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[发明专利]多结太阳能电池及其制备方法-CN201210582092.X无效
发明人：毕京锋;林志东;蔡文必;林桂江;刘建庆;宋明辉;丁杰 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-12-28 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装多结太阳电池及其制备方法，其包括：衬底；第一子电池，倒装生长与衬底之上，具有第一带隙；第二子电池，倒装形成于第一子电池之上，具有小于第一带隙的第二带隙；第三子电池，倒装形成于第二子电池之上，具有小于第二带隙的第三带隙；第四子电池，倒装形成与第三子电池之上，具有小于第三带隙得第四带隙，第一、二、三、四子电池与衬底晶格匹配；渐变缓冲层，形成于第四子电池之上，克服第四、五子电池之间的晶格失配，具有小于第四带隙的第五带隙。第五子电池，倒装形成与其同质的渐变缓冲层之上，具有小于第五带隙的第六带隙。经过后期各种工艺，获得所需的太阳能电池。通过本发明可以制备出电流匹配，光谱吸收范围更广的高效多结太阳能电池。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种化合物半导体太阳能电池-CN201210384264.2有效
发明人：宋明辉;林桂江;丁杰;刘建庆 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-10-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种化合物半导体太阳能电池，其特征在于：在电池欧姆接触叠层内插入一隧穿结，从而改变欧姆接触层表面的导电类型。对于本发明所公开的外延结构，其欧姆接触层内插入的隧穿结厚度较薄，将不会导致电池外延成本的有效增加；另一方面电池欧姆接触层表面导电类型的改变，将使得可以选用较为廉价的金属用于制作电池芯片电极，即在保证电池性能的前提下，有效降低了太阳能电池的生产成本。
一种化合物半导体太阳能电池

[发明专利]倒装太阳能电池及其制备方法-CN201210324160.2有效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆;丁杰 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种倒装太阳能电池及其制备方法，其在倒装生长过程中，在顶电池结构中引入异质结窗口层，防止了工艺过程中可能发生过蚀刻导致窗口层受损，从而避免了单一材料窗口层遭到破坏之后电池性能受到影响的严重后果。
倒装太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种三结太阳能电池及其制备方法-CN201210328962.0无效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆;丁杰 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种三结太阳能电池及其制备方法，其采用InP做为生长衬底，在其上形成第一子电池、第二子电池InP及第三子电池In1-xAlxAs，在InP子电池的基区插入应变补偿量子阱能够有效拓宽吸收边，通过渐变缓冲层技术有效克服子电池之间的晶格匹配，降低位错密度。
一种太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种太阳电池芯片电极的制备方法-CN201210291406.0无效
发明人：熊伟平;林桂江;吴志敏;宋明辉;安晖 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池芯片电极的制备方法，其步骤包括：1）在电池外延片表面上形成具有梯形横截面的栅状电极，并在其顶面覆盖抗腐蚀层；2）采用化学腐蚀方法腐蚀所述具有梯形横截面的栅状电极，由于顶面覆盖抗腐蚀层，梯形截面只在两斜边被腐蚀，从而形成具有三角形横截面的栅状电极；3）去除所述抗腐蚀层。采用所述的太阳能电池芯片电极的制备方法使得栅状电极具有三角形截面，利用三角形的两侧面将入射至栅状电极的太阳光反射至电池芯片内部，所述的制备方法工艺简单，并且所述的具有三角形截面的栅状电极的侧面经化学腐蚀抛光后进行加厚，大大提高了侧面的反射率，从而进一步提高太阳光的利用率。
一种太阳电池芯片电极制备方法

[发明专利]一种倒装太阳能电池芯片及其制备方法-CN201210322001.9有效
发明人：熊伟平;林桂江;吴志敏;宋明辉;安晖 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开一种倒装太阳能电池芯片及其制备方法，包含：一键合转移衬底，所述的键合转移衬底为绝缘体；一键合金属层；一倒装太阳能电池外延层；所述的倒装太阳能电池外延层通过键合金属层与键合转移衬底贴合；所述的倒装太阳能电池外延层连同键合金属层被分割成至少两部分或以上；所述的被分割开的倒装太阳能电池外延层表面形成有正面电极；键合金属层与正面电极首尾互连，使得分割开后的外延层形成串联。本发明的优点在于，电池外延层被分割成完全隔离的若干部分后形成串联，大大降低了光生电流，从而降低了电池芯片串联电阻的功耗，而输出电压成倍增加，提高电池芯片光电转换效率；采用键合金属层作为背电极，实现了背电极极低的电阻性损耗。
一种倒装太阳能电池芯片及其制备方法

