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[发明专利]一种高精度多维调节光学精密耦合系统-CN202210273357.1在审
发明人：秦君军;白永林;高佳锐;梁晓祯;曹伟伟;白晓红;李然;郑锦坤;石大莲;吕林蔚;张昭昭 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G02B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高精度多维调节光学精密耦合系统，解决现有空间高能粒子探测实验中，CMOS相机与光纤微孔板采用常用固定式结构，微孔对准精度无法满足μm量级的问题。系统包括安装在HERD箱体侧板上的微孔板安装结构、安装在微孔板安装结构上的光纤微孔板、安装在HERD箱体上且位于侧板外侧的微孔板调整结构及安装在HERD箱体外侧的一体化像增强器；微孔板安装结构包括微孔板安装架、微孔板调节筒、压板、N个弹簧和N个调节螺钉，N个调节螺钉分别穿过N个弹簧、压板、微孔板调节筒与微孔板安装架连接，将安装在微孔板调节筒内的光纤微孔板安装在微孔板安装架上；微孔板调整结构调节微孔板调节筒位置，实现光纤微孔板和一体化像增强器的微孔精密对准。
一种高精度多维调节光学精密耦合系统

[发明专利]一种短余辉荧光粉及其制备方法-CN202211476551.6在审
发明人：邢雪;王志刚;刘倍宏;曹伟伟;白永林;常乐;白晓红;权征;须恃愉;王博;高佳锐;梁晓祯;王超;石大莲;吕林蔚;项俊杰 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所;中国科学院高能物理研究所;北方夜视技术股份有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C09K11/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种短余辉荧光粉及其制备方法，主要解决现有的荧光粉慢衰减余辉时间无法达到微秒量级，进而无法满足高能宇宙辐射探测设施的灵敏度要求的技术问题。该短余辉荧光粉的化学特征表达式为Zn(S1‑x,Ox):Ce3+，其制备方法为：按上述化学特征表达式称取原料，并将其加入去离子水中搅拌均匀，得到混合液；将混合液放入烘箱中烘干，得到混合料；将混合料研磨后在惰性气氛中灼烧，得到灼烧产物；将灼烧产物研磨，用去离子水清洗、烘干、研磨、过筛后得到短余辉荧光粉，该短余辉荧光粉具有发光性能稳定、波长在448‑496nm波段、余辉衰减时间可调的发光特性。
一种余辉荧光粉及其制备方法

[发明专利]CMOS图像传感器、CMOS相机及高动态范围CMOS相机成像方法-CN202211670577.4在审
发明人： 梁晓祯;高佳锐;吕林蔚;曹伟伟;白永林;石大莲;李然;秦君军 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS图像传感器、CMOS相机及高动态范围CMOS相机成像方法，目的是解决CMOS图像传感器的低噪声工艺和像元尺寸优化，过程复杂、时间长，并且需要较大成本投入的技术问题。所述CMOS图像传感器包括有涂层窗口与无涂层窗口；所述有涂层窗口涂一层荧光材料，有涂层窗口用于接收荧光材料发出的光，无涂层窗口用于接收拍照物的光。所述CMOS相机包括CMOS图像传感器，所述CMOS相机通过CMOS图像传感器涂荧光材料的面积比例和不同荧光材料的衰减系数，以及配合相应的二次曝光和数据读出方式，灵活调整动态范围。
cmos 图像传感器相机动态范围成像方法

[发明专利]一种像增强型CMOS相机成像的优化方法-CN202211669480.1在审
发明人： 梁晓祯;高佳锐;曹伟伟;白永林;吕林蔚;石大莲;李然;秦君军 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2022-12-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04N25/531 文献下载
摘要：本发明提供一种像增强型CMOS相机成像的优化方法，目的是解决像增强型CMOS相机卷帘曝光时各行的曝光时间不一致导致图像失真的技术问题。该方法的具体步骤为：1)在像增强型CMOS相机前端的像增强器完成图像增强后，后端的CMOS相机采用卷帘曝光方式进行曝光和数据读出；2)利用像增强器的荧光屏自身余辉特性，根据余辉衰减曲线，计算出卷帘曝光时各个时刻对应的衰减系数k，其第一行曝光的时间点即为余辉衰减曲线的0时刻；衰减系数k由荧光屏选用的荧光粉决定；3)利用衰减系数k和每行的曝光延时，计算各行在余辉衰减曲线0时刻的真实光强值；修正后，使各行的光强值都为处于同一时刻的真实光强值，然后同步成像。
一种增强 cmos 相机成像优化方法

