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[发明专利]一种单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置-CN201410693963.4有效
发明人：刘健鹏;马铁中;张立芳;桑云刚;焦宏达 -专利权人：北京智朗芯光科技有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种单透镜型检测晶片基底二维形貌和温度的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前，将透镜设置于分光平片之后，而在形成第二种反射光束之后，将透镜设置于分光平片之前，这样，只需要应用一个透镜即可，无需选用两个透镜，或者，在选用激光器和探测器时，无需它们自身集成有透镜，使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。
一种透镜检测晶片基底二维形貌温度装置

[发明专利]一种集成式表面等离激元逻辑电路-CN201610647448.1有效
发明人：石锦卫;武晓佳;桑云刚;丁宇峰;王艳容;郭华清;周静;刘大禾 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2016-08-09 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： G02F3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于表面等离激元的集成式全光逻辑门器件及其逻辑运算方法。其特征在于该器件由输入模块，SPP会聚模块和输出模块构成。其中输入模块是三输入门结构，由三组结构相同且水平等距分布的光栅构成，即输入端口A、控制端口B和输入端口C，当只需使用双输入端门时，控制端口B可以闲置；SPP会聚模块由非近轴条件下的波带片构成；输出模块由输出端和光探测器构成。本发明实现了纯光学的逻辑运算，与现有技术相比本发明集成度高、体积小，信号光损耗低、传输距离远、具有多级级联的潜力，同时本发明覆盖了从近紫外到中红外所有波长的光，包括1.55um通信波长在内。
一种集成表面元逻辑电路

[发明专利]一种自动检测晶片基底二维形貌的装置-CN201410692768.X有效
发明人：刘健鹏;马铁中;张立芳;黄文勇;桑云刚 -专利权人：北京智朗芯光科技有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G01B11/245 文献下载
摘要：本发明公开了一种自动检测晶片基底二维形貌的装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置中，N束激光的多路出射光是由一个激光器经过一个包含多个分光面的分光棱镜，通过给所述多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过该分光棱镜后射出的多路出射光光强相同，即该多路光强相同的出射光不是由多个激光器发射得到的，而是仅仅由一个激光器经过该分光棱镜的反射、折射得到的，由此，在有限的布置空间内，可以选用体积稍大的激光器，当激光器体积增大后，其内部散热性能改善，并且，由于该激光器内增设了反馈电路，可以根据需要改变激光器的内部参数，因此，能够增强激光器的输出功率和波长的稳定性。
一种自动检测晶片基底二维形貌装置

[发明专利]一种多路激光发射装置-CN201410692616.X在审
发明人：刘健鹏;张立芳;桑云刚;黄文勇 -专利权人：北京智朗芯光科技有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G01B11/245 文献下载
摘要：本发明公开了一种多路激光发射装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该多路激光发射装置包括多路分光棱镜和激光器，多路分光棱镜包括多个分光面，多个分光面之间平行，多个分光面与水平方向的夹角分别为45°，多个分光面的中心处在同一直线上，激光器发射的激光沿着与直线的垂直方向射向其中一处于最外侧的分光面，通过给多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过多个分光面透射或者反射的多路出射光光强相同，激光器内部增设反馈电路。该多路激光发射装置能够增强激光器的输出功率和波长的稳定性。
一种激光发射装置

[发明专利]一种单透镜型晶片基底温度测量装置-CN201410693553.X在审
发明人：刘健鹏;桑云刚;黄文勇;严冬;焦宏达 -专利权人：北京智朗芯光科技有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G01K11/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种单透镜型晶片基底温度测量装置，属于半导体材料无损检测技术领域。该装置在光束入射至晶片基底之前，将透镜设置于分光平片之后，而在形成第二种反射光束之后，将透镜设置于分光平片之前，这样，只需要应用一个透镜即可，无需选用两个透镜，或者，在选用激光器和探测器时，无需它们自身集成有透镜，使得检测晶片基底二维形貌的装置的成本降低。
一种透镜晶片基底温度测量装置

[发明专利]一种检测晶片基底二维形貌的装置-CN201410692622.5有效
发明人：刘健鹏;张瑭;焦宏达;张立芳;桑云刚 -专利权人：北京智朗芯光科技有限公司
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明提供的检测晶片基底二维形貌的装置中，由多路出射光是由一个激光器经过多个分光面，通过给所述多个分光面赋予差异化的反射率和透射率，使得经过该多个分光面透射或者反射的多路出射光光强相同，即该多路光强相同的出射光不是由多个激光器发射得到的，而是仅仅由一个激光器经过该多路分光棱镜的反射、折射得到的，由此，在有限的布置空间内，可以选用体积稍大的激光器，当激光器体积增大后，其内部散热性能改善，并且，由于该激光器内增设了反馈电路，可以根据需要改变激光器的内部参数，因此，能够增强激光器的输出功率和波长的稳定性。
一种检测晶片基底二维形貌装置

[发明专利]半导体薄膜生长反应腔辅助温度校准装置及校准方法-CN201510102391.2有效
发明人： 桑云刚;黄文勇;马铁中 -专利权人：北京智朗芯光科技有限公司
申请日： 2015-03-09 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：公开了半导体薄膜生长反应腔辅助温度校准装置及校准方法，属于半导体制造领域。该装置及方法能够将光源的光强调节到P0，由于P0对应的黑体炉靶心的温度为T0，因此，可以将光源等效为一个温度为T0的热辐射源，此时，由温度探测装置探测到的光源透过狭缝窗口后光线的光强的最大值P0＇等效为反应腔内温度T0时的热辐射强度。应用该反应腔辅助温度校准装置时，相当于在已知T0和P0＇的条件下，对反应腔的测温装置进行校准，其中，光源的发光体是宽光谱卤钨灯。该光源能够模拟温度为T0时的黑体辐射P0＇，为反应腔温度校准提供支持。此外，宽光谱卤钨灯光源能够实现高稳定功率输出，并能够提高校准稳定性。
半导体薄膜生长反应辅助温度校准装置方法