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[发明专利]用于斜面蚀刻器的下等离子体排除区域环-CN201980068405.X在审
发明人：金基灿;杰克·陈;格雷戈里·S·塞克斯顿 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种用于处理衬底的衬底处理系统包含上等离子体排除区域环，其在所述衬底的斜面边缘的等离子体处理期间配置在所述衬底上方。上部电极在所述等离子体处理期间配置在所述衬底上方。下等离子体排除区域环在所述等离子体处理期间至少部分配置在所述衬底下方。下部电极在所述等离子体处理期间至少部分配置在所述衬底下方。所述下等离子体排除区域环包含环形体，该环形体具有：下部，其至少部分配置在所述衬底下方；以及向上突出的凸缘，其在与所述衬底的径向外缘隔开的位置从所述环形体的所述下部向上延伸。所述向上突出的凸缘包含最上方表面，其在竖直方向上延伸至所述衬底的中间部和所述衬底的所述中间部上方两者中的一者。
用于斜面蚀刻等离子体排除区域

[发明专利]在工艺室中对准电极以保护晶片的边缘附近区域内的禁止区的方法和装置-CN200880011266.9有效
发明人： 格雷戈里·S·塞克斯顿;安德鲁·D·贝利三世;艾伦·M·舍普;约翰·D·博尼法 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-02-07 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：在工艺室中建立位置关系。基座被配置有下电极表面以支撑晶片；而上电极具有下表面。装配在该基座上的驱动具有与该上电极连接的传动机构。置于该下表面上的夹具移动为该下电极的期望的定向。通过该上电极被该传动机构松散地连接至该驱动，该夹具将该期望的定向传递至该上电极。该传动机构变紧以维持该期望的定向，去除该夹具，并将工艺隔断插入部装配至该上电极。该驱动移动该上电极和该插入部，以在该上电极和该下电极上的该晶片之间限定非有效工艺区域，从而在围绕该中心区域的晶片边缘附近区域进行刻蚀时保护该晶片的中心区域。
工艺对准电极保护晶片边缘附近区域内禁止方法装置

[发明专利]具有电介质盖层的边缘电极-CN200880007433.2有效
发明人： 格雷戈里·S·塞克斯顿;安德鲁·D·贝利;安德拉斯·库蒂;金润相 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：该实施方式提供除去基片斜面边缘附近和室内部的刻蚀副产品、电介质膜和金属膜，以避免聚合物副产品和沉积薄膜的聚积并提高处理产量的装置和方法。在一个示例性实施方式中，提供一种配置为清洁基片的斜面边缘的等离子体处理室。该等离子体处理室包括配置为接收该基片的基片支架。该等离子体处理室还包括围绕该基片支架的底部边缘电极。该部边缘电极和该基片支架由底部电介质环彼此电性隔离。该底部边缘电极面对该基片的表面被底部电介质薄层覆盖。该等离子体处理室进一步包括围绕与该基片支架相对的顶部绝缘体板的顶部边缘电极。该顶部边缘电极电性接地。该顶部边缘电极面对该基片的表面被顶部电介质薄层覆盖。该顶部边缘电极和该底部边缘电极彼此相对而且配置为产生清洁等离子体以清洁该基片的该斜面边缘。
具有电介质盖层边缘电极

[发明专利]具有可变功率的边缘电极-CN200880007329.3有效
发明人： 格雷戈里·S·塞克斯顿;安德鲁·D·贝利;安德拉斯·库蒂 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-02-14 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：这些实施例提供了去除该基片斜缘上和附近以及室内部的蚀刻副产物、电介质薄膜和金属薄膜的结构和机制，以避免聚合物副产物和沉积的薄膜的聚集以及提高工艺成品率。在一个示范性的实施例中，提供一种等离子处理室，其配置为清洁基片的斜缘。该等离子处理室包括底部电极，其配置为接收该基片，其中该底部电极耦接至射频(RF)电源。该等离子处理室还包括围绕对着该底部电极的绝缘板的顶部边缘电极。该顶部边缘电极电气接地。该等离子处理室进一步包括围绕该底部电极的底部边缘电极。该底部边缘电极对着该顶部边缘电极。该顶部边缘电极、设在该底部电极上的该基片和该底部边缘电极配置为生成清洁等离子以清洁该基片的斜缘。该底部边缘电极和该底部电极通过RF电路彼此电气耦接，该RF电路可调节以调节通过设在该底部电极上的该基片、该底部边缘电极和该顶部边缘电极之间的RF电流的量。
具有可变功率边缘电极

[发明专利]用于在处理室中限定处理排除和处理执行的区域的装置-CN200810007092.0有效
发明人：安德鲁·D·贝利三世;杰克·陈;金允尚;格雷戈里·S·塞克斯顿 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2008-02-02 - 公布日： 2008-08-06 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开一种用于在处理室中限定处理排除和处理执行的区域的装置。在处理室中建立位置关系。上部电极配置为具有第一表面以支承晶片，以及一个具有第二表面的电极。线性驱动器安装在该基底上，以及联动装置连接在该驱动器和该上部电极之间。联动装置调节限定在这些表面之间需要的方位。当该组件移动该上部电极并且这些表面相对于彼此移动时，该线性驱动器和联动装置保持需要的方位。限定在这些电极之间的环形蚀刻区域使沿该晶片顶部和底部延伸的晶片边缘排除区域能够蚀刻。可移除的蚀刻限定环被配置为限定沿待蚀刻的晶片的顶部和底部每个的特有的长度。这些表面的位置关系能够将蚀刻限制在具有那些特有长度的排除区域。
用于处理限定排除执行区域装置