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[实用新型]一种用于加工大尺寸盲孔的过渡扁钻-CN201220395685.0有效
发明人：徐宁;林德旭;刘岩;范志霞 -专利权人：中原特钢股份有限公司
申请日： 2012-08-10 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： B23B51/00 文献下载
摘要：本实用新型属于机械加工领域，具体涉及一种用于加工大尺寸盲孔的过渡扁钻，一种用于加工大尺寸盲孔的过渡扁钻，包括弧形扁钻切削刃，所述的弧形扁钻切削刃的两边和顶部均开设有凹槽，所述的凹槽为长条状结构，且该凹槽的截面为半圆形结构，所述的开设在扁钻切削刃两边的凹槽上下等距分布，利用本实用新型设计出的刀具进行盲孔加工，降低了操作工的劳动强度，缩短了加工及辅助时间，加工一件仅需2-3小时，较之前未使用时缩短了2/3，降低了操作工的劳动强度，获得了操作工的好评。同时用过渡扁钻加工后，再利用不开槽扁钻成型，可避免直接用过渡扁钻成型造成的内孔划伤，造成工件报废。
一种用于加工尺寸过渡扁钻

[发明专利]离子迁移谱仪及利用离子迁移谱仪的检测方法-CN201110439573.0有效
发明人：李元景;陈志强;张清军;曹士娉;林德旭;毛绍基;王清华 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01J49/26 文献下载
摘要：一种离子迁移谱仪，包括：电极；分别设置在该电极的相对的两侧的两个存储电极，通过该两个存储电极的电位的变化来存储来自两个存储电极之间的中部的离子以及用于将存储的离子从该存储电极排出。所述存储电极具有内部空间，离子存储在该内部空间中，并且其中：所述存储电极包括形成所述内部空间的环状件，和设置在该环状件的、远离所述中部的一侧并与环状件电连接的、导电的网状件。
离子迁移利用检测方法

[发明专利]离子迁移谱仪及利用离子迁移谱仪的检测方法-CN201110439692.6有效
发明人：李元景;陈志强;张清军;曹士娉;林德旭;毛绍基;王清华 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01J49/26 文献下载
摘要：一种离子迁移谱仪，包括：电极；分别设置在该电极的相对的两侧的两个存储电极，通过该两个存储电极的电位的变化来存储来自两个存储电极之间的中部的离子以及用于将存储的离子从该存储电极排出；以及设置在所述存储电极的、远离所述电极的一侧的迁移区入口电极。
离子迁移利用检测方法

[实用新型]一种用于深孔加工的定位装置-CN201020644201.2有效
发明人：刘新平;刘岩;林德旭;徐宁 -专利权人：中原特钢股份有限公司
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： B23Q3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于深孔加工的定位装置，包括工作台，工作台上固定连接有左、右挡板，左、右挡板上各设有调节螺栓。利用本实用新型能够快速定位工件，调整方便，仅需10～20分钟就可将工件调整到规定范围之内，缩短了5/6的辅助时间。
一种用于加工定位装置

[发明专利]离子迁移谱仪及利用离子迁移谱仪的检测方法-CN200910088635.0有效
发明人：李元景;陈志强;张清军;曹士娉;林德旭;毛绍基;王清华 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01J49/26 文献下载
摘要：一种离子迁移谱仪，包括：电极；分别设置在该电极的相对的两侧的两个存储电极，通过该两个存储电极的电位的变化来存储来自两个存储电极之间的中部的离子以及用于将存储的离子从该存储电极排出。
离子迁移利用检测方法

[实用新型]离子迁移谱仪-CN200920109055.0无效
发明人：李元景;陈志强;张清军;曹士娉;林德旭;毛绍基;王清华 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：一种离子迁移谱仪，包括：电极；分别设置在该电极的相对的两侧的两个存储电极，通过该两个存储电极的电位的变化来存储来自两个存储电极之间的中部的离子以及用于将存储的离子从该存储电极排出。
离子迁移

