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[发明专利]半导体装置-CN201210161920.2有效
发明人： 桥本史则 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2012-05-23 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，其为高效率功率MOS晶体管，比现有技术进一步改善了具有低导通电阻特性的功率MOS晶体管的开关特性。半导体芯片（100）具有：栅极电极（6），其在由指状电极构成的源极电极（8）与漏极电极（9）之间从指状电极的一端部（GE1）延伸到另一端部（GE2）；栅极引出电极，其经由形成于层间绝缘膜（7）的接触孔分别与栅极电极的端部（GE1，GE2）连接；钝化膜（12），其覆盖在所述层间绝缘膜上；栅极连接电极（G1，G2），其成为所述栅极引出电极的一部分，在该钝化膜的开口部露出；突起电极（25），其形成于该栅极连接电极。该半导体芯片（100）经由该突起电极与形成于BGA基板（200）的表面（201）的电阻低的栅极电极分流用基板布线（23）连接。
半导体装置

[发明专利]半导体集成电路-CN200810125851.3有效
发明人： 桥本史则 -专利权人：三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社
申请日： 2008-05-12 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的半导体集成电路提高静电破坏强度和闭锁强度等。此外，消除静电破坏强度和闭锁强度等的偏差，作为半导体集成电路，保证一定的质量。在静电破坏保护单元(EC1)中，利用由P+型的半导体层构成的分离区域(6)包围着第一NPN型双极晶体管(3)和第二NPN型双极晶体管(4)，与其他元件电性分离。该分离区域(6)的宽度(WB1)形成得比相互分离形成了内部电路(50)的元件的分离区域(7)的宽度(WB2)宽。这样，能够得到提高静电破坏强度和闭锁强度等的效果。为了充分发挥这样的效果，最好分离区域(6)的宽度(WB1)宽于分离区域(7)的宽度(WB2)(通常按照该半导体集成电路的最小设计规则进行设计)2倍以上。
半导体集成电路

[发明专利]电荷泵电路-CN200510083635.3有效
发明人： 桥本史则 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2005-07-13 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：提供一种电荷泵电路，防止在电荷泵电路中对于开关噪声的显示的坏影响。在同步分离电路(18)中，从视频信号中分离同步信号。将分离的同步信号在触发器(20)中进行1/2分频，获得1水平期间的2倍的周期的时钟信号，利用该时钟信号来控制电荷泵电路的开关。由此，可将切换电荷泵的开关的定时设定在接近无视频信号的水平同步信号的期间，可防止视频信号中噪声的产生。
电荷电路

[发明专利]放大器-CN200410057764.0有效
发明人： 桥本史则 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-08-17 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供一种放大器，不需要输出中的隔直电容器。在该放大器中，同步分离电路(18)从箝位电路(10)的输出中分离水平同步信号，通过占空比50％电路，将占空比变换为50％的信号并提供给电荷泵电路(22)。电荷泵电路(22)将来自占空比50％电路(20)的信号作为时钟，根据电源VCC形成－VCC并将其作为主放大器(14)的负电源来提供。主放大器(14)将箝位电路(10)的输出的图像信号被前置放大器(12)放大后的信号用作VCC和－VCC，作为将地为中心的放大信号输出。因此，在向同轴馈线(16)输出时，不需要隔直电容器。
放大器

[发明专利]电荷泵电路和放大器-CN200410064138.4有效
发明人： 桥本史则 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2004-08-19 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明提供一种电荷泵电路，可以防止电荷泵电路中产生噪声。在该电路中，通过使开关(S1、S3)的组和开关(S2、S4)的组交替地导通截止，在输出中得到－VCC。然后，在从电源VCC到电容器C1的充放电中分别使用恒流电路(CS1、CS2)。因此，可以限制大电流并防止产生噪声。
电荷电路放大器