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[发明专利] 一种可控的低功耗CMOS参考源及其模块和芯片 -CN202210218930.9 有效
发明人：
马晓超 ;林福江
- 专利权人：
安徽传矽微电子有限公司
申请日：
2022-03-08
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公布日：
2023-10-17
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主分类号：
G05F1/567 文献下载
摘要： 本发明属于数模混合及射频集成电路技术领域，具体涉及一种可控的低功耗CMOS参考源及其模块和芯片。该CMOS参考源用于在控制信号PD的控制下可关断地输出一个与绝对温度成正相关的参考电流Iptat以及一个具有低温漂特性的基准电压Vref。低功耗CMOS参考源包括开关电路、启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路、基准电压产生电路，以及电流复制电路。低功耗CMOS参考源中的各个电路模块均与直流电源VDD相连接。低功耗CMOS参考源中的开关电路、启动电路、自偏置电压产生电路、主偏置电流产生电路和基准电压产生电路均包含接地端。本发明设计出的电路中仅使用了PMOS管、NMOS管和电阻，因而可以兼容CMOS工艺。本发明解决了现有基准电压源在低功耗、低温漂、输出灵活度等性能上无法达到均衡，影响产品在片上系统中应用的问题；具有更广阔的应用前景。一种 可控 功耗 cmos 参考 及其 模块 芯片
[发明专利] 一种单端转差分跨阻放大器 -CN202111204884.9 在审
发明人：
谢金峰 ;林福江
- 专利权人：
安徽传矽微电子有限公司
申请日：
2021-10-15
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公布日：
2022-01-07
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主分类号：
H03F3/45 文献下载
摘要： 本发明公开了一种单端转差分跨阻放大器，其包括主跨阻放大器，冗余跨阻放大器，电容C1 、C2 。主跨阻放大器包括场效应晶体管M1 、M3 ，反馈电阻Rf1 ，负载电阻RL1 ，交流耦合电容Cc。M1 漏极接地，M3 栅极接入偏置电压VB，M3 漏极连接M1 源极。Rf1 一端连接M1 基极，另一端连接M3 源极。RL1 一端连接M3 源极，另一端接入外接电压。冗余跨阻放大器包括M2 、M4 ，反馈电阻Rf2 ，负载电阻RL2 。Cc一端连接M3 漏极，另一端连接M2 栅极。C1 、C2 构成电容耦合的交流耦合对，C1 一端连接M2 源极，另一端连接M4 基极，C2 一端连接M4 源极，另一端连接M3 基极。本发明与现有技术相比，可以实现更好的输出对称性，以及鲁棒性。当M3 、M4 的小信号跨导相同时，输出即可实现对称。M3 、M4 的小信号跨导在电路工作中更容易满足，鲁棒性更好。一种 单端转差分跨阻 放大器
[发明专利] 一种恒定环路带宽的宽带锁相环 -CN201711126350.2 有效
发明人：
张吉利 ;李宇 ;杨家琪 ;闫旭 ;林福江
- 专利权人：
中国科学技术大学
申请日：
2017-11-15
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公布日：
2021-03-09
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主分类号：
H03L7/18 文献下载
摘要： 本发明公开了一种恒定环路带宽的宽带锁相环，包括电荷泵锁相环(1)和全数字自动校准电路(2)。电荷泵锁相环(1)包括鉴频鉴相器(3)、可编程电荷泵(4)、环路滤波器(5)、压控振荡器(6)、反馈分频器(7)、第一开关(8)和第二开关(9)。全数字自动校准电路(2)包括频率检测器(10)、时序控制单元(11)、锁相环环路带宽校准电路(12)、压控振荡器频率校准电路(13)和压控振荡器控制电压产生电路(14)。本发明通过使用多相位检测的方式可以快速测量压控振荡器的频率并用于压控振荡器的频率校准和锁相环环路带宽的校准，全数字自动校准电路可以有效的保证锁相环在宽频率范围内环路带宽的稳定，并有效的克服工艺、电压、温度等因素的影响。一种 恒定 环路 带宽 宽带 锁相环
[发明专利] 一种薄膜体声波谐振滤波器 -CN202011021256.2 在审
发明人：
穆罕默德·麦蒙 ;周攀 ;林福江
- 专利权人：
中国科学技术大学
申请日：
2020-09-25
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公布日：
2021-01-01
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主分类号：
H03H9/02 文献下载
摘要： 本发明公开了一种薄膜体声波谐振滤波器，具有高的品质因数(Q)和高的机电耦合系数(Kt 2 )，满足高频通信系统的要求。该薄膜体声波谐振滤波器包括顶部电极边缘处台阶、顶部电极、压电薄膜、底部电极、带有空气背腔的绝缘支撑层。本发明在顶部电极边缘处设计了第一台阶、第二台阶和第三台阶，用于反射兰姆波(Lamb waves)。通过对顶部各级台阶长度、宽度、厚度的设计，对寄生谐振具有最佳的抑制效果，有效消除了薄膜体声波谐振滤波器的相位响应中的纹波。通过优化设计，该薄膜体声波谐振滤波器具有高的品质因数(Q)，高的机电耦合系数一种 薄膜 声波 谐振 滤波器
