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- [发明专利]中央多弧源式离子镀方法-CN02136586.5无效
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柳荣权;柳志欣;何主亮
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柳荣权;柳志欣;何主亮
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2002-08-20
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2004-02-25
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C23C14/32
- 本发明中央多弧源式离子镀方法，涉及一种真空镀膜方法，用以消除现有技术离子镀工件装载量受限、多元素镀膜或多层镀膜受限、占用较大空间、制造难度大、生产成本高等问题；本发明在一「离子镀」舱体中央配一组靶座阵列，三组靶座分别形成正三角柱的几何关系，每一个靶材分别构成正三角柱的柱面并由各自独立的三组电弧电源供应器供给电源；由此，本发明不但可以节省空间、消除现有技术中空圆柱靶的制造困难，且可以利用每一组靶座挂载不同的靶材配合不同的基材公、自转转速，使本发明能够产生多元素镀膜、多层镀膜及超晶格镀膜的多种离子镀效果；本发明主要用于镀膜领域。
- 中央多弧源式离子镀方法
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