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[发明专利]氮化合物半导体基板的制造方法和氮化合物半导体基板、单晶SiC基板的制造方法和单晶SiC基板-CN200980121625.0有效
发明人：川村启介;泉胜俊;浅村英俊;横山敬志 -专利权人：爱沃特株式会社
申请日： 2009-06-09 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：为了提供可以得到结晶性良好的氮化合物半导体层的氮化合物半导体基板的制造方法，进行如下工序：准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)的工序；将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，使与上述埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留的工序；以及，再使氮化合物半导体层(15)在表面的单晶SiC上外延生长的工序。为了提供可以得到结晶性良好的SiC层的单晶SiC基板的制造方法，进行如下操作：准备具有规定厚度的表面Si层(3)和埋入绝缘层(4)的Si基板(1)，在将上述Si基板(1)在碳系气体气氛中加热使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，在使上述表面Si层(3)变成单晶SiC层(6)时，使与埋入绝缘层(4)之间界面(8)附近的Si层作为残存Si层(5)残留。
氮化半导体制造方法 sic 基板

[发明专利]单晶SiC基板的制造方法和由其得到的单晶SiC基板-CN200880116838.X有效
发明人：泉胜俊;横山敬志 -专利权人：爱沃特株式会社
申请日： 2008-10-29 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：以价格比较低的多晶SiC基板作为母材基板，低价地制造变形小、大型、结晶性好的单晶SiC基板。进行如下工序：P离子导入工序，其对于在Si母材层(2)形成了规定厚度的表面Si层(3)和埋入氧化物层(4)的SOI基板(1)，从所述表面Si层(3)侧注入P离子，从而将所述埋入氧化物层(4)转化成PSG层(6)，使软化点降低；SiC形成工序，其在烃系气体气氛中加热形成了所述PSG层(6)的SOI基板(1)，使所述表面Si层(3)转化成SiC后冷却，在表面形成单晶SiC层(5)。
sic 制造方法得到基板

[发明专利]成膜装置-CN200610004759.2有效
发明人：稻垣彻;白幡孝洋;横山敬志;佐野道宏;堀尾直史 -专利权人：爱沃特株式会社;斯坦雷电气株式会社
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：提供一种成膜装置，在加热状态的处理基板(5)的表面上，使多种的原料气体发生反应而进行成膜，其中所述处理室(1)被分为加热室(1a)与反应室(1b)，在与露出在反应室(1b)的处理基板(5)相对的地方，在与反应室(1b)相连的状态下设置原料气体的排气管(7)，对所述处理基板(5)的表面，在分别独立的状态下提供各原料气体的供给口(11、12)，被配置成位于排气管(7)的外侧。由此在处理基板(5)的附近使原料气体发生反应，在处理基板(5)上形成良好的结晶成膜。本发明的成膜装置可以防止原料气体到达处理基板之前发生反应，使来自处理基板的辐射热的影响最小化，而且可以使反应室的气体的动作更有益于结晶成膜。
装置

[发明专利]晶片的制造方法及其制造装置-CN97111230.4无效
发明人： 横山敬志;山本和马;山本政人;三岛孝博;松田豪;伊藤茂树 -专利权人：空气及水株式会社
申请日： 1997-04-03 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明是将对晶块的构成成分显示高浸蚀特性的浸蚀气体，以分子流线形流动状态供给到晶块的切断预定部，使上述晶块的切断预定部由表面侧逐渐挥发除去，借此最终将切断预定部全部挥发除去，而切出晶片。按照此方法，可以大幅度减薄切断余量，并且可使作业环境保持清洁。而且能够得到平滑的切断面。
晶片制造方法及其装置