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[发明专利]二次电池-CN201380039207.3有效
发明人：植松育生;速水直哉;樱井直明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-08-03 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01M2/16 文献下载
摘要：实施方式的二次电池具备外包装容器和收纳在所述外包装容器内的电极结构体及电解质。所述电极结构体(24)含有正极(18)、负极(20)和配置在正极(18)与负极(20)之间的隔膜。隔膜含有堆积在正极及负极中的至少一方上的有机纤维层(23)。有机纤维层(23)具有有机纤维交叉、且其交叉的形态根据抗拉应力而变化的接点。
二次电池

[发明专利]二次电池电极以及锂离子二次电池-CN201410088957.6无效
发明人：植松育生;樱井直明;速水直哉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-03-12 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明的二次电池电极具备集电体和设置在所述集电体之上的层。所述层具有多个活性物质体和纤维。所述纤维设置在所述多个活性物质体内相邻的活性物质体之间。所述相邻的活性物质体通过所述纤维而相互连接。
二次电池电极以及锂离子

[发明专利]电池用电极材料及其糊剂、使用其的太阳能电池、蓄电池及太阳能电池的制造方法-CN201310075221.0有效
发明人：徳野阳子;中具道;樱井直明;佐佐木亮人;早濑修二 -专利权人：株式会社东芝;东芝高新材料公司
申请日： 2013-03-08 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01G9/20 文献下载
摘要：本发明提供电池用电极材料、电池用电极材料糊剂及使用其的太阳能电池、蓄电池及太阳能电池的制造方法。所述电池用电极材料在氧化钨粉末或氧化钨复合材料粉末上具备被膜部，所述被膜部含有选自金属氧化物、硅氧化物、金属氮化物、硅氮化物之中的至少1种以上。
电池用电材料及其使用太阳能电池蓄电池制造方法

[发明专利]半导体发光装置及其制备方法-CN201210068814.X有效
发明人：小泉洋;樱井直明;杉崎吉昭;冈田康秀;中具道;上北将广;小岛章弘;秋元阳介 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：根据一个实施方案，半导体发光装置包括发光部和波长转换部。配置所述发光部以发光。所述波长转换部设于所述发光部的一个主表面侧上。所述波长转换部含有磷光体。所述波长转换部的磷光体的量的分布基于从所述发光部发出的光的波长。
半导体发光装置及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法-CN201210067449.0无效
发明人：泽田雅人;佐野准治;中具道;樱井直明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-14 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01G9/08 文献下载
摘要：根据一个实施方案，太阳能电池包括第一基板、第二基板、第一电极、第二电极、负载单元、密封单元、渗透抑制单元和电解液。第一电极设置在第一基板的主表面上。第二电极设置在第二基板的主表面上。负载单元设置在第二电极上。负载单元设置为用来负载敏化染料。密封单元设置为用来密封第一基板的外周缘和第二基板的外周缘。渗透抑制单元设置在密封单元内侧的负载单元周围。电解液设置在渗透抑制单元内侧。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]有机发光装置、照明设备、显示设备以及有机发光装置的制造方法-CN201110045706.6无效
发明人：佐野准治;泽田雅人;樱井直明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：根据一个实施例，有机发光装置包括：具有挠性的基材；提供于基材上的有机发光元件；以及覆盖有机发光元件的保护膜。保护膜包括：提供于有机发光元件上并覆盖有机发光元件的第一无机层；提供于第一无机层上的含有有机聚合物并具有挠性的挠性层；提供于挠性层上并覆盖挠性层的第二无机层。
有机发光装置照明设备显示设备以及制造方法

[发明专利]发光装置、发光装置的制造方法及发光装置的制造设备-CN201110042922.5无效
发明人：小泉洋;冈田康秀;山边纯成;樱井直明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2011-02-18 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：根据一个实施方案，发光装置包括壳体部件、设置于壳体部件中的发光元件、第一发光体层和第二发光体层。所述第一发光体层设置于所述发光元件上并含有第一发光体。第二发光体层设置于所述第一发光体层上并含有第二发光体。所述第一发光体的发光效率高于所述第二发光体的发光效率。
发光装置制造方法设备

[发明专利]成膜装置、成膜方法和半导体装置-CN200980135993.0有效
发明人：佐藤强;近藤弘康;樱井直明;添田胜之;大城健一;木村修一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置(1)，具有：负载涂布对象物(W)的平台(2)，使平台(2)在水平面内旋转的旋转机构(3)，在平台(2)上负载的涂布对象物(W)上的规定区域中涂布材料而形成涂布膜(M)的涂布部(4)，产生能溶解涂布膜(M)的溶剂蒸气的供气部(5)，对在平台(2)上负载的涂布对象物(W)上的涂布膜(M)喷吹由供气部(5)产生的溶剂蒸气的喷吹部(6)，控制由喷吹部(6)喷吹的上述溶剂蒸气量，使其为能溶解涂布膜(M)、涂布膜(M)的表层侧部分的粘度比涂布对象物(W)侧部分的粘度低的量的控制部(9)。
装置方法半导体

[发明专利]加热装置-CN201010283873.X无效
发明人： 樱井直明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-09-13 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H05B6/80 文献下载
摘要：本发明提供一种加热装置，利用微波加热被加热物时能够抑制被加热物中所含的营养素分解。其特征在于：具有：加热室，用于收容被加热物；加热机构，对上述被加热物供给微波，加热上述被加热物；和喷雾机构，对上述被加热物进行抗氧化剂的喷雾。
加热装置

