专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果5个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [实用新型]一种新型锁紧式高分子过滤管接头-CN202222971422.6有效
  • 林宏升 - 苏州恒晟达环保科技有限公司
  • 2022-11-08 - 2023-03-28 - F16L47/16
  • 本实用新型公开了一种新型锁紧式高分子过滤管接头,包括高分子过滤管,高分子过滤管的顶端开口处螺纹连接有一不锈钢外螺纹连接头。本实用新型用不锈钢螺纹头代替原来的塑料头,坚固耐用,为了避免压力冲击和温度变化造成管接头变形,从而使不锈钢接头脱落,我们设计了不锈钢护套,不锈钢螺纹头旋入滤管后,不锈钢护套从管壁外面套入,然后用管道锁紧机把护套高压锁紧,从而使整个的连接头部分非常坚固,即使受到高压冲击,或者温度升高,接头部分也会非常牢固;通过本技术方案可以使连接头坚固耐用,整个的连接头部分非常坚固,即使受到高压冲击,或者温度升高,接头部分也会非常牢固,再也不会出现之前的密封不严和接头变形脱落的情况。
  • 一种新型锁紧式高分子过滤管接头
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110287734.2在审
  • 林宏升 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
  • 2021-03-17 - 2022-09-27 - H01L27/092
  • 一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供衬底,包括NMOS区和PMOS区;在NMOS区和PMOS区的衬底上形成分立的沟道结构,沟道结构包括一个或多个堆叠的沟道叠层,每个沟道叠层包括牺牲层以及位于牺牲层上的沟道层,NMOS区中沟道层的高宽比小于PMOS区中沟道层的高宽比,沿沟道结构的延伸方向,沟道结构包括沟道区;去除沟道区的牺牲层;去除沟道区的牺牲层后,在沟道区中,形成环绕覆盖沟道层的栅介质层;形成横跨沟道层的栅极结构,并环绕覆盖栅介质层。在NMOS区中,通过使沟道层的高宽比较小,以便于增大沟道层的宽度,从而有利于增大NMOS的工作电流,而在PMOS区中,通过使沟道层的高宽比较大,以便于增大沟道层的高度,从而有利于增大PMOS的工作电流。
  • 半导体结构及其形成方法

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top