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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置-CN202210206026.6在审
发明人：星保幸;森谷友博 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种制作(制造)简单且可靠性高的半导体装置。在边缘终端区2设置有FLR结构20作为耐压结构。FLR结构20由以同心状包围有源区2的周围的多个FLR 101～118构成。FLR 101～118的杂质浓度为小于1×1018/cm3的范围内，优选为3×1017/cm3以上且9×1017/cm3以下的范围内。FLR101～118的厚度t10为0.7μm以上且1.1μm以下。最靠内侧的FLR 101与外周p+型区62a之间的第1间隔w1为1.2μm以下左右的范围内。
半导体装置

[发明专利]磁记录介质-CN201880003388.7有效
发明人：片冈弘康;由沢刚;森谷友博;内田真治;大山浩永;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：提供一种将平均粒径和粒径分散降低的磁记录介质。提供一种具有可适用作磁记录介质的磁特性(磁各向异性能)的磁记录介质。该磁记录介质以一层配置在另一层之上的方式依次包含基板、粒径控制层、第1种晶层、第2种晶层、以及包含有序合金的磁记录层；所述第2种晶层由(i)晶粒和(ii)晶界材料构成；所述晶粒以TiN作为主成分，所述晶界材料以选自金属氧化物和碳中的至少一种以上的材料作为主成分。
记录介质

[发明专利]磁记录介质-CN202011284552.1在审
发明人：片冈弘康;由沢刚;森谷友博;内田真治;大山浩永;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2018-01-29 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： G11B5/73 文献下载
摘要：提供一种将平均粒径和粒径分散降低的磁记录介质。提供一种具有可适用作磁记录介质的磁特性(磁各向异性能)的磁记录介质。该磁记录介质以一层配置在另一层之上的方式依次包含基板、粒径控制层、第1种晶层、第2种晶层、以及包含有序合金的磁记录层；所述第2种晶层由(i)晶粒和(ii)晶界材料构成；所述晶粒以TiN作为主成分，所述晶界材料以选自金属氧化物和碳中的至少一种以上的材料作为主成分。
记录介质

[发明专利]磁记录介质-CN201780002195.5有效
发明人：内田真治;中田仁志;森谷友博;古田旭;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-01-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供垂直磁记录介质，所述垂直磁记录介质使用了具有(002)取向的hcp结构的Ru种晶层，并具有包含适于垂直磁记录的(001)取向的L1₀型有序合金的磁记录层。本发明的磁记录介质依次包含基板、含Ru的第1种晶层、含ZnO的第2种晶层、含MgO的第3种晶层、含有序合金的磁记录层，第1种晶层具有(002)取向的六方最密堆积结构。
记录介质

[发明专利]磁记录介质-CN201680009030.6有效
发明人： 森谷友博;中田仁志;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够没有使面内矫顽力增加并且没有招致磁特性的降低地使磁性材料的居里温度(Tc)降低的磁记录介质。磁记录介质是包含基板和磁记录层的磁记录介质，上述磁记录层包含FePtRh有序合金，上述FePtRh有序合金的Rh含量为10原子％以下。
记录介质

[发明专利]磁记录介质的制造方法-CN201680019575.5有效
发明人： 森谷友博;中田仁志;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种具有含有(Mg_1－_xTi_x)O的种子层和含有L1₀型有序合金的磁记录层的层叠结构、且具有提高了的特性的磁记录介质。本发明的磁记录介质的制造方法包含(1)准备基板的工序；(2)在基板上形成含有(Mg_1－xTi_x)O的种子层的工序；(3)在含有稀有气体的气氛中将种子层等离子蚀刻的工序；(4)在实施了工序(3)的种子层上形成含有有序合金的磁记录层的工序。
记录介质制造方法

[发明专利]磁记录介质-CN201680003018.4有效
发明人：中田仁志;森谷友博;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2016-01-04 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明的课题是提供通过使热辅助磁记录介质的加热记录过程中的比特迁移幅度变小、从而能够实现高记录密度的磁记录介质。本发明的磁记录介质包含非磁性基板和磁记录层，磁记录层含有包含Fe、Pt和Ru的有序合金，以Fe、Pt和Ru的总原子数为基准，有序合金包含x原子％的Fe、y原子％的Pt、和z原子％的Ru，上述x、y和z满足以下的式(i)～(v)：(i)0.85≤x/y≤1.3；(ii)x≤53；(iii)y≤51；(iv)0.6≤z≤20；和(v)x+y+z＝100。
记录介质

[发明专利]磁记录介质及其制造方法-CN201780002234.1有效
发明人：内田真治;中田仁志;森谷友博;古田旭;岛津武仁;大山浩永 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2017-01-06 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：使用种子层提供具有包含适合于垂直磁记录的有序合金的磁记录层的垂直磁记录介质。或者，在确保必要的热稳定性的同时提高记录密度。或者，兼顾磁性层的增厚和粒径的微细化。是一种磁记录介质，其特征在于依次包括基板、第1种子层、含有ZnO的第2种子层、含有MgO的第3种子层、和含有有序合金的磁记录层，且所述第1种子层含有Ru、和选自由氧化物、碳化物及氮化物组成的组中的至少一种。
记录介质及其制造方法

[发明专利]磁记录介质-CN201580002204.1有效
发明人： 森谷友博;中田仁志;菊池洋人;片冈弘康;古田旭;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： G11B5/65 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供一种磁记录层及具有该磁记录层的磁记录介质，该磁记录层具有高磁各向异性常数Ku及低居里温度Tc。本发明所述磁记录介质的特征在于，包含非磁性基板和磁记录层，磁记录层含有有序合金，该有序合金包含选自由Fe和Ni所组成的群中的至少1种元素、选自由Pt、Pd、Au、Rh和Ir所组成的群中的至少1种元素、以及Ru。
记录介质

[发明专利]磁记录介质-CN201580002549.7有效
发明人：古田旭;内田真治;森谷友博;中田仁志;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G11B5/738 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供具有更优异的磁特性的磁记录介质，其具有含有L10系有序合金的磁记录层。就磁记录介质的一个构成而言，按顺序包含：基板、含有ZnO的第1籽晶层、含有MgO的第2籽晶层、以及含有有序合金的磁记录层。
记录介质

[发明专利]磁记录介质的制造方法-CN201580002518.1在审
发明人： 森谷友博;岛津武仁 -专利权人：富士电机株式会社
申请日： 2015-04-20 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G11B5/851 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供包含具有更大的磁各向异性常数Ku的磁记录层的磁记录介质的制造方法。本发明的磁记录介质的制造方法包括：(a)准备基板的工序；(b)将基板加热至350℃以上，使以MgO为主成分的非磁性材料沉积，形成基底层的工序；以及(c)在基底层之上形成磁记录层的工序。
记录介质制造方法

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