[发明专利]一种高效倒装五结太阳能电池及其制备方法-CN201210297864.5无效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆;丁杰 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-08-21 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效倒装五结太阳能电池及其制备方法，该结构至上而下包括下面各子电池：倒装生长的(Al)GaInP第一子电池；倒装生长的AlGaAs(P)第二子电池，晶格常数与第一子电池匹配；倒装生长的Ga(In)As(P)第三子电池，晶格常数与第二子电池匹配；倒装生长的Ga1-XInXAs第四子电池，晶格常数大于第三子电池；倒装生长的Ga1-yInyAs第五子电池，晶格常数大于第二子电池；第一渐变缓冲层，位于所述第三、第四子电池之间，组分渐变；第二渐变缓冲层，位于所述第四、第五子电池之间，组分渐变。此太阳能电池结构合理配置了各子电池的带隙，在拓宽太阳能吸收范围的同时能够实现各结电池电流匹配，运用此方法能够制备出高晶格质量、低位错密度、电流匹配的高效倒装五结太阳能电池。
一种高效倒装太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种高效多结太阳能电池的制备方法-CN201210249856.3无效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆;丁杰 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-07-19 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公布了一种高效多结太阳能电池的制备方法，其具体步骤包括：提供一Ge衬底，用于半导体外延生长；以Ge衬底为基区，在所述Ge衬底上生长发射区，构成第一子电池，其具有一第一带隙；采用MBE生长方法，在所述第一子电池上方形成第二子电池，使其具有大于第一带隙的一第二带隙，且晶格与第一子电池晶格匹配；采用MOCVD生长方法，在所述第二子电池上方形成第三子电池，使其具有大于第二带隙的第三带隙，并且与第一、二子电池晶格匹配；采用MOCVD生长方法，在所述第三子电池上方形成第四子电池，使其具有大于第三带隙的第四带隙，其晶格常数与第一、二、三子电池匹配。本发明还包括将MOCVD和MBE结合生长的其它多结（四结及其以上）太阳能电池的制备。运用此方法能够制备高质量、晶格匹配、电流匹配的高效多结太阳能电池。
一种高效太阳能电池制备方法

[发明专利]三结太阳能电池及其制备方法-CN201210236314.2无效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆;丁杰 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-07-10 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公布了一种高效空间三结太阳能电池，其包括：Ge衬底；InxGa1-xAs渐变缓冲层，形成于所述Ge;GaAsxSb1-x第一子电池，形成于渐变缓冲层上方，具有一第一带隙；InP第二子电池，形成于第一子电池上方，具有一大于第一带隙的第二带隙；AlxGa1-xAsySb1-y第三子电池，形成于第二子电池上方具有一大于第二带隙的第三带隙，晶格常数以第一、二子电池匹配。本发明还公开了电池的制备方法。
太阳能电池及其制备方法

[实用新型]高效三结太阳能电池-CN201220055594.2有效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2012-10-24 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高效三结太阳能电池，其包括：生长衬底，其具有两个抛光表面；底电池，由应变补偿超晶格构成，倒装生长于生长衬底的背面，具有一第一带隙，其等效晶格常数与生长衬底的晶格常数匹配；中电池，形成于生长衬底正面上，其具有大于第一带隙的第二带隙，其晶格常数与生底衬底匹配；顶电池，形成于中电池之上，其具有一大于第二带隙的第三带隙，且晶格常数与中电池晶格常数匹配。该三结太阳能电池的能带隙分布满足了捕获太阳能光谱的最佳选择，且电流匹配和晶格匹配，有效提高了三结太阳能电池的光电转换效率。
高效太阳能电池

