“林坤立”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]半导体封装结构、发光装置及具有该装置的设备-CN201821819328.6有效
发明人：周大为;林坤立;李威霆;吕佳骏;潘科豪;梁家豪;许丰庭;施位勳 -专利权人：亿光电子工业股份有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： H01L33/52 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体封装结构，其包括基板、第一极性金属层、第二极性金属层、芯片以及封装层。基板具有第一表面和第一侧面。第一极性金属层设于基板内且具有第二表面和第二侧面，第二表面露出于第一表面，第二侧面露出于第一侧面而形成阳极金属电极。第二极性金属层与第一极性金属层相间隔地设于基板内且具有第三表面和第三侧面，第三表面露出于第一表面，第三侧面露出于第一侧面而形成阴极金属电极。芯片设于第一极性金属层的第二表面上。封装层设于基板的第一表面上。其中，半导体封装结构被配置为通过阳极金属电极和阴极金属电极电连接于电路板，而使芯片相对电路板呈侧立式布置。
极性金属侧面基板第一表面半导体封装结构第二表面阳极金属电极阴极金属电极电路板芯片封装层发光装置侧立式电连接配置

[实用新型]光源模块-CN201620756409.0有效
发明人：魏志宏;吴明昌;吴健旸;林坤立;陈政廷 -专利权人：研晶光电股份有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光源模块，包含基板、第一发光二极管芯片及波长转换层。第一发光二极管芯片定位于基板上，并具有以900纳米至1000纳米波长的放射；波长转换层定位于第一发光二极管芯片上方，并与第一发光二极管芯片的放射发生波长转换并产生小于900纳米波长的放射。
光源模块

[实用新型]发光元件-CN201520084876.9有效
发明人：邢陈震崙;洪荣豪;林坤立 -专利权人：葳天科技股份有限公司
申请日： 2015-02-06 - 公布日： 2015-07-22 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本实用新型关于一种发光元件，包含承载座、发光二极管晶粒、第一荧光层及第二荧光层，承载座包含固晶区；发光二极管晶粒设置于固晶区并包含顶面及邻接于顶面的侧面；第一荧光层设置于发光二极管晶粒的顶面；第二荧光层包覆第一荧光层及发光二极管晶粒。本实用新型利用发光二极管晶粒顶面较强的出光量先激发第一荧光层后，再激发第二荧光层，使得到的光色近似发光二极管晶粒侧面激发第二荧光层后的光色，借此来提高发光元件光色的均匀度，同时使发光元件的光色均匀度提高以消除黄圈光晕。
发光元件