[发明专利]涂布装置、涂布体的制造方法及流体喷出装置-CN200880006435.X有效
发明人：佐藤强;近藤弘康;樱井直明;山边纯成;添田胜之;小泉洋;木村修一;木下静雄 -专利权人：株式会社东芝;佳能株式会社
申请日： 2008-02-27 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： B05C9/14 文献下载
摘要：在涂布装置(1)中，包括：液滴喷射部，所述液滴喷射部向涂布对象物(2)喷射第一溶液的液滴，在涂布对象物(2)上涂布液滴；重新润湿干燥部(6)，所述重新润湿干燥部(6)赋予涂布到涂布对象物(2)上的第一溶液残留物能够溶解残留物的溶剂，形成作为溶质包含残留物的第二溶液的涂布体，使形成的第二溶液涂布体干燥。
装置涂布体制造方法流体喷出

[发明专利]喷嘴板、喷嘴板的制造方法、液滴喷出头及液滴喷出装置-CN200710185787.3有效
发明人： 樱井直明;山边纯成;小泉洋 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-12-26 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： B41J2/14 文献下载
摘要：本发明提供一种喷嘴板，其特征在于，包括：第1硅层；玻璃层；设置在所述第1硅层与所述玻璃层之间、并与所述玻璃层接合的第2硅层；以及设置在所述第1硅层与所述第2硅层之间的氧化硅层，该喷嘴板形成有：贯通所述第1硅层并喷出液滴的喷嘴孔；贯通所述氧化硅层及所述第2硅层、并与所述喷嘴孔连通的流路；以及形成在所述玻璃层上并与所述流路连通的液室。
喷嘴制造方法喷出装置

[发明专利]液滴喷射装置及涂敷体的制造方法-CN200610172149.3无效
发明人：高林弘德;樱井直明;木名濑淳 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： B41J2/17 文献下载
摘要：本发明提供一种液滴喷射装置，能防止因液体成分的沉淀及液体内的气泡引起的喷出不良。本发明的液滴喷射装置备有液滴喷出头(2)、液体供给流路(21)、液体供给部(17)、液体返回流路(22)和液体返回部(19)。液滴喷出头(2)具有从液体收容部(16)供给来的液体通过的内部流路(2a)，把通过了该内部流路(2a)的液体作为液滴喷出。液体供给流路(21)将液体收容部(16)与液滴喷出头(2)的内部流路(2a)连通。液体供给部(17)设在液体供给流路(21)中，把液体从液体收容部(16)通过液体供给流路(21)供给到液滴喷出头(2)。液体返回流路(22)将液滴喷出头(2)的内部流路(2a)与液体收容部(16)连通。液体返回部(19)设在液体返回流路(22)中，把通过了液滴喷出头(2)的内部流路(2a)的液体，从液滴喷出头(2)通过液体返回流路(22)返回到液体收容部(16)。
喷射装置涂敷体制造方法

[发明专利]涂敷装置及涂敷方法-CN200510084066.4有效
发明人： 樱井直明;佐藤强;五十川昌邦 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-07-12 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： B05C11/00 文献下载
摘要：本发明是有关于一种可使基片上所涂敷的涂敷液的干燥在基片的被涂敷的区域内均匀进行，并可防止涂敷物的不均，且使干燥后的涂敷物的形状有效地均匀形成的涂敷装置及涂敷方法。该涂敷方法在将含有溶质和溶剂的涂敷液在基片上的设定区域上进行涂敷并使溶剂挥发，而在前述基片上形成溶质的固化物的过程中，于结束向前述基片上的设定区域的涂敷之前，使前述基片上进行了涂敷的区域附近的环境，保持为一种对前述溶剂的挥发进行抑制的环境。
装置方法

[发明专利]超声波清洗装置-CN200510082384.7有效
发明人： 樱井直明;藤田博 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-06-24 - 公布日： 2005-12-28 - 主分类号： B08B3/12 文献下载
摘要：本发明提供的超声波清洗装置，利用超声波授予头对被清洗物的被清洗面上的清洗液授予超声波并清洗所述被清洗面，所述超声波授予头具备：与所述被清洗面对向配置的、在位于所述被清洗面侧的第1面上具有曲面部的超声波传输部件，设置在位于所述超声波传输部件的第1面的相反侧的第2面上的、在振荡超声波的同时通过所述超声波传输部件将该超声波授予被清洗面上的清洗液的超声波振动器，以及设置在所述超声波传输部件上的、防止授予所述清洗液的超声波由所述被清洗面反射并通过所述超声波传输部件入射到所述超声波振动器的防止部。
超声波清洗装置

[发明专利]抛光布，抛光装置和半导体设备的制备方法-CN200510078598.7无效
发明人：平林英明;斋藤晶子;樱井直明;押部义宏;石户谷昌洋 -专利权人：株式会社东芝;日本油脂株式会社
申请日： 2001-10-03 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： B24B37/04 文献下载
摘要：本发明披露了一种具有擦光层的抛光布，所述擦光层包含在含水介质中可水解的聚合物材料并且在没有进行必须的整修处理下能够显示出相对长时间的稳定的抛光性能。
抛光装置半导体设备制备方法

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