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[发明专利]半导体强电介质存储元件的制造方法和半导体强电介质存储晶体管-CN201710265559.0有效
发明人：酒井滋树;高桥光惠;楠原昌树;都田昌之;梅田优;佐佐木善和 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所;株式会社和广武
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L27/11502 文献下载
摘要：本发明提供FeFET及其制造方法，该FeFET在不损害以往开发的FeFET具有的105秒以上的数据保持特性和108次以上的耐数据改写性特性的情况下，将强电介质的膜厚(df)减小至59nmdf150nm的范围以适于微细化，可进行写入电压的绝对值为3.3V以下的数据的写入。半导体强电介质存储元件的制造方法的特征在于，其是在半导体基体上按以下顺序形成了绝缘体、由铋层状钙钛矿结晶的强电介质的构成元素构成的膜、和金属后进行强电介质结晶化退火而制造的由半导体基体和绝缘体和强电介质和金属构成的元件的制造方法，上述膜由Ca和Sr和Bi和Ta和氧原子构成，上述金属由Ir或Pt或Ir和Pt的合金或Ru构成，上述强电介质结晶化退火在氮中加入了氧的混合气体中或者在氩中加入了氧的混合气体中进行。
半导体电介质存储元件制造方法晶体管

[发明专利]CVD装置以及CVD膜的制造方法-CN201280027217.0有效
发明人：楠原昌树 -专利权人： 株式会社和广武
申请日： 2012-05-31 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：现有技术中，在太阳电池的抗反射膜中使用减压等离子体CVD形成的氮化膜。但是，在减压程序时，因为设备成本与过程成本高，所以很难降低太阳电池的制造成本。经由介电质构件施加电场或磁场产生等离子体的等离子体头多个并排设置，以此形成利用介电质阻挡放电造成的大气压等离子体CVD而形成氮化膜。利用介电放电，即使大气压也可形成稳定的辉光放电等离子体，从相邻的等离子体吹出口产生不同的等离子体，通过产生反应，可以在大气压下形成氮化膜，可实现太阳电池的低成本制造。
cvd 装置以及制造方法