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[发明专利]曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法-CN200410097946.0无效
发明人：笹子胜;远藤政孝;久继德重 -专利权人：松下电器产业株式会社;株式会社PD服务
申请日： 2001-12-26 - 公布日： 2005-05-25 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。本发明的制造方法包含以下工程：(a)准备具有开口的热吸收用掩膜的工程；(b)将图形用掩膜用基片配置到所述热吸收用掩膜的下方的工程；(c)在所述图形用掩膜用基片的下面上堆积感光胶的工程；(d)用所述热吸收用掩膜作掩膜，用能透过所述图形用掩膜用基片的放射线照射所述感光胶使所述感光胶图形化的工程；(e)用所述感光胶作掩膜，由刻蚀所述图形用掩膜用基片形成具有开口的图形用掩膜的工程。
曝光用掩膜制造方法

[发明专利]曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法-CN01805602.4无效
发明人：笹子胜;远藤政孝;久继德重 -专利权人：松下电器产业株式会社;株式会社PD服务
申请日： 2001-12-26 - 公布日： 2003-03-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开了一种曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法。如图2所示，本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)具备由玻璃形成的框架(20)、设在框架(20)的下面上的硅板(15)、设在硅板(15)的下面上的热吸收用掩膜(16)、设在热吸收用掩膜(16)的下面上的硅板(11)和设在硅板(11)的下面上的镂空掩膜(14)。镂空掩膜(14)由硅基片形成，具备为形成感光胶图形的狭缝状的图形用开口(14a)。热吸收用掩膜(16)由覆盖了SiN膜的硅基片形成，具备与镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)几乎相同图形形成的狭缝状开口(16a)。如图3(a)所示，开口(16a)形成的大小不遮蔽形成感光胶图形必须的电子束。即，开口(16a)的大小设置的与图形用开口(14a)的大小一致或开口(16a)稍大。还有，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有贯通框架(20)及硅板(15)、使热吸收用掩膜(16)的上面内形成开口(16a)的区域暴露出来的大开口(20a)。进一步，在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)上设有使贯通硅板(11)、热吸收用掩膜(16)的下面内形成开口(16a)的区域和镂空掩膜(14)的上面内形成图形用开口(14a)的区域暴露出来的空洞部(11a)。在本实施方式的多层结构型曝光用掩膜(1)中，如图3(a)所示，镂空掩膜(14)的图形用开口(14a)和热吸收用掩膜(16)的开口(16a)沿水平方向位置对准。
曝光用掩膜制造方法

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