[发明专利]一种智能终端可见光无线通信方法-CN202111459763.9有效
发明人： 梁晓祯;高佳锐;张昭昭;白永林;吕林蔚;李然;孙鑫;石大莲;王超 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：本发明涉及一种智能终端通信方法，具体涉及一种智能终端可见光无线通信方法。克服智能终端可见光无线通信方法存在传输速率低和成本高的问题。包括数据发送过程、数据接收过程及数据输出过程。在数据接收过程利用已经成为智能终端标准配置的摄像头，作为可见光数据接收端，针对摄像头的每行像素，只选取其中一个像素完成可见光通讯的数据接收，减少采样列数及ADC模块转换的时间，完成智能终端与LIFI网络之间的高速数据传输，是LIFI通信技术的一个重大发展。
一种智能终端可见光无线通信方法

[发明专利]一种高能宇宙射线探测用MCP寿命测试方法及系统-CN202211544385.9在审
发明人：郑锦坤;王博;白永林;曹伟伟;秦君军;白晓红;高佳锐;梁晓祯 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2022-12-04 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01T7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种高能宇宙射线探测用MCP寿命测试方法及系统，用于解决目前通过标记像增强器的输出亮度增益变化来评估MCP寿命的方法容易产生系统误差的技术问题。本发明的测试方法为：将电子阴极、待测MCP样品以及阳极板依次置于高真空管内，将可调光阑和高真空管依次设置在高能量光源入射光路上；关闭可调光阑，打开高能量光源并对其进行标定；依次在阳极板、待测MCP样品及电子阴极上依次施加高压电场；对可调光阑的位置和孔径大小进行调节；电子依次经待测MCP样品和阳极板进行电子倍增和电子收集后，阳极板输出电流；检测阳极板的输出电流，并以激光强度最大值为基准，将测量区间内的激光强度做归一化处理；获得待测MCP样品的寿命。
一种高能宇宙射线探测 mcp 寿命测试方法系统

[实用新型]一种高精度多维调节光学精密耦合系统-CN202220601741.5有效
发明人：秦君军;白永林;高佳锐;梁晓祯;曹伟伟;白晓红;李然;郑锦坤;石大莲;吕林蔚;张昭昭 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G02B7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高精度多维调节光学精密耦合系统，解决现有空间高能粒子探测实验中，CMOS相机与光纤微孔板采用常用固定式结构，微孔对准精度无法满足μm量级的问题。系统包括安装在HERD箱体侧板上的微孔板安装结构、安装在微孔板安装结构上的光纤微孔板、安装在HERD箱体上且位于侧板外侧的微孔板调整结构及安装在HERD箱体外侧的一体化像增强器；微孔板安装结构包括微孔板安装架、微孔板调节筒、压板、N个弹簧和N个调节螺钉，N个调节螺钉分别穿过N个弹簧、压板、微孔板调节筒与微孔板安装架连接，将安装在微孔板调节筒内的光纤微孔板安装在微孔板安装架上；微孔板调整结构调节微孔板调节筒位置，实现光纤微孔板和一体化像增强器的微孔精密对准。
一种高精度多维调节光学精密耦合系统

[发明专利]基于RRAM的容量可调存储器及其容量调节与数据传输方法-CN202010747634.9有效
发明人： 梁晓祯;雷晓艺;高佳锐;白永林;王乐;王博;李然;吕林蔚 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器，具体涉及一种基于RRAM的容量可调存储器及其容量调节与数据传输方法。解决传统的存储方案因接口电源占据芯片空间导致存储模块存储容量小、两种存储模块的存储容量固定不可调，难以实现有效利用及两种存储模块之间的数据传输慢等问题。包括易失存储模块、非易失存储模块与控制模块；易失存储模块与非易失存储模块采用同一RRAM作为存储单元并共用同一控制模块；易失存储单元与非易失存储单元对应不同的地址；控制模块设置一组或两组IO接口与一组电源接口，通过IO接口与CPU通讯；通过电源接口与外部电源连接；通过控制模块实现易失存储单元与非易失存储单元容量调节与数据传输。
基于 rram 容量可调存储器及其调节数据传输方法

[发明专利]智能终端之间的可见光高速通信方法-CN202010320921.1有效
发明人： 梁晓祯;高佳锐;白永林;王博 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H04B10/116 文献下载
摘要：本发明涉及一种可见光通信方法，具体涉及智能终端之间的可见光高速通信方法，用于智能手机之间的可见光通信。解决智能终端可见光通信存在的数据传输速率低的问题，发送时，将发送数据按特定编码进行调制成闪光灯驱动控制信号，通过LED驱动芯片控制闪光灯发送可见光信号；接收时，摄像头或者其他光感器件接收可见光信号，并将信号进行解调和分析。该方法中，采用多个红绿蓝三色LED闪光灯的多值发送模式和/或多个摄像头接收数据，可以极大地提升智能终端之间的可见光通信速率，很好的解决数据的安全性问题，同时可减少部分硬件成本。
智能终端之间可见光高速通信方法

