasqdhemt结构测试系统
  • [发明专利]一种基于磁致法拉第旋光效应的加速度传感器-CN202010722797.1有效
  • 郭浩;刘俊;唐军;武亮伟;马宗敏;李中豪;温焕飞;石云波 - 中北大学
  • 2020-07-24 - 2022-08-16 - G01P15/105
  • 本发明公开了一种基于磁致法拉第旋光效应的加速度传感器,具体为:双端固支悬臂梁质量块结构8的中心质量块上嵌入磁性薄膜7;悬臂梁质量块结构上方设有玻璃基底6,玻璃基底表面沉积有磁光晶体5,磁光晶体一端通过光纤Ⅰ4a连接起偏器3,起偏器的入射光方向设有平凸镜Ⅰ2a,平凸镜Ⅰ的入射光方向设有激光器1;磁光晶体另一端通过光纤Ⅱ4b连接弹光调制器10,弹光调制器的出射光方向依次设有检偏器11、平凸镜Ⅱ2b、光电探测器12、前置放大器13、锁相放大器14。当有加速度信号时,诱导磁性薄膜磁场变化,从而引起磁光晶体线偏振光发生旋光效应,产生旋光角,通过检测加速度诱导的磁致旋光角,实现对微弱加速度参数高精度测量。
  • 一种基于法拉第效应加速度传感器

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