[发明专利]双极性离子迁移谱仪的离子门及方法-CN200810119974.6有效
发明人：彭华;张清军;林津;李元景;陈志强;毛绍基;代主得;曹士娉;张仲夏;张阳天;林德旭;王清华 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2008-10-20 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01J49/34 文献下载
摘要：公开了一种双极性IMS的离子门和方法，该离子门包括：离子源；第一门电极，设置在离子源的一侧；第二门电极，设置在离子源的另一侧；第三门电极，设置在第一门电极的远离离子源的那侧；第四门电极，设置在第二门电极的远离离子源的那侧；其中，在离子存储阶段，第一门电极在轴上相应位置的电位与离子源的电位和第三门电极的电位存在差异；第二门电极的电位与离子源的电位和第四门电极的电位存在差异。根据本发明，样品气体进入离子门后，在第一门电极和第二门电极之间与反应离子进行电荷交换，正负离子在电场的作用下，源源不断地被存储到相应的离子滞留区中，提高了离子的利用效率。采用简单地对组合电极进行控制的方法，将离子滞留区中的离子分步引出。
极性离子迁移方法

[发明专利]用于迁移率谱仪中迁移管的电极结构-CN200810114816.1有效
发明人：陈志强;李元景;彭华;张清军;林津;毛绍基;代主得;曹士娉;张仲夏;张阳天;林德旭;王清华;王少锋;李徽 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2008-06-12 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：公开了一种用于迁移率谱仪中迁移管的电极结构，包括：圆环状的电极，其中所述圆环状电极的两个圆环面在靠近内缘的至少一部分被形成为锥面，并且所述锥面与圆环状电极的中心轴所形成的角度不同。根据本发明实施例的电极结构能够有效地消除或减小空间电荷在迁移管中的积累。此结构尤其适用于迁移管内电场强度较低或通过大量离子时。同时，在保持迁移管内径不变的条件下，这种结构允许大幅度地缩减电极的外径，从而能够有效地缩小迁移管的外形尺寸，达到减小IMS的目的。
用于迁移率谱仪中迁移电极结构

[发明专利]双面离子源-CN200810111942.1有效
发明人：陈志强;李元景;彭华;张清军;林津;毛绍基;代主得;曹士娉;张仲夏;张阳天;林德旭;王清华;王少锋;李徽 -专利权人：同方威视技术股份有限公司
申请日： 2008-05-19 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01J49/10 文献下载
摘要：公开了一种离子源，包括：板状的源体，所述源体在两个侧面都具有放射性；并且所述源体形成为允许正负离子穿越源体。本发明的离子源结构能够增强样品分子的电离效率，形成的样品离子集中分布在源体两侧的扁平空间内，这种离子云分布有利于提高IMS的灵敏度。另外，由于源体本身具有一定的透过率，在源体两侧产生的正负离子可以穿过源体，被分离到源体的两侧，因此能够有效地提高离子的利用效率。
双面离子源

[发明专利]面阵离子存储系统和方法-CN200710304329.7有效
发明人：李元景;陈志强;张清军;彭华;代主得;毛绍基;林德旭 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：公开了一种面阵离子存储系统和方法，该系统包括：离子产生部分；离子存储部分，包括：与离子产生部分电连接的第一端电极，形成为具有多个孔；第二端电极，形成为具有多个孔；中间电极，形成为具有多个孔；第一绝缘体，形成为环状，夹在第一端电极和中间电极之间，且使得二者绝缘；第二绝缘体，形成为环状，夹在中间电极和第二端电极之间，且使得二者绝缘。根据本发明，由于将离子存储部分作的比较薄，方便离子的引出的一致性，减小了离子迁移谱峰的展宽。另外，由于第一绝缘体和第二绝缘体具有一个大孔，离子在存储空间震荡或热运动的时候，避免了与两边的绝缘材料碰撞，从而防止造成电荷转移和绝缘体上的电荷堆积放电造成的存储不稳和离子损失。
离子存储系统方法