[发明专利]一种基于FPGA架构手机模块及其与手机的连接方法-CN201910380471.2有效
发明人：雷晓艺;梁晓祯;戴扬;张云尧;闫军锋;赵武;张志勇 -专利权人：西北大学
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本发明公开一种基于FPGA架构手机模块及其与手机的连接方法，手机模块包括FPGA模块，FPGA模块通过I/O接口连接有多种功能模块，FPGA模块通过SPI接口与手机的CPU连接通信，实现了手机外设功能模块的扩张，FGPA I/O口多，并且可以灵活配置，利用FPGA模块的I/O口模拟各种常规接口，可以连接各种外设模块，极大地拓展手机外加模块的功能，并且模块与手机之间的接口也非常简单，使得手机可以支持更多的功能。解决了现有手机模块与手机依靠CPU通信，由于CPU的外围接口有限，导致功能模块难以扩展的问题；功能模块更新换代，只需要对手机模块的软硬件进行升级，而手机只需要软件升级，极大缩短手机开关周期，降低手机新功能、新外围设备的调试难度、开发的时间，从而节省开发成本。
一种基于 fpga 架构手机模块及其连接方法

[发明专利]一种提升终端设备充电速率和效率的电池模块及其工作方法-CN202010319516.8在审
发明人：雷晓艺;梁晓祯;戴扬;张云尧;张涵;闫军锋;赵武;张志勇 -专利权人：西北大学
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种提升终端设备充电速率和效率的电池模块及其工作方法，电池模块包括多块完全相同的电池合成的电池组、电池板和对外接口，通过电池板上的电源管理电路进行电池模块的供电输出管理、充电管理、电量检测、电池开关的控制以及充供电路径的切换；前期高电压充电时各电池串联连接，减小了各电池的充电电流，极大地减少电池的热功耗，从而减少电池的发热，解决快速充电和发热之间矛盾，从而提高电池模块的充电速度，改善终端设备的用户体验，电池模块支持多种电压的输出，使电池的使用更加灵活。
一种提升终端设备充电速率效率电池模块及其工作方法

[发明专利]一种终端电池激活方法、装置和终端-CN201310745556.9有效
发明人：李启瑞;段顶柱;邱晓光;梁晓祯 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01M10/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种终端电池激活方法、装置和终端，在终端电池的正极和终端充电输入端的第一端之间设置控制开关；所述方法包括：检测所述终端的充电输入端是否连接有外置充电设备，获得第一检测结果；当所述第一检测结果指示所述终端的充电输入端连接有外置充电设备时，检测所述终端电池是否需要激活，获得第二检测结果；当所述第二检测结果指示所述终端电池需要激活时，控制所述控制开关闭合，使得所述终端的充电输入端的第一端和所述终端电池的正极导通后，所述外置充电设备将第一电压直接加在所述终端电池上，激活所述终端电池。本发明能够在无须将电池取出的情况下，对需要进行激活的电池完成激活过程，同时控制了成本。
一种终端电池激活方法装置

[发明专利]基于c面Al₂O₃衬底上极性c面GaN薄膜的MOCVD生长方法-CN201010209323.3有效
发明人：郝跃;许晟瑞;张进成;张金风;毛维;史林玉;付小凡;梁晓祯 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2010-06-24 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于c面A12O3衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中质量较差，应力大的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al2O2衬底置于MOCVD反应室中，对衬底进行热处理；(2)在c面Al2O3衬底上生长厚度为100-300nm，温度为700℃的无应力AlInN成核层；(3)在所述低温无应力AlInN层之上生长厚度为1000-2000nm，温度为950-1100℃的GaN层；(4)在所述GaN层之上生长1-10nm的第一层TiN层；(5)在所述第一层TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层；(6)在所述极性c面GaN层之上生长厚度1-10nm的第二层TiN层；(7)在所述第二层TiN层之上生长厚度为2000-5000nm，温度为950-1100℃的极性c面GaN层。本发明具有低缺陷，应力小的优点，可用于制作极性c面GaN发光二极管及晶体管。
基于 al sub 衬底极性 gan 薄膜 mocvd 生长方法

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