[发明专利]三结太阳能电池及其制备方法-CN201210104646.5无效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆;王良均;熊伟平;宋明辉;丁杰 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-04-11 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种三结太阳能电池及其制备方法。制备艺如下：提供一p型Si衬底；在其上方扩散法形成第一子电池，具有一第一带隙；在第一子电池上方外延生长组分渐变的GaAsxP1-x渐变缓冲层，具有大于第一带隙的第二带隙；在渐变缓冲层上方形成GaAsP第二子电池，有大于第一带隙的第三带隙；在第二子电池的上方形成InGaP第三子电池，具有大于第三带隙的第四带隙，其晶格常数与第二子电池匹配。通过同时调节GaAsxP1-x第二子电池和InyGa1-yP第三子电池中As和P的组分x、y，可以实现两结电池在晶格匹配的情况下，带隙组合的多样性，此举大大拓宽了多结太阳能电池的选择空间。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种四结四元化合物太阳能电池及其制备方法-CN201210026736.7有效
发明人：毕京锋;林桂江;刘建庆;熊伟平;宋明辉;王良均;丁杰;林志东 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-02-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：本发明公开了一种四结四元化合物太阳能电池及其制备方法。在InP生长衬底上形成具有第一带隙、晶格常数与衬底晶格匹配的第一子电池，在所述第一子电池上形成具有比第一带隙大的第二带隙、晶格常数与衬底晶格匹配的第二子电池，在所述第二子电池上形成具有比第二带隙大的第三带隙的渐变缓冲层，在所述渐变缓冲层上形成其具有比第三带隙大的第四带隙、晶格常数小于衬底晶格常数的第三子电池，在所述第三子电池上形成具有比所述第四带隙大的第五带隙、晶格常数与第三子电池匹配的第四子电池，然后通过生长衬底剥离、支撑衬底键合、电极制备、减反膜蒸镀等后期工艺实现所需的高效四结太阳能电池。
一种四结四元化合物太阳能电池及其制备方法

[发明专利]三结太阳能电池及其制备方法-CN201210064787.9无效
发明人：王良均;丁杰;刘建庆;林桂江;毕京锋;蔡文必 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2012-03-13 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L31/0735 文献下载
摘要：本发明公开一种三结太阳能电池及其制备方法，其特征在于三结电池中的顶电池和中电池的背电场均采用AlxGa1-xAs/AlAs异质结结构。本发明可提高顶电池外延生长材料的禁带宽度（Eg），提高三结电池的开路电压（Voc），同时可增加顶电池和中电子基区光生载流子的收集，提高三结电池的短路电流（Isc），从而进一步提高三结电池的光电转化效率。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种高效四结太阳能电池及其制作方法-CN201110234544.0无效
发明人：毕京锋;林桂江;吴志浩;刘建庆;王良均;丁杰;梁兆煊;林志东 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2011-08-16 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效四结太阳能电池及其制备方法。提供一种双面抛光衬底，用于半导体外延生长，在上述衬底正面形成第一子电池，使其具有第一带隙；在所述的第一子电池上方形成渐变缓冲层，使其具有大于第一带隙的第二带隙；在所述的渐变缓冲层上方形成第二子电池。其具有大于第二带隙的第三带隙；在所述第二子电池上方形成高掺杂盖帽层；在所述的衬底的背面形成第三子电池，其为倒装生长，具有小于第一带隙的第四带隙；在所述的第三子电池的下方形成第四子电池，其结构也是倒装生长，具有小于第四带隙的第五带隙；在所述的第四子电池的下方外延背接触层，获得所需的太阳能电池。通过本发明可以制备出电流匹配，光谱吸收范围更广的高效四结太阳能电池。
一种高效太阳能电池及其制作方法

[发明专利]一种高效四结太阳能电池及其制作方法-CN201110219051.X有效
发明人：吴志浩;林桂江;宋明辉;方妍妍;戴江南;陈长清;余金中;林志东 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效四结太阳能电池及其制作方法，提出在InP衬底上实现四结太阳能电池结构。高效四强太阳能电池包括：InP生长衬底；具有第一能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第一子电池；具有比第一能带隙大的第二能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第二子电池；具有比第二能带隙大的第三能带隙，晶格常数与衬底晶格匹配的第三子电池；形成于第三子电池上，且具有比第三能带隙大的第四能带隙的组分渐变层；形成于组分渐变层上，且具有比所述第三能带隙大的第五能带隙，晶格常数与衬底晶格失配的第四子电池。
一种高效太阳能电池及其制作方法