[实用新型]用于迁移率谱仪中迁移管的电极结构-CN200820108522.3无效
发明人：陈志强;李元景;彭华;张清军;林津;毛绍基;代主得;曹士娉;张仲夏;张阳天;林德旭;王清华;王少锋;李徽 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2008-06-12 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于迁移谱仪中迁移管的电极结构，包括：圆环状的电极，其中所述圆环状电极的两个圆环面在靠近内缘的至少一部分被形成为锥面，并且所述锥面与圆环状电极的中心轴所形成的角度不同。根据本实用新型实施例的电极结构能够有效地消除或减小空间电荷在迁移管中的积累。此结构尤其适用于迁移管内电场强度较低或通过大量离子时。同时，在保持迁移管内径不变的条件下，这种结构允许大幅度地缩减电极的外径，从而能够有效地缩小迁移管的外形尺寸，达到减小IMS的目的。
用于迁移率谱仪中迁移电极结构

[实用新型]面阵离子存储系统-CN200720190921.4无效
发明人：李元景;陈志强;张清军;彭华;代主得;毛绍基;林德旭 -专利权人：同方威视技术股份有限公司;清华大学
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： H01J49/00 文献下载
摘要：公开了一种面阵离子存储系统，该系统包括：离子产生部分；离子存储部分，包括：与离子产生部分电连接的第一端电极，形成为具有多个孔；第二端电极，形成为具有多个孔；中间电极，形成为具有多个孔；第一绝缘体，形成为环状，夹在第一端电极和中间电极之间，且使得二者绝缘；第二绝缘体，形成为环状，夹在中间电极和第二端电极之间，且使得二者绝缘。根据本实用新型，由于将离子存储部分作的比较薄，方便离子的引出的一致性，减小了离子迁移谱峰的展宽。另外，由于第一绝缘体和第二绝缘体具有一个大孔，离子在存储空间震荡或热运动的时候，避免了与两边的绝缘材料碰撞，从而防止造成电荷转移和绝缘体上的电荷堆积放电造成的存储不稳和离子损失。
离子存储系统

[发明专利]一种端窗X射线管-CN200610114222.1无效
发明人：田宇纮;林德旭;商颖健 -专利权人：北京普析科学仪器有限责任公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2008-05-07 - 主分类号： H01J35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种端窗X射线管，包括外壳、用于发射电子束的阴极灯丝、薄膜阳极靶、铍窗。其中阴极灯丝封装于外壳中，所述的铍窗设置于外壳的端面上，并位于电子束的正前方，所述薄膜阳极靶设置于阴极灯丝与铍窗之间，该薄膜阳极靶固定连接在所述外壳的内部。同时，本发明采用外壳接地、阴极灯丝负高压供电模式，可以避免对外壳进行电绝缘保护，有利于X射线管散热。其优点在于：1.由于X射线需穿过薄膜阳极才能从端窗射出，因此X射线的低能部分被过滤削弱，而高能部分所受影响不大，从而得到本底较弱的X射线光谱。2.不需要用较为复杂的电场控制电子的偏转方向，使其有利于产品化和批量化。
一种射线

[实用新型]一种侧窗X射线管-CN200620134242.0无效
发明人：田宇纮;林德旭;商颖健 -专利权人：北京普析科学仪器有限责任公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-12-12 - 主分类号： H01J35/00 文献下载
摘要：本实用新型所述的一种侧窗X射线管，包括外壳、用于发射电子束的阴极灯丝、阳极靶、铍窗。其中阴极灯丝封装于外壳中，阳极靶设置于阴极灯丝的前方，阳极靶面与电子束的方向之间的夹角小于60°，铍窗设置于外壳的侧面上，铍窗所在的位置到电子束焦点连线与电子束之间的夹角为50°～70°。本实用新型所述一种侧窗X射线管的优点在于：X射线的韧致辐射强度可以达到最大值，使得X荧光分析仪器能够满足对三十到四十种元素的测量要求，同时对于仪器检出限的要求较高。
